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標(biāo)簽 > 碳化硅
金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物,莫桑石。
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**氮化鎵**晶體管和**碳化硅** MOSFET是近兩三年來新興的功率半導(dǎo)體,相比于傳統(tǒng)的硅材料功率半導(dǎo)體,他們都具有許多非常優(yōu)異的特性:耐壓高,導(dǎo)通...
什么是800V高壓架構(gòu)?800V高壓架構(gòu)的多種方案
越來越多的車企向800V高壓平臺進(jìn)軍。那么800V高壓僅僅是指快充系統(tǒng)么?它到底為何能成為車企技術(shù)中的“香餑餑”?400V和800V的電動車在用車體驗(yàn)上...
引言 碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)是兩種具有重要應(yīng)用前景的第三代半導(dǎo)體材料。它們具有高熱導(dǎo)率、高電子遷移率、高擊穿場強(qiáng)等優(yōu)異的物理化學(xué)性質(zhì),被廣泛...
2024-09-02 標(biāo)簽:電子器件半導(dǎo)體材料氮化鎵 2254 0
碳化硅單晶襯底加工技術(shù)現(xiàn)狀及發(fā)展趨勢
摘 要: 碳化硅單晶具有極高的硬度和脆性,傳統(tǒng)加工方式已經(jīng)不能有效地獲得具有超高光滑表面的碳化硅晶片。針對碳化硅單晶襯底加工技術(shù),本文綜述了碳化硅單晶切...
在半導(dǎo)體技術(shù)的不斷演進(jìn)中,功率半導(dǎo)體器件作為電力電子系統(tǒng)的核心組件,其性能與成本直接影響著整個系統(tǒng)的效率與可靠性。碳化硅(SiC)功率模塊與硅基絕緣柵雙...
2025-04-02 標(biāo)簽:IGBT芯片封裝功率半導(dǎo)體 2219 0
碳化硅(SiC),又名碳化硅,是一種硅和碳化合物。其材料特性使SiC器件具有高阻斷電壓能力和低比導(dǎo)通電阻。
2023-12-12 標(biāo)簽:MOSFET電源轉(zhuǎn)換器肖特基二極管 2215 0
高效率當(dāng)然是一個優(yōu)點(diǎn),但有時“高”的說法并不準(zhǔn)確,例如:家用電子設(shè)備散發(fā)出“較高”的熱量,可以減輕您的中央供暖工作在寒冷氣候中的工作量,或許能從能源使用...
碳化硅和IGBT器件的應(yīng)用前景和發(fā)展趨勢
本文探討了碳化硅和IGBT器件在未來的應(yīng)用前景和發(fā)展趨勢,以及如何通過技術(shù)創(chuàng)新和優(yōu)化來滿足不同應(yīng)用的需求。其中,英飛凌作為國際品牌的代表,其第四代產(chǎn)品已...
第三代半導(dǎo)體功率器件在汽車行業(yè)的應(yīng)用
碳化硅具備耐高壓、耐高溫、高頻、抗輻射等優(yōu)良電氣特性,它突破硅基半導(dǎo)體材料物理限制,成為第三代半導(dǎo)體核心材料。碳化硅材料性能優(yōu)勢引領(lǐng)功率器件新變革。
碳化硅逆變器是一種基于碳化硅(SiC)半導(dǎo)體材料的功率電子設(shè)備,主要用于將直流電轉(zhuǎn)換為交流電。與傳統(tǒng)的硅基功率器件相比,碳化硅逆變器具有許多優(yōu)越性能,如...
工程師兩難之氮化鎵GaN還是碳化硅SiC?到底該pick誰?
作為第三代功率半導(dǎo)體的絕代雙驕,氮化鎵晶體管和碳化硅MOSFET日益引起工業(yè)界,特別是電氣工程師的重視。之所以電氣工程師如此重視這兩種功率半導(dǎo)體,是因?yàn)?..
碳化硅MOSFET在新能源行業(yè)有怎樣的應(yīng)用和發(fā)展
在碳化硅電力電子器件的研究中,SiC-MOSFET是最受關(guān)注的器件。在Si材料接近理論性能極限的今天,SiC功率器件由于具有耐壓高、損耗低、效率高等特點(diǎn)...
碳化硅是一種半導(dǎo)體材料,它具有優(yōu)異的電子特性,可以用于制造電子器件。它是由碳原子和硅原子組成的,具有高熔點(diǎn)、高熱穩(wěn)定性和高電阻率等特性。
2023-02-14 標(biāo)簽:電子器件半導(dǎo)體材料碳化硅 2129 0
車載充電機(jī)OBC(On-Board Charger)屬于安裝在新能源電動車內(nèi)的零部件,它將交流充電樁輸出的交流電轉(zhuǎn)化為高壓直流電,給整車高壓動力電池充電。
2023-09-21 標(biāo)簽:英飛凌功率半導(dǎo)體碳化硅 2117 0
碳化硅襯底市場群雄逐鹿 碳化硅襯底制備環(huán)節(jié)流程
全球碳化硅產(chǎn)業(yè)呈現(xiàn)明顯的行業(yè)上下游收購兼并、大廠積極布局的特征。襯底作為碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈中的核心環(huán)節(jié),已成為兵家必爭之地。
2023-03-23 標(biāo)簽:晶體碳化硅第三代半導(dǎo)體 2116 0
碳化硅為何備受廠商青睞?安森美半導(dǎo)體碳化硅側(cè)重的4大重點(diǎn)
01?年輕就要“燃”起來 輕薄便攜就是它
2020-09-11 標(biāo)簽:逆變器安森美半導(dǎo)體碳化硅 2115 0
SiC(碳化硅)是一種由硅(Si)和碳(C)組成的化合物半導(dǎo)體材料。表1-1顯示了每種半導(dǎo)體材料的電氣特性。SiC具有優(yōu)異的介電擊穿場強(qiáng)(擊穿場)和帶隙...
以碳化硅(silicon carbide,SiC)為代表的寬禁帶半導(dǎo)體器件,受到了廣泛的關(guān)注。SiC中存在各種多型體(結(jié)晶多系),它們的物性值也各不相...
2023-02-04 標(biāo)簽:SiC碳化硅寬禁帶半導(dǎo)體 2106 0
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