，SiC襯底材料的應(yīng)用前景再次受到廣泛關(guān)注。SiC單晶采用物理氣相傳輸（PVT）方法制備，6英寸產(chǎn)品投入市場，厚度約為10–30mm。相比之下，經(jīng)過幾十年的發(fā)展，現(xiàn)代電子信息產(chǎn)業(yè)的基石材料單晶硅（Si
2023-12-20 13:46:36
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探索SiC外延層的摻雜濃度控制與缺陷控制，揭示其在高性能半導(dǎo)體器件中的關(guān)鍵作用。
2024-01-08 09:35:41631 
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/梁浩斌）“碳化硅行業(yè)得襯底者得天下”，襯底作為SiC產(chǎn)業(yè)鏈中成本占比最大的部分，自然是各家必爭之地。在下游需求帶動下，SiC襯底正在從6英寸開始向8英寸推進，更大的襯底尺寸
2022-11-23 09:22:561614 在搜索了微芯片自己的開發(fā)板之后，我還沒有找到基于10英寸（1024x 600）控制器的解決方案。我的目標(biāo)是在工業(yè)應(yīng)用中在10英寸顯示器上實現(xiàn)一個相當(dāng)復(fù)雜的GUI，其中主機MCU（PIC32mz）將
2020-04-02 10:18:20
按部就班，但產(chǎn)量、良率和價格等方面的壓力則需要一些特定類型的設(shè)備，如垂直腔表面發(fā)射激光器（VCSEL）在可能的情況下將使用單片式工藝。這與傳統(tǒng)的一次性批量處理多片晶圓不同，這些三五族（III-V）材料
2019-05-12 23:04:07
各位江湖英雄，本人在現(xiàn)在急需一款2.0英寸左右大小的 LCD ，分辨率要求320*240以上，顯示效果要好，產(chǎn)品每月需求量20K左右，如有誰有相關(guān)資源，請告知！謝謝！
2017-03-03 11:31:29
電壓：2.5～3.6V2. LCD尺寸：2.8英寸3.分辨率RGBx320x2404、驅(qū)動IC：ILI9320/9325/93415.顯示尺寸：57.6mm x 43.2mm6.顏色深度：16位7、背光
2022-08-16 07:21:14
的價格為準(zhǔn)。三、4英寸顯示屏幕屏廠家介紹4英寸顯示屏幕屏在深圳的廠家應(yīng)該有不少，但是我們在選擇廠家時需要注意廠家的實際實力，盡量找細(xì)分行業(yè)的4英寸顯示屏幕屏廠家，更懂行業(yè)，也會給你推薦更適合的產(chǎn)品，避免你走彎路，能更快的讓項目落地。
2023-02-02 11:37:35
小弟想知道8寸晶圓盒的制造工藝和檢驗規(guī)范，還有不知道在大陸有誰在生產(chǎn)？
2010-08-04 14:02:12
我國科學(xué)家成功在8英寸硅片上制備出了高質(zhì)量的氧化鎵外延片。我國氧化鎵領(lǐng)域研究連續(xù)取得突破日前，西安郵電大學(xué)新型半導(dǎo)體器件與材料重點實驗室的陳海峰教授團隊成功在8英寸硅片上制備出了高質(zhì)量的氧化鎵外延片
2023-03-15 11:09:59
員已經(jīng)在Si IGBT上使用SiC MOSFET觀察到系統(tǒng)級價格的顯著優(yōu)勢，并且我們預(yù)計隨著150 mm晶圓的規(guī)模經(jīng)濟，SiC MOSFET的價格將繼續(xù)下降。 圖7：在Digi-Key上看到的市售
2023-02-27 13:48:12
SiC SBD 晶圓級測試 求助：需要測試的參數(shù)和測試方法謝謝
2020-08-24 13:03:34
范圍內(nèi)。 首先，把預(yù)成型的Sn96.5-Ag3.5焊料切割成SiC芯片的尺寸。然后把鍵合工具、基板、預(yù)成型焊料、DBC襯底以及芯片按順序放置到加熱腔中。把整套裝置放到爐內(nèi)，在60秒內(nèi)升溫至液相線溫度
2018-09-11 16:12:04
半導(dǎo)體有限公司的第一大股東，是行業(yè)龍頭天科合達。11月中旬，天科合達舉辦了“8英寸導(dǎo)電型SiC襯底”新產(chǎn)品發(fā)布會，預(yù)計項目明年量產(chǎn)。這一量產(chǎn)時間，緊跟全球步伐。SiC大規(guī)模上車，三原因成加速上車“推手
2022-12-27 15:05:47
Sic mesfet工藝技術(shù)研究與器件研究針對ＳｉＣ 襯底缺陷密度相對較高的問題，研究了消除或減弱其影響的工藝技術(shù)并進行了器件研制。通過優(yōu)化刻蝕條件獲得了粗糙度為２?０７ ｎｍ的刻蝕表面；犧牲氧化
2009-10-06 09:48:48
。 據(jù)了解，臺積電一方面決定快速投資設(shè)備廠——ASML，重金砸下新臺幣400億元，領(lǐng)先取得跨入18寸晶圓的門票，給競爭對手巨大壓力;另一方面，為了系統(tǒng)單晶片趨勢，也開始向下游封測業(yè)布局。 在智能手機銷量
2012-08-23 17:35:20
半導(dǎo)體廠產(chǎn)能利用率再拉高，去化不少硅晶圓存貨，加上庫存回補力道持續(xù)加強，業(yè)界指出，12吋硅晶圓第二季已供給吃緊，現(xiàn)貨價持續(xù)走高且累計漲幅已達1～2成之間，合約價亦見止跌回升，8吋及6吋硅晶圓現(xiàn)貨價同步
2020-06-30 09:56:29
采用厚度150μm的晶圓以維持2：1的縱橫比。 為了完成MOSFET功率放大器所需WLP封裝工藝的開發(fā)，藍鯨計劃聯(lián)盟的成員DEK和柏林工業(yè)大學(xué)開發(fā)出一種焊球粘植工藝，可在直徑為6英寸的晶圓上以500
2011-12-01 14:33:02
`晶圓切割目的是什么？晶圓切割機原理是什么？一.晶圓切割目的晶圓切割的目的，主要是要將晶圓上的每一顆晶粒（Die）加以切割分離。首先要將晶圓（Wafer）的背面貼上一層膠帶（Wafer Mount
2011-12-02 14:23:11
是在晶圓上制作電路及電子元件（如晶體管、電容、邏輯開關(guān)等），其處理程序通常與產(chǎn)品種類和所使用的技術(shù)有關(guān)，但一般基本步驟是先將晶圓適當(dāng)清洗，再在其表面進行氧化及化學(xué)氣相沉積，然后進行涂膜、曝光、顯影、蝕刻
2011-12-01 15:43:10
+ 4HNO3 + 6 HF? 3H2SiF6 +4 NO + 8H2O 拋光：機械研磨、化學(xué)作用使表面平坦，移除晶圓表面的缺陷八、晶圓測試主要分三類：功能測試、性能測試、抗老化測試。具體有如:接觸測試
2019-09-17 09:05:06
1965年在總結(jié)存儲器芯片的增長規(guī)律時(據(jù)說當(dāng)時在準(zhǔn)備一個講演)所使用的一份手稿。 “摩爾定律”通常是引用那些消息靈通人士的話來說就是：“在每一平方英寸硅晶圓上的晶體管數(shù)量每個12月番一番。”下面
2011-12-01 16:16:40
為什么有不同尺寸？N 奈米又代表什么?晶圓的尺寸指的是它的直徑大小，就跟蛋糕一樣。早期的技術(shù)只能做出 2～4 寸的晶圓，隨著技術(shù)進步，逐漸發(fā)展出 6 寸、8 寸、12 寸、18 寸，甚至 20 寸以上的晶圓
2022-09-06 16:54:23
晶圓是指硅半導(dǎo)體集成電路制作所用的硅晶片，由于其形狀為圓形，故稱為晶圓；在硅晶片上可加工制作成各種電路元件結(jié)構(gòu)，而成為有特定電性功能之IC產(chǎn)品。晶圓的原始材料是硅，而地殼表面有用之不竭的二氧化硅
2011-12-01 14:53:05
有人又將其稱為圓片級-芯片尺寸封裝（WLP-CSP），以晶圓圓片為加工對象，在晶圓上封裝芯片。晶圓封裝中最關(guān)鍵的工藝為晶圓鍵合，即是通過化學(xué)或物理的方法將兩片晶圓結(jié)合在一起，以達到密封效果。如下
2021-02-23 16:35:18
頭底部，即可量測拋光頭與晶圓接觸面的實時壓力分布狀況。因此可以在儀器操作配置時，可以平衡這些壓力，改善儀器的使用工況，降低不良率，提高產(chǎn)能。I-SCAN系統(tǒng)不僅能夠收集靜態(tài)的壓力資訊，還可以觀察壓力
2013-12-04 15:28:47
` 誰來闡述一下晶圓有什么用？`
2020-04-10 16:49:13
的硅晶粒，提高品質(zhì)與降低成本。所以這代表6寸、8寸、12寸晶圓當(dāng)中，12寸晶圓有較高的產(chǎn)能。當(dāng)然，生產(chǎn)晶圓的過程當(dāng)中，良品率是很重要的條件。`
2011-09-07 10:42:07
`晶圓的結(jié)構(gòu)是什么樣的？1 晶格：晶圓制程結(jié)束后，晶圓的表面會形成許多格狀物，成為晶格。經(jīng)過切割器切割后成所謂的晶片 2 分割線：晶圓表面的晶格與晶格之間預(yù)留給切割器所需的空白部分即為分割線 3
2011-12-01 15:30:07
細(xì)間距的晶圓級CSP時，將其當(dāng)做倒裝晶片并采用助焊劑浸蘸的方法進行組裝，以取代傳統(tǒng)的焊膏印刷組裝，如圖2所示，首先將晶圓級CSP浸蘸在設(shè)定厚度的助焊劑薄膜中，然后貼裝，再回流焊接，最后底部填充（如果有要求）。關(guān)于錫膏裝配和助焊劑裝配的優(yōu)缺點。圖1 工藝流程1——錫膏裝配圖2 工藝流程2——助焊劑裝配
2018-09-06 16:24:04
晶圓級CSP裝配回流焊接工藝控制，看完你就懂了
2021-04-25 06:28:40
； ·尺寸和位置精度受阻焊膜窗口的影響，不適合密間距元件的裝配。 NSMD焊盤的尺寸和位置不受阻焊膜窗口的影響，在焊盤和阻焊膜之間有一定空隙，如圖2和圖3所示。對于 密間距晶圓級CSP，印刷電路板上的焊盤
2018-09-06 16:32:27
lines，saw lines，streets，avenues)：在晶圓上用來分隔不同芯片之間的街區(qū)。街區(qū)通常是空白的，但有些公司在街區(qū)內(nèi)放置對準(zhǔn)靶，或測試的結(jié)構(gòu)。（3）工程試驗芯片
2020-02-18 13:21:38
，擁有備份電路的產(chǎn)品會與其在晶圓針測時所產(chǎn)生的測試結(jié)果數(shù)據(jù)一同送往雷射修補機中 ，這些數(shù)據(jù)包括不良品的位置，線路的配置等。雷射修補機的控制計算機可依這些數(shù)據(jù)，嘗試將晶圓中的不良品修復(fù)。 （3）加溫烘烤
2020-05-11 14:35:33
`159-5090-3918回收6寸晶圓，8寸晶圓，12寸晶圓，回收6寸晶圓，8寸晶圓，12寸晶圓，花籃,Film Fram Cassette,晶元載具Wafer shipper,二手晶元盒
2020-07-10 19:52:04
CY7C1370KV25-167AXC的晶圓尺寸（英寸）是多少？ 以上來自于百度翻譯 以下為原文What is the wafer size(inch) of CY7C1370KV25-167AXC?
2018-11-28 11:17:52
的透明晶棒，但由于純度不夠，雜質(zhì)較多，晶體存在晶格缺陷，位錯大于1000，造成外延加工時候鍍砷化鎵晶格位錯不準(zhǔn)，做出的芯片后LED不發(fā)光，或發(fā)光率低，造成下游客戶沒法用。進而后期進而退貨影響到晶棒的銷售
2011-12-20 10:03:56
公司在6英寸硅晶圓生產(chǎn)（2017年轉(zhuǎn)為8 英寸硅晶圓）領(lǐng)域的行業(yè)領(lǐng)先地位和與合作方的親密協(xié)作，進一步提高了生產(chǎn)能力并提供了產(chǎn)業(yè)必需的成本結(jié)構(gòu)，破除了氮化鎵技術(shù)在商業(yè)基站市場應(yīng)用中所面臨的障礙。生產(chǎn)
2017-08-30 10:51:37
的速度較慢，一旦大規(guī)模的商用化對供應(yīng)產(chǎn)能方面會跟不上。劉鑫指出，MACOM的GaN產(chǎn)品用Si做襯底，Wafer可以做的很大，目前在6到8英寸，未來可以做到10英寸、12英寸，整個晶圓的長度可以拉長至2米
2017-05-23 18:40:45
可以做得更大，成長周期更短。MACOM現(xiàn)在已經(jīng)在用8英寸晶圓生產(chǎn)氮化鎵器件，與很多仍然用4英寸設(shè)備生產(chǎn)碳化硅基氮化鎵的廠商不同。MACOM的氮化鎵技術(shù)用途廣泛，在雷達、軍事通信、無線和有線寬帶方面都有
2017-09-04 15:02:41
ST推出市場上首款集成擴展景深（EDoF）功能的1/4英寸光學(xué)格式3百萬像素Raw Bayer傳感器。意法半導(dǎo)體最新的影像傳感器可實現(xiàn)最小6.5 x 6.5mm的相機模塊，而且圖像銳利度
2018-12-04 15:05:50
寸晶圓線，發(fā)布了最新款的MM32F013X系列芯片。下面把芯片的概述發(fā)給大家看看：1.1 概述本產(chǎn)品使用高性能的 ARM? Cortex?-M0 為內(nèi)核的 32 位微控制器，最高工作頻率可達72MHz，內(nèi)置高速存儲器，豐富的增強型 I/O 端口和外設(shè)連接到外部總線。本產(chǎn)品包含1 個 12 位的 ADC、
2021-08-20 06:41:15
自秋季以來，8英寸晶圓代工產(chǎn)能緊缺，報價調(diào)漲，MCU、MOS，TDDI，閃存，面板等電子元器件進入了愈演愈烈的漲價模式。目前臺系臺積電、聯(lián)電、世界先進、力積電等晶圓代工廠第四季訂單已經(jīng)全滿，明年
2021-07-23 07:09:00
等方面的技術(shù)。7.9寸平板顯示屏有幾個技術(shù)選擇：一是A-Si技術(shù)（非晶硅（Amorphous Silicon）），二是LTPS（低溫多晶硅（low temperature poly-silicon
2013-03-01 15:03:26
：所謂顯示技術(shù)，指的是決定顯示屏輕薄度、亮度、節(jié)能性等方面的技術(shù)。7.9寸平板顯示屏有幾個技術(shù)選擇：一是A-Si技術(shù)（非晶硅（Amorphous Silicon）），二是LTPS（低溫多晶硅（low
2013-03-11 11:50:11
【六寸晶圓金屬化工藝主管】崗位職責(zé)：1、負(fù)責(zé)減少背金、鍍膜工序的工藝缺陷，改進工藝條件，維護工藝的穩(wěn)定性，提高成品率；2、提出并實現(xiàn)優(yōu)化工藝條件等方法，提高生產(chǎn)效率，保證產(chǎn)能需求；3、協(xié)助設(shè)備工程師
2016-10-08 09:55:38
問題。在完成的器件中，晶體缺陷會引起有害的電流漏出，可能阻止器件在正常電壓下工作。有四類重要的晶體缺陷：1.點缺陷；2.位錯；3.原生缺陷；4.雜質(zhì)。晶圓準(zhǔn)備晶體從單晶爐里出來以后，到最終的晶圓會經(jīng)
2018-07-04 16:46:41
半導(dǎo)體，必須符合下列錯位密度的要求：高電壓的耐受范圍在0.65~3.3 kV之間，單片的電流大于100 A，而制造良率要在90%（錯位缺陷要低，翹曲度要低）。第三個問題，晶圓價格高昂。如今，2英寸晶圓
2023-02-23 15:46:22
納米到底有多細(xì)微？什么晶圓？如何制造單晶的晶圓？
2021-06-08 07:06:42
` 晶圓是指硅半導(dǎo)體集成電路制作所用的硅晶片，由于其形狀為圓形，故稱為晶圓；在硅晶片上可加工制作成各種電路元件結(jié)構(gòu)，而成為有特定電性功能之IC產(chǎn)品。晶圓的原始材料是硅，而地殼表面有用之不竭的二氧化硅
2011-12-01 11:40:04
4.18）。電測器在電源的驅(qū)動下測試電路并記錄下結(jié)果。測試的數(shù)量、順序和類型由計算機程序控制。測試機是自動化的，所以在探針電測器與第一片晶圓對準(zhǔn)后（人工對準(zhǔn)或使用自動視覺系統(tǒng)）的測試工作無須操作員
2011-12-01 13:54:00
`晶圓級封裝(WLP)就是在其上已經(jīng)有某些電路微結(jié)構(gòu)（好比古董）的晶片（好比座墊）與另一塊經(jīng)腐蝕帶有空腔的晶片（好比玻璃罩）用化學(xué)鍵結(jié)合在一起。在這些電路微結(jié)構(gòu)體的上面就形成了一個帶有密閉空腔的保護
2011-12-01 13:58:36
半導(dǎo)體晶圓（晶片）的直徑為4到10英寸（10.16到25.4厘米）的圓盤，在制造過程中可承載非本征半導(dǎo)體。它們是正（P）型半導(dǎo)體或負(fù)（N）型半導(dǎo)體的臨時形式。硅晶片是非常常見的半導(dǎo)體晶片，因為硅
2021-07-23 08:11:27
1、為什么晶圓要做成圓的？如果做成矩形，不是更加不易產(chǎn)生浪費原料？2、為什么晶圓要多出一道研磨的工藝？為什么不能直接做成需求的厚度？
2014-01-20 15:58:42
國內(nèi)有這樣的生產(chǎn)企業(yè)，能做到在8英寸及更大直徑的晶圓上加工嗎？
2018-01-01 14:34:32
安森美半導(dǎo)體全球制造高級副總裁Mark Goranson最近訪問了Mountain Top廠，其8英寸晶圓廠正慶祝制造8英寸晶圓20周年。1997年，Mountain Top點開設(shè)了一個新建的8英寸
2018-10-25 08:57:58
翹曲度是實測平面在空間中的彎曲程度，以翹曲量來表示，比如絕對平面的翹曲度為0。計算翹曲平面在高度方向最遠的兩點距離為最大翹曲變形量。翹曲度計算公式：晶圓翹曲度影響著晶圓直接鍵合質(zhì)量，翹曲度越小，表面
2022-11-18 17:45:23
單晶的晶圓制造步驟是什么？
2021-06-08 06:58:26
surface imperfection on a wafer that can be distinguished individually.微坑 - 在擴散照明下可見的，晶圓片表面可區(qū)分的缺陷
2011-12-01 14:20:47
面對半導(dǎo)體硅晶圓市場供給日益吃緊，大廠都紛紛開始大動作出手搶貨了。前段時間存儲器大廠韓國三星亦到中國***地區(qū)擴充12寸硅晶圓產(chǎn)能，都希望能包下環(huán)球硅晶圓的部分生產(chǎn)線。難道只因半導(dǎo)體硅晶圓大廠環(huán)球晶
2017-06-14 11:34:20
、InP、GaAs、SiC等均有脆性。通過對晶圓邊緣進行倒角處理可將切割成的晶圓銳利邊修整成圓弧形,防止晶圓邊緣破裂及晶格缺陷產(chǎn)生,，增加晶圓邊緣表面的機械強度，減少顆粒污染。同時也可以避免和減少后面的工序
2019-09-17 16:41:44
招聘6/8吋晶圓測試工藝工程師/主管1名工作地點：無錫工資：面議要求：1. 工藝工程師：晶圓測試經(jīng)驗3年以上，工藝主管：晶圓測試經(jīng)驗5年以上；2. 精通分立器件類產(chǎn)品晶圓測試，熟悉IC晶圓測試尤佳
2017-04-26 15:07:57
`各位大大:手頭上有顆晶圓的log如下:能判斷它的出處嗎?非常感謝!!`
2013-08-26 13:45:30
求晶圓劃片或晶圓分撿裝盒合作加工廠聯(lián)系方式：QQ:2691003439
2019-03-13 22:23:17
看到了晶圓切割的一個流程，但是用什么工具切割晶圓？求大蝦指教啊 ？
2011-12-01 15:47:14
越大，代表著這座晶圓廠有較好的技術(shù)。另外還有scaling技術(shù)可以將電晶體與導(dǎo)線的尺寸縮小，這兩種方式都可以在一片晶圓上，制作出更多的硅晶粒，提高品質(zhì)與降低成本。所以這代表6寸、8寸、12寸晶圓當(dāng)中
2011-12-02 14:30:44
不同，MACOM氮化鎵工藝的襯底采用硅基。硅基氮化鎵器件具備了氮化鎵工藝能量密度高、可靠性高等優(yōu)點，Wafer可以做的很大，目前在8英寸，未來可以做到10英寸、12英寸，整個晶圓的長度可以拉長至2米
2017-08-29 11:21:41
的主流，但藍寶石襯底有散熱的問題，尺寸很難做到8-12寸，價格也比較貴，P面電流擴展差，對中國的LED產(chǎn)業(yè)發(fā)展也有很多現(xiàn)實的問題。 而硅襯底有一些優(yōu)勢，材料便宜，散熱系數(shù)好;難點就是有很高的缺陷密度
2014-01-24 16:08:55
、5英寸、6英寸、8英寸等規(guī)格,近來發(fā)展出12英寸甚至更大規(guī)格.晶圓越大,同一圓片上可生產(chǎn)的IC就多,可降低成本;但要求材料技術(shù)和生產(chǎn)技術(shù)更高。 前、后工序:IC制造過程中, 晶圓光刻的工藝(即所謂
2013-06-26 16:38:00
。 激光刻劃使得晶圓微裂紋以及微裂紋擴張大大減少， LED單體之間距離更近，這樣既提高了出產(chǎn)效率也提高了產(chǎn)能。一般來講，2英寸的晶圓可以分離出20,000個以上的LED單體器件，如此高的密度，因而切割
2011-12-01 11:48:46
請教，襯底的缺陷密度對結(jié)深有什么影響
2019-04-26 07:50:15
這個要根據(jù)die的大小和wafer的大小以及良率來決定的。目前業(yè)界所謂的6寸，12寸還是18寸晶圓其實就是晶圓直徑的簡稱，只不過這個吋是估算值。實際上的晶圓直徑是分為150mm，300mm以及450mm這三種，而12吋約等于305mm，為了稱呼方便所以稱之為12吋晶圓。
2018-06-13 14:30:58
12英寸晶圓片的外觀檢測方案？那類探針臺可以全自動解決12英寸晶圓片的外觀缺陷測試？ 本人郵箱chenjuhua@sidea.com.cn,謝謝
2019-08-27 05:56:09
集成電路(IC)常用基本概念有:晶圓,多指單晶硅圓片,由普通硅沙拉制提煉而成,是最常用的半導(dǎo)體材料,按其直徑分為4英寸、5英寸、6英寸、8英寸等規(guī)格,近來發(fā)展出12英寸甚至更大規(guī)格.晶圓越大,同一圓
2013-01-11 13:52:17
晶圓外延膜厚測試儀技術(shù)點：1.設(shè)備功能：? 自動膜厚測試機EFEM，搭配客戶OPTM測量頭,完成晶圓片自動上料、膜厚檢測、分揀下料；2.工作狀態(tài)：? 晶圓尺寸8/12 inch；? 晶圓材
2022-10-27 13:43:41
VIRTUAL AV-5000-MW8真空晶圓吸筆采用ADJUST-A-VAC? Elite精英型可調(diào)吸力電動泵，可產(chǎn)生10英寸汞柱真空，根據(jù)被吸物體薄厚脆弱程度轉(zhuǎn)動旋鈕調(diào)節(jié)吸力大小避免破碎，能安全
2022-11-22 10:35:05
VIRTUAL WAFER-VAC? ELITE精英型WVE-9000-MW8電動真空吸筆具有條形圖顯示真空度提示安全轉(zhuǎn)移操作，配套VMWT-C 8寸PEEK吸筆頭，可牢牢抓住Wafer晶圓硅片
2022-11-22 10:51:08
晶圓測溫系統(tǒng)，晶圓測溫?zé)犭娕迹?b class="flag-6" style="color: red">晶圓測溫裝置一、引言隨著半導(dǎo)體技術(shù)的不斷發(fā)展，晶圓制造工藝對溫度控制的要求越來越高。熱電偶作為一種常用的溫度測量設(shè)備，在晶圓制造中具有重要的應(yīng)用價值。本文
2023-06-30 14:57:40
晶圓測溫系統(tǒng)tc wafer晶圓表面溫度均勻性測溫晶圓表面溫度均勻性測試的重要性及方法 在半導(dǎo)體制造過程中，晶圓的表面溫度均勻性是一個重要的參數(shù)
2023-12-04 11:36:42
WD4000無圖晶圓幾何形貌測量系統(tǒng)是通過非接觸測量，將晶圓的三維形貌進行重建，強大的測量分析軟件穩(wěn)定計算晶圓厚度，TTV，BOW、WARP、在高效測量測同時有效防止晶圓產(chǎn)生劃痕缺陷。可兼容不同材質(zhì)
2024-02-21 13:50:34
WD4000國產(chǎn)晶圓幾何形貌量測設(shè)備通過非接觸測量，將晶圓的三維形貌進行重建，強大的測量分析軟件穩(wěn)定計算晶圓厚度，TTV、BOW、WARP、在高效測量測同時有效防止晶圓產(chǎn)生劃痕缺陷。可實現(xiàn)砷化鎵
2024-03-15 09:22:08
日本關(guān)西學(xué)院大學(xué)和豐田通商于3月1日宣布，他們已開發(fā)出“動態(tài)AGE-ing”技術(shù)，這是一種表面納米控制工藝技術(shù)，可以消除使SiC襯底上的半導(dǎo)體性能變差的缺陷。
2021-03-06 10:20:083028 電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/梁浩斌）“碳化硅行業(yè)得襯底者得天下”，襯底作為SiC產(chǎn)業(yè)鏈中成本占比最大的部分，自然是各家必爭之地。在下游需求帶動下，SiC襯底正在從6英寸開始向8英寸推進，更大的襯底尺寸
2022-11-23 07:20:031487 使用物理氣相傳輸法（PVT）制備出直徑 209 mm 的 4H-SiC 單晶，并通過多線切割、研磨和拋光等一系列加工工藝制備出標(biāo)準(zhǔn) 8 英寸 SiC 單晶襯底。使用拉曼光譜儀、高分辨 X-射線衍射
2022-12-20 11:35:501698 本實驗通過以自主研發(fā)的由c軸偏向<11-20>方向4°的6英寸4H-SiC襯底作為籽晶和擴徑生長的起始點，采用物理氣相傳輸(physical vapor transport, PVT)法進行擴徑生長獲得直徑放大的SiC單晶。
2023-01-17 14:10:101194 研究機構(gòu)TECHCET日前預(yù)測，盡管全球經(jīng)濟普遍放緩，但2023年SiC襯底市場將持續(xù)強勁增長。
2023-06-08 10:12:34436 
目前，許多企業(yè)在SiC MOSFET的批量化制造生產(chǎn)方面遇到了難題，其中如何降低SiC/SiO?界面缺陷是最令人頭疼的問題。
2023-06-13 16:48:17376 
從實際情況上看，目前多數(shù)SiC都采用的4英寸、6英寸晶圓進行生產(chǎn)，而6英寸和8英寸的可用面積大約相差1.78倍，這也就意味著8英寸制造將會在很大程度上降低SiC的應(yīng)用成本。但為什么目前市場上主流還是6英寸碳化硅襯底？
2023-06-20 15:01:24765 
科友半導(dǎo)體突破了8英寸SiC量產(chǎn)關(guān)鍵技術(shù)，在晶體尺寸、厚度、缺陷控制、生長速率、制備成本、及裝備穩(wěn)定性等方面取得可喜成績。2023年4月，科友半導(dǎo)體8英寸SiC中試線正式貫通并進入中試線生產(chǎn)，打破了國際在寬禁帶半導(dǎo)體關(guān)鍵材料的限制和封鎖。
2023-06-25 14:47:29342 SiC襯底，產(chǎn)業(yè)瓶頸亟待突破
2023-01-13 09:06:23
3 去年7月，超芯星6英寸SiC襯底進入美國一流器件廠商，由此成功打入美國市場；同年，超芯星成功研制出8英寸SiC襯底；今年7月，超芯星在官微宣布，公司已與國內(nèi)知名下游客戶簽訂了8英寸SiC深度戰(zhàn)略合作協(xié)議。為滿足國內(nèi)外市場需求，超芯星計劃將6-8英寸SiC襯底的年產(chǎn)量提升至150萬片。
2023-12-15 17:16:161131 近年來，隨著碳化硅（SiC）襯底需求的持續(xù)激增，降低SiC成本的呼聲日益強烈，最終產(chǎn)品價格仍然是消費者的關(guān)鍵決定因素。SiC襯底的成本在整個成本結(jié)構(gòu)中占比最高，達到50%左右。
2024-03-08 14:24:32197 
SiC晶圓廠，也意味著8英寸襯底正式拉開量產(chǎn)大幕。 ? 那么8英寸襯底有哪些優(yōu)點以及技術(shù)難點，目前國內(nèi)廠商的進度又如何？近期包括天科合達、爍科晶體等廠商以及產(chǎn)業(yè)人士都分享了一些最新觀點。 ? 8 英寸碳化硅襯底的必要性 ? 正如硅基芯片所用到的
2023-06-22 00:16:002283 
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