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標(biāo)簽 > 氮化鎵
氮化鎵，分子式GaN，英文名稱Gallium nitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導(dǎo)體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。
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針對工業(yè)和可再生能源應(yīng)用推出采用緊湊型SMD封裝CCPAK的GaN FET
GAN039-650NTB 是一款 33 mΩ（典型值）的氮化鎵場效應(yīng)管，采用 CCPAK1212i 頂部散熱封裝技術(shù)，開創(chuàng)了寬禁帶半導(dǎo)體和銅夾片封裝相...
2023-12-24 標(biāo)簽：場效應(yīng)管FET氮化鎵 993 0
國產(chǎn)鋰電化成分容設(shè)備在海外市場滲透率將上升
隨著越來越多的中國設(shè)備企業(yè)在歐美地區(qū)設(shè)立分部或基地，國產(chǎn)鋰電化成分容設(shè)備在海外市場滲透率將上升。
氮化鎵（GaN）晶體管在工作過程中產(chǎn)生的熱量和由此引起的溫升會導(dǎo)致性能下降并縮短器件的壽命，因此亟需開發(fā)有效的散熱方法。
2023年半導(dǎo)體企業(yè)相關(guān)收購案有哪些？
2023年，半導(dǎo)體市場的逆風(fēng)周期仍未過去，企業(yè)收并購的腳步卻不曾停歇。根據(jù)公開的信息，《中國電子報》記者梳理了23樁半導(dǎo)體領(lǐng)域的國際收并購案例，發(fā)現(xiàn)20...
國星光電聚焦SiC及GaN創(chuàng)新應(yīng)用持續(xù)發(fā)力
近日，國星光電作為A級單位參編發(fā)布的《2023碳化硅（SiC）產(chǎn)業(yè)調(diào)研白皮書》和《2023氮化鎵（GaN）產(chǎn)業(yè)調(diào)研白皮書》在行家說2023碳化硅&...
金剛石/氮化鎵薄膜生長工藝與熱物性表征領(lǐng)域研究進展
氮化鎵高電子遷移率晶體管(HEMTs)因其優(yōu)異的大功率高頻性能在大功率射頻器件領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景。
霍爾元件的工作原理及其在低速測量中的應(yīng)用? 霍爾元件是一種常用的物理傳感器，可以測量磁場的強度和方向。它是通過霍爾效應(yīng)來工作的，霍爾效應(yīng)是指在導(dǎo)電材料中...
Sumitomo射頻應(yīng)用氮化鎵 (GaN) 器件該怎么選？
氮化鎵器件用于通信基礎(chǔ)設(shè)施、雷達(dá)系統(tǒng)、衛(wèi)星通信、點對點無線電和其他應(yīng)用。
高功率快充在近幾年成為了充電市場的當(dāng)紅炸子雞。前段時間小米推出的新款氮化鎵快速充電器更是引爆了快充小型化的潮流。 通過選用 高功率體積小的氮化鎵芯片，搭...
2025年全球Micro LED市場規(guī)模將達(dá)35億美元
Micro LED市場空間有望進一步打開。
2023-12-15 標(biāo)簽：半導(dǎo)體LED技術(shù)LED芯片 1886 0
意法半導(dǎo)體推出下一代集成化氮化鎵(GaN)電橋芯片
2023年12月15日，中國-意法半導(dǎo)體的MasterGaN1L和MasterGaN4L氮化鎵系列產(chǎn)品推出了下一代集成化氮化鎵(GaN)電橋芯片，利用寬...
2023-12-15 標(biāo)簽：轉(zhuǎn)換器意法半導(dǎo)體晶體管 1202 0
在最近的IEDM大會上，英特爾表示，已將 CMOS 硅晶體管與氮化鎵 (GaN) 功率晶體管集成，用于高度集成的48V設(shè)備。
蘇州長光華芯化合物半導(dǎo)體光電子平臺新建項目奠基儀式啟動
據(jù)悉，本項目計劃在2025年實現(xiàn)竣工并投入運營。它是省級重點項目，旨在建立高端的化合物半導(dǎo)體光電子研發(fā)制造平臺，形成涵蓋氮化鎵、砷化鎵、磷化銦等多種材料...
先前，Nothing Phone憑借著透明后蓋機身+LED燈帶設(shè)計，引起廣泛熱議吸引了不少的熱度。
?GaN半導(dǎo)體技術(shù)及其在電子領(lǐng)域的前景
當(dāng)前各種氮化鎵技術(shù)正在加速向200mm過渡，以期降低生產(chǎn)成本，使氮化鎵寬禁帶功率半導(dǎo)體技術(shù)在混合型和全電動汽車、消費電子產(chǎn)品、智能手機以及其他產(chǎn)品的制造...
羅姆、東芝聯(lián)合宣布將共同生產(chǎn)功率半導(dǎo)體
羅姆、東芝近日聯(lián)合宣布，雙方將于功率半導(dǎo)體事業(yè)進行合作，共同生產(chǎn)功率半導(dǎo)體。
GaN和相關(guān)合金由于其優(yōu)異的特性以及大的帶隙、高的擊穿電場和高的電子飽和速度而成為有吸引力的材料之一，與優(yōu)化工藝過程相關(guān)的成熟材料是有源/無源射頻光電子...
據(jù)晶湛半導(dǎo)體消息，晶湛半導(dǎo)體業(yè)界公認(rèn)的硅氮化鎵（e -on-si）外延技術(shù)開拓者程凱博士將于2012年3月回國創(chuàng)業(yè)。國際先進的氮化鎵外延材料開發(fā)和產(chǎn)業(yè)化基地
基于HVPE的氮化鎵單晶襯底設(shè)備與工藝技術(shù)
第三代半導(dǎo)體，具有寬禁帶、高擊穿電場、高飽和電子速度、高熱導(dǎo)率、高電子密度、高遷移率、良好的化學(xué)穩(wěn)定性等特點，被業(yè)內(nèi)譽為固態(tài)光源、電力電子、微波射頻器件...
Si基GaN器件及系統(tǒng)研究與產(chǎn)業(yè)前景
氮化鎵具有優(yōu)異的材料特性，例如寬帶隙、高擊穿場強和高功率密度等。氮化鎵器件在高頻率、高效率、高功率等應(yīng)用中具有廣闊的應(yīng)用前景。
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