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標(biāo)簽 > 氮化鎵
氮化鎵,分子式GaN,英文名稱(chēng)Gallium nitride,是氮和鎵的化合物,是一種直接能隙(direct bandgap)的半導(dǎo)體,自1990年起常用在發(fā)光二極管中。
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過(guò)去兩年中,氮化鎵雖然發(fā)展迅速,但似乎已經(jīng)遇到了瓶頸。與此同時(shí),不少垂直氮化鎵的初創(chuàng)企業(yè)倒閉或者賣(mài)盤(pán),這引發(fā)大家對(duì)垂直氮化鎵未來(lái)的擔(dān)憂。為此,在本文中,...
自打百瓦快充大戰(zhàn)興起,充電器的功率密度不斷提升,氮化鎵和碳化硅第三代半導(dǎo)體的加入,使得PD快充可以做更小體積,縱使是百瓦也能做成一個(gè)非常小的尺寸。 ...
三菱電機(jī)開(kāi)發(fā)出首款可覆蓋3400MHz頻段的氮化鎵(GaN)功率放大器
News Releases 三菱電機(jī)采用單個(gè)GaN功率放大器實(shí)現(xiàn)4G、5G及Beyond 5G/6G通信系統(tǒng)寬帶運(yùn)行 將有助于實(shí)現(xiàn)無(wú)線電單元共享和基站節(jié)...
“TPY-X”雷達(dá)的分布式數(shù)字架構(gòu)設(shè)計(jì)方案
當(dāng)受到戰(zhàn)術(shù)機(jī)動(dòng)性和極端操作環(huán)境的限制時(shí),有效平衡性能、基本功率、重量、散熱和成本的解決方案。這款可旋轉(zhuǎn)有源電子掃描陣列(AESA)融合了氮化鎵(GaN)...
X射線衍射法是根據(jù)X射線衍射原理來(lái)精確測(cè)定物質(zhì)的晶體結(jié)構(gòu)和應(yīng)力的檢測(cè)方法,測(cè)試方法簡(jiǎn)單、方便、測(cè)試結(jié)果準(zhǔn)確,可以準(zhǔn)確判斷材料結(jié)晶質(zhì)量好壞,因此是一種非常...
鑒于氮化鎵 (GaN) 場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (FET) 能夠提高效率并縮小電源尺寸,其采用率正在迅速提高。但在投資這項(xiàng)技術(shù)之前,您可能仍然會(huì)好奇GaN 是否具...
干貨分享|高功率氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管:高性能、高效率、高可靠性(上)
Nexperia(安世半導(dǎo)體)的高功率氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管,共將分為(上)(下)兩期,包含其工藝、性能優(yōu)勢(shì)、產(chǎn)品及封裝等內(nèi)容。本期將先介紹 Nexperi...
在現(xiàn)代汽車(chē)中,增加的重量和更寬的前輪胎使無(wú)輔助轉(zhuǎn)向變得不切實(shí)際,因?yàn)閷?duì)操作員的阻力增加。因此,幾年前,采用了電動(dòng)助力轉(zhuǎn)向。一開(kāi)始,對(duì)駕駛員的輔助是通過(guò)液...
歐司朗新制造技術(shù)有望大幅降低LED生產(chǎn)成本
據(jù)物理學(xué)家組織網(wǎng)近日?qǐng)?bào)道,一種新的制造技術(shù)有望大幅降低發(fā)光二極管(LED)的生產(chǎn)成本,進(jìn)一步推動(dòng)其普及進(jìn)程。
2012-05-31 標(biāo)簽:歐司朗氮化鎵藍(lán)寶石襯底 1074 0
氮化鎵(GaN)功率IC在電機(jī)逆變器中的應(yīng)用: 優(yōu)勢(shì)、實(shí)際應(yīng)用案例、設(shè)計(jì)考量
介紹了氮化鎵(GaN)功率IC在電機(jī)逆變器中的應(yīng)用,對(duì)比傳統(tǒng)硅基解決方案,闡述了其優(yōu)勢(shì)、實(shí)際應(yīng)用案例、設(shè)計(jì)考量及結(jié)論。 *附件:Driving-Elec...
第三代半導(dǎo)體材料擁有硅材料無(wú)法比擬的材料性能優(yōu)勢(shì),從決定器件性能的禁帶寬度、熱導(dǎo)率、擊穿電場(chǎng)等特性來(lái)看,第三代半導(dǎo)體均比硅材料優(yōu)秀,因此,第3代半導(dǎo)體的...
氮化鎵晶體管顯然對(duì)高速、高性能MOSFET器件構(gòu)成了非常嚴(yán)重的威脅。氮化鎵上硅(GaN on Si)晶體管預(yù)計(jì)的低成本,甚至還有可能使IGBT器件取代它...
氮化鎵基Micro LED新突破可實(shí)現(xiàn)更高顯示分辨率與調(diào)制速率
氮化鎵(GaN)基Micro LED由于在新一代顯示技術(shù)、高速可見(jiàn)光通信等方面有著廣泛的應(yīng)用前景,吸引了眾多研究者的關(guān)注。相比于常規(guī)尺寸LED,Micr...
目前市場(chǎng)已推出多種快充技術(shù)方案。其中PD方案的出現(xiàn),助力推動(dòng)了快充產(chǎn)品的普及。在快速充電器中,變壓器為最重要元件,而氮化鎵則是不容忽視的重要材料。氮化鎵...
雷達(dá)的常見(jiàn)分類(lèi)方法及發(fā)展趨勢(shì)
GaN技術(shù)可以提高雷達(dá)的性能和適用性,但也需要更多的測(cè)試和優(yōu)化,在雷達(dá)中的應(yīng)用有以下優(yōu)勢(shì)和劣勢(shì): 優(yōu)勢(shì): GaN提供更高的功率水平和更強(qiáng)的魯棒性,可以提...
幾個(gè)氮化鎵GaN驅(qū)動(dòng)器PCB設(shè)計(jì)必須掌握的要點(diǎn)
NCP51820 是一款 650 V、高速、半橋驅(qū)動(dòng)器,能夠以高達(dá) 200 V/ns 的 dV/dt 速率驅(qū)動(dòng)氮化鎵(以下簡(jiǎn)稱(chēng)“GaN”)功率開(kāi)關(guān)。之前...
2023-04-03 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器PCB設(shè)計(jì)氮化鎵 1039 0
淺談第三代半導(dǎo)體的氮化鎵性能優(yōu)勢(shì)
新型電子器件 GaN 材料系列具有低的熱產(chǎn)生率和高的擊穿電場(chǎng),是研制高溫大功率電子器件和高頻微波器件的重要材料。目前,隨著 MBE 技術(shù)在 GaN 材料...
什么是氮化鎵半導(dǎo)體 氮化鎵半導(dǎo)體在產(chǎn)品上的具體應(yīng)用
氮化鎵元件一個(gè)很大的優(yōu)勢(shì)在于它極快的開(kāi)關(guān)速度,它的柵極電容和輸出電容比硅基MOSFET小的多,同時(shí)由于沒(méi)有體二極管pn結(jié),因此在硬開(kāi)關(guān)中,沒(méi)有相關(guān)的反向...
2023-06-08 標(biāo)簽:功率器件氮化鎵無(wú)刷直流電機(jī) 1035 0
氮化鎵能實(shí)現(xiàn)多強(qiáng)大的性能
氮化鎵(GaN)是電力電子行業(yè)的一個(gè)熱門(mén)話題,因?yàn)樗梢詫?shí)現(xiàn)80Plus鈦電源、3.8 kW/L電動(dòng)汽車(chē)(EV)車(chē)載充電器和電動(dòng)汽車(chē)(EV)充電站等設(shè)計(jì)...
2023-10-13 標(biāo)簽:芯片驅(qū)動(dòng)器FET 1031 0
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