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評價專家組認為:高德紅外提供的資料齊全、完整,符合評價要求;公司創新成果得到成功應用,研制出國內首款基于銻化物二類超晶格的1280×1024、15μm像...
根據應變的作用方向差異,應變還可以分為雙軸應變(Biaxial Strain,在晶片表面的x和y兩個方向上形成相對一致的應力)和單軸應變 (Uniaxi...
介紹工藝之前,我們先聊一下昨天一個朋友提到的日本日新的離子注入設備。日本日新是全球3大離子注入設備商之一。 1973年的時候,該公司就開始做離子注入的工...
對于60Si2MnA材料熱處理雖然對E的影響很小,但是G卻有明顯變化,根據剪切模量、彈性模量及泊松比的關系:G=E/(2(1+υ)),可以得出是熱處理會...
在半導體超晶格材料體系中,基于Ⅲ-V族半導體的超晶格材料是人們的研究熱點,其帶隙在0.1~1.7eV之間,可作為紅外波段光電子器件的材料,也可應用在工業...
來源|中科院之聲(zkyzswx)編者按:中科院之聲與中國科學院上海硅酸鹽研究所聯合開設科普硅立方專欄,為大家介紹先進無機非金屬材料的前世今生。我們將帶...
全面解讀厚僅1納米顯著提升小分子電催化性能的PdIr雙金屬烯
具有原子層厚度的二維金屬材料是極具前景的電催化材料,但其制備仍然極具挑戰。最近,北京大學郭少軍教授團隊在《國家科學評論》(National Scienc...
來自湖南大學的秦光照和鄭州大學的秦真真基于第一性原理方法,合作研究了石墨烯、硅烯、h-BN、h-GaN、h-SiC和h-BAs等新型二維蜂窩狀材料在單軸...
間隙型溶質原子比置換原子具有較大的固溶強化效果,且由于間隙原子在體心立方晶體中的點陣畸變屬非對稱性的,故其強化作用大于面心立方晶體的;但間隙原子的固溶度...
InAs/GaSb超晶格中存在著嚴重的SRH復合,研究發現,與Ga有關的本征缺陷在禁帶中心附近引入了缺陷能級形成的復合中心是導致SRH機制主要原因,因此...
此外,他們還通過相對較大的樣本展示了金剛石微橋陣列如何實現同步的深彈性應變。而超大的、高度可控的彈性應變,則能從根本上改變金剛石的能帶結構,最終計算出帶...
同時具有高電子和空穴遷移率以及高導熱率的半導體材料有益于提升微電子和光電子器件的性能(1,2)。然而,到目前為止,仍然沒有確認同時具有高遷移率和熱導率的材料。
作為地球上最堅硬的材料之一,鉆石成為了許多材料科學研究的基準,因為工程師們正努力打造出堅硬的新結構,以超越自然界中最好的材料。加州大學歐文分校(UCI)...
“該材料大的八面體畸變主要源于鍺和碘離子大的尺寸失配以及鍺離子的孤對電子效應,這使我們考慮施加壓力調節這種畸變,期望實現結構和物性的連續調控,實驗結果很...
二類超晶格材料主要通過調節InAs、GaSb、AlSb、InSb等層厚來實現能帶結構裁剪,實現響應波段、暗電流等其他光電性能調控,通過經驗緊束縛理論和8...
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