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      標簽　>　氧化鎵

      氧化鎵

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      氧化鎵技術

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      氧化鎵（Ga2O3 ）是性能優異的超寬禁帶半導體材料，不僅臨界擊穿場強大、飽和速度高，而且具有極高的 巴利加優值和約翰遜優值，在功率和射頻器件領域具有重...

      2025-06-11 標簽：半導體GaN射頻器件 625 0

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      2023-11-27 標簽：二極管半導體氮化鎵 3677 0

      氮化鎵的晶體學濕式化學蝕刻法

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      2023-11-24 標簽：半導體晶圓晶圓蝕刻 1001 0

      Ni摻雜β-Ga2O3單晶的光、電特性研究

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      作為超寬禁帶半導體材料之一，Ga2O3禁帶寬度高達4.8 eV，理論擊穿場強為8 MV/cm，是繼GaN和SiC之后的下一代超寬禁帶半導體材料

      2023-10-11 標簽：半導體信號處理光譜儀 2050 0

      氧化鎵功率器件研究成果

      氧化鎵功率器件研究成果

      隨著電力電子技術在汽車電子、醫療器械、航空航天等領域的應用越來越廣泛，寬禁帶半導體材料與器件的研究和發展也進入了加速階段。

      2023-08-24 標簽：處理器功率二極管導通電阻 1419 0

      氧化鎵薄膜外延與電子結構研究

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      氧化鎵（Ga2O3）半導體具有4.85 eV的超寬帶隙、高的擊穿場強、可低成本制作大尺寸襯底等突出優點。

      2023-08-17 標簽：接觸器半導體芯片DFT算法 1536 0

      高耐壓氧化鎵功率器件研制進展與思考

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      2023-08-09 標簽：二極管MOSFET電阻器 1123 0

      氧化鎵的電子態缺陷研究

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      近日，“2023功率與光電半導體器件設計及集成應用論壇”于西安召開。論壇由第三代半導體產業技術創新戰略聯盟（CASA）指導，西安交通大學、極智半導體產業...

      2023-08-09 標簽：二極管晶體管功率半導體 1133 0

      氧化鎵缺陷、合金化電子結構調控及日盲光電探測器研究

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      半導體材料是信息技術產業的基石，Ga2O3、金剛石等超寬禁帶半導體，GaN、SiC等寬禁帶半導體前景廣闊。

      2023-08-07 標簽：半導體光電探測器氧化鎵 1309 0

      基于氧化鎵材料性能調控及高性能日盲紫外光電探測器的研究

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      2023-08-07 標簽：探測器晶體管光電探測器 1274 0

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      氧化鎵資料下載

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      氧化鎵資訊

      氧化鎵器件的研究現狀和應用前景

      在超寬禁帶半導體領域，氧化鎵器件憑借其獨特性能成為研究熱點。泰克中國區技術總監張欣與香港科技大學電子及計算機工程教授黃文海教授，圍繞氧化鎵器件的研究現狀...

      2025-04-29 標簽：半導體氧化鎵泰克科技 471 0

      我國首發8英寸氧化鎵單晶，半導體產業迎新突破！

      我國首發8英寸氧化鎵單晶，半導體產業迎新突破！

      2025年3月5日，杭州鎵仁半導體有限公司（以下簡稱“鎵仁半導體”）宣布，成功發布全球首顆第四代半導體氧化鎵8英寸單晶。這一重大突破不僅標志著我國在超寬...

      2025-03-07 標簽：半導體芯片封裝氧化鎵 1413 0

      氧化鎵襯底表面粗糙度和三維形貌，優可測白光干涉儀檢測時長縮短至秒級！

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      傳統AFM檢測氧化鎵表面三維形貌和粗糙度需要20分鐘左右，優可測白光干涉儀檢測方案僅需3秒，百倍提升檢測效率！

      2025-02-08 標簽：表面粗糙度氧化鎵白光干涉儀 493 0

      中國第四代半導體技術獲重大突破:金剛石與氧化鎵實現強強聯合

      2025年2月13日凌晨，中國科技界迎來一則重磅消息：吉林大學劉冰冰教授團隊聯合中山大學朱升財教授，在國際頂級期刊《Nature Materials》上...

      2025-02-18 標簽：半導體金剛石氧化鎵 2993 0

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      電子發燒友網綜合報道 最近氧化鎵領域又有了新的進展。今年1月，鎵仁半導體宣布基于自主研發的氧化鎵專用晶體生長設備進行工藝優化，采用垂直布里奇曼（VB）法...

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      鎵仁半導體成功實現VB法4英寸氧化鎵單晶導電摻雜

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      VB法4英寸氧化鎵單晶導電型摻雜 2025年1月，杭州鎵仁半導體有限公司（以下簡稱“鎵仁半導體”）基于自主研發的氧化鎵專用晶體生長設備進行工藝優化，采用...

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      關于超寬禁帶氧化鎵晶相異質結的新研究

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      2025-01-22 標簽：異質結氧化鎵 468 0

      半導體所在基于氧化鎵的日盲紫外偏振光探測器方面取得新進展

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      偏振光探測與成像技術在遙感成像、機器視覺、復雜背景目標識別等領域具有廣泛的應用，近年來在天體物理和海底地震波探測等方面也展現出豐富的信息獲取能力。在不同...

      2025-01-02 標簽：半導體探測器氧化鎵 725 0

      ACS AMI：通過襯底集成和器件封裝協同設計實現具有極低器件熱阻的氧化鎵MOSFETs

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      原創：Xoitec 異質集成XOI技術 來源：上海微系統所，集成電路材料實驗室，異質集成XOI課題組 1 工作簡介 超寬禁帶氧化鎵是實現超高壓、大功率、...

      2024-11-13 標簽：MOSFET封裝氧化鎵 1194 0

      異質集成氧化鎵：下一代高性能功率半導體器件的新基石

      異質集成氧化鎵：下一代高性能功率半導體器件的新基石

      來源:悅智網 ，作者羅拯東、韓根全等 功率半導體器件作為高效電能控制和轉換裝置的核心器件，從其誕生之初，便作為電力電子技術的“幕后英雄”持續推動人類社會...

      2024-10-21 標簽：氧化鎵功率半導體器件異質集成 789 0

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