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      標簽　>　氧化鎵

      氧化鎵

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      文章：83個 瀏覽：10611次 帖子：1個

      氧化鎵資訊

      日本研發出氧化鎵的低成本制法

      這種作方法屬于“有機金屬化學氣相沉積（MOCVD）法”，通過在密閉裝置內充滿氣體狀原料，在基板上制造出氧化鎵的晶體。該方法與現有的“氫化物氣相外延（HV...

      2023-10-12 標簽：晶體功率半導體氧化鎵 1306 0

      深紫外透明導電Si摻雜氧化鎵異質外延薄膜研究

      深紫外透明導電Si摻雜氧化鎵異質外延薄膜研究

      近年來，氧化鎵（Ga2O3）半導體受到世界各國科研和產業界的普遍關注。氧化鎵具有4.9 eV的超寬禁帶，高于第三代半導體碳化硅（SiC）的3.2 eV和...

      2023-09-11 標簽：新能源汽車光電探測器碳化硅 1051 0

      功率半導體器件 氧化鎵市場正在穩步擴大

      功率半導體器件 氧化鎵市場正在穩步擴大

      調查結果顯示，SiC、GaN（氮化鎵）等寬帶隙半導體單晶主要用于功率半導體器件，市場正在穩步擴大。

      2023-09-04 標簽：ledSiC氮化鎵 962 0

      三菱電機入局氧化鎵，加速氧化鎵功率器件走向商用

      三菱電機入局氧化鎵，加速氧化鎵功率器件走向商用

      三菱電機公司近日宣布，它已入股Novel Crystal Technology, Inc.——一家開發和銷售氧化鎵晶圓的日本公司，氧化鎵晶圓是一個很有前...

      2023-08-08 標簽：MOS管肖特基二極管碳化硅 735 0

      面向氧化鎵功率器件的大尺寸氧化鎵單晶材料技術介紹

      近日，“2023功率與光電半導體器件設計及集成應用論壇”于西安召開。論壇由第三代半導體產業技術創新戰略聯盟（CASA）指導，西安交通大學、極智半導體產業...

      2023-08-04 標簽：MOSFETSBDSiC 967 0

      IDM龍頭降價！晶圓代工大廠最新解讀

      近日，北京鎵和半導體有限公司（以下簡稱“鎵和半導體”）正式宣布完成六千五百萬元A輪融資，由凱石資本領投，海通證券、正為資本、盈添投資跟投。

      2023-08-02 標簽：半導體晶圓IDM 1278 0

      三菱電機加速開發高性能低損耗氧化鎵功率半導體

      三菱電機集團近日（2023年7月28日）宣布，已投資日本氧化鎵晶圓開發和銷售企業Novel Crystal Technology，今后將加快研究開發高性...

      2023-08-02 標簽：晶圓三菱電機功率半導體 1325 0

      外交部回應公布對鎵鍺出口管制

      外交部回應公布對鎵鍺出口管制 突發，中國商務部正式宣布將在8月1日起，對鎵、鍺等半導體關鍵原材料實施出口管制。對此我國外交部回應公布對鎵鍺出口管制是中方...

      2023-07-04 標簽：半導體氮化鎵光刻機 2171 0

      廈門大學張洪良團隊在氧化鎵半導體帶隙工程和日盲紫外光電探測器研究取得進展

      廈門大學張洪良團隊在氧化鎵半導體帶隙工程和日盲紫外光電探測器研究取得進展

      另一方面，作者也通過高分辨X射線光電子能譜與密度泛函理論（DFT）計算對(AlxGa1-x)2O3的電子結構進行了深入的研究，并從電子結構和能帶的角度分...

      2023-07-04 標簽：半導體光電探測器氧化鎵 1812 0

      一種具有低反向導通損耗的氧化鎵縱向FinFET

      一種具有低反向導通損耗的氧化鎵縱向FinFET

      由于Fin溝道的夾斷作用，可以采用歐姆接觸陽極替代肖特基接觸，形成無結二極管。因此，在反向續流時，無結的FD實現極低的反向導通電壓（Von）。

      2023-06-16 標簽：二極管氧化鎵 508 0

      中國領跑第四代半導體材料，氧化鎵專利居全球首位

      中國領跑第四代半導體材料，氧化鎵專利居全球首位

      電子發燒友網報道（文/李寧遠）半導體材料的突破一直是推動半導體行業發展的一大助力，為了滿足日益多元化的芯片需求，半導體材料從以硅、鍺為代表的第一代半導體...

      2023-04-02 標簽：半導體材料氧化鎵第四代半導體 8120 0

      碳化硅：最近比較煩！

      碳化硅材料能夠把器件體積做的越來越小，性能越來越好，所以近年來電動汽車廠商都對它青睞有加，使其成為HEV電力驅動裝置中的理想器件，可以顯著減小電力電子驅...

      2023-03-30 標簽：功率器件碳化硅氧化鎵 829 0

      第四代半導體制備連獲突破，氧化鎵將與碳化硅直接競爭？

      此外，氧化鎵的導通特性約為碳化硅的10倍，理論擊穿場強約為碳化硅3倍多，可以有效降低新能源汽車、軌道交通、可再生能源發電等領域在能源方面的消耗。數據顯示...

      2023-03-20 標簽：新能源汽車碳化硅氧化鎵 1373 0

      西安郵電大學在8寸硅片氧化鎵外延片取得重要進展

      氧化鎵是一種超寬禁帶半導體材料，具有優異的耐高壓與日盲紫外光響應特性，在功率器件和光電領域應用潛力巨大。

      2023-03-13 標簽：功率器件硅片外延片 768 0

      談談熱門的氧化鎵

      談談熱門的氧化鎵

      高效的超高壓功率轉換設備(電壓>20kv)需要比硅的能隙大得多的半導體。寬帶隙(WBG)半導體碳化硅(SiC)已經成熟成為電力電子的商業技術平臺，...

      2022-12-28 標簽：半導體氧化鎵 726 0

      國內氧化鎵半導體又有新進展，距離量產還有多遠？

      電子發燒友網報道（文/梁浩斌）在以碳化硅和氮化鎵為主的第三代半導體之后，氧化鎵被視為是下一代半導體的最佳材料之一。氧化鎵具有多種同分異構體，其中β-Ga...

      2022-12-28 標簽：氧化鎵 2345 0

      國產氧化鎵研究，取得新進展

      如何開發出有效的邊緣終端結構，緩解肖特基電極邊緣電場是目前氧化鎵肖特基二極管研究的熱點。由于氧化鎵P型摻雜目前尚未解決，PN結相關的邊緣終端結構一直是難點。

      2022-12-21 標簽：肖特基二極管氧化鎵 1071 0

      談談熱門的氧化鎵

      談談熱門的氧化鎵

      超寬帶隙半導體有望成為大功率晶體管 ? 高效的超高壓功率轉換設備(電壓20kv)需要比硅的能隙大得多的半導體。寬帶隙(WBG)半導體碳化硅(SiC)已經...

      2022-12-19 標簽：變壓器IC電感器 2080 0

      4英寸氧化鎵單晶生長與性能分析

      本文通過導模法制備了4英寸β-Ga2O3單晶，晶體外形完整，通過勞厄衍射、高分辨X射線搖擺曲線 分析確認晶體結晶質量較高。采用濕法刻蝕的方法，研究了晶體...

      2022-11-24 標簽：晶體單晶氧化鎵 4089 0

      什么是第四代半導體？

      第四代半導體我們其實叫超禁帶半導體，它分兩個方向，一是超窄禁帶，禁帶寬度（指被束縛的價電子產生本征激發所需要的最小能量）在零點幾電子伏特（eV），比超窄...

      2022-08-22 標簽：半導體功率器件氧化鎵 1.8萬 0

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