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標簽 > 碳化硅
金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物,莫桑石。
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SiC(碳化硅)是由硅和碳化物組成的化合物半導體。與硅相比,SiC具有許多優(yōu)勢,包括10倍的擊穿電場強度,3倍的帶隙,以及實現(xiàn)器件結(jié)構(gòu)所需的更廣泛的p型...
光伏發(fā)電是SiC器件除新能源汽車領域外的第二大應用領域。光伏逆變器作為光伏電站的轉(zhuǎn)換設備,主要作用是將太陽電池組件產(chǎn)生的直流電轉(zhuǎn)化為交流電。隨著光伏產(chǎn)業(yè)...
森國科650V超結(jié)MOSFET系列產(chǎn)品的性能指標
繼先后推出成熟化的全系列碳化硅二極管、碳化硅MOSFET以及碳化硅模塊產(chǎn)品后,2023年7月 森國科正式對外推出650V超結(jié)MOSFET系列新品 ,相較...
SiC的導熱性比Si好近3.5倍,使其每單位面積可以耗散更多的功率(熱量)。雖然封裝可能是連續(xù)運行期間的限制因素,但SiC提供的顯著額外裕量為易受瞬態(tài)熱...
2023-10-12 標簽:二極管功率轉(zhuǎn)換器碳化硅 1782 0
碳化硅肖特基二極管是一種基于碳化硅材料的半導體器件,具有高速、高溫、高功率特性。其原理基于肖特基效應,即在金屬與半導體接觸處形成一個肖特基勢壘,使得半導...
電子器件的使用環(huán)境逐漸惡劣,航空航天、石油探測領域前景廣闊,在熱導率、擊穿場等上的要求更高,那么以碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)為主的第三代半導體材...
Si/SiC和GaN HEMT器件的結(jié)構(gòu)比較!
碳化硅(SiC)技術(shù)改進了各種應用中的多個系統(tǒng)和子系統(tǒng)組件。與硅相比,碳化硅通過更快的開關、在整個溫度范圍內(nèi)的平坦RDS(on)和更好的體二極管性能表現(xiàn)...
碳化硅的主要特性是什么?為什么碳化硅在高頻下的性能優(yōu)于IGBT?
碳化硅(SiC)是一種由硅(Si)和碳(C)組成的半導體化合物,屬于寬帶隙(WBG)材料家族。
安森美解讀SiC制造都有哪些挑戰(zhàn)?粉末純度、SiC晶錠一致性
硅通常是半導體技術(shù)的基石。然而,硅也有局限性,尤其在電力電子領域,設計人員面臨著越來越多的新難題。解決硅局限性的一種方法是使用寬禁帶半導體。 本文為白皮...
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