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標(biāo)簽 > 晶體管
晶體管(transistor)是一種固體半導(dǎo)體器件,具有檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓、信號(hào)調(diào)制等多種功能。晶體管作為一種可變電流開關(guān),能夠基于輸入電壓控制輸出電流。與普通機(jī)械開關(guān)(如Relay、switch)不同,晶體管利用電訊號(hào)來控制自身的開合,而且開關(guān)速度可以非常快,實(shí)驗(yàn)室中的切換速度可達(dá)100GHz以上。
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來源:羅姆半導(dǎo)體社區(qū) ? ? ? ??金屬-氧化層-半導(dǎo)體-場(chǎng)效晶體管,簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Fie...
來源:羅姆半導(dǎo)體社區(qū)? 由于削波,放大器失真可以采取多種形式,例如幅度,頻率和相位失真。為了使信號(hào)放大器正常工作而不會(huì)對(duì)輸出信號(hào)造成任何失真,它需要在其...
隧穿晶體管在同一塊易于制造的集成電路(IC)上提供邏輯與功率
來源:電源網(wǎng)編譯 總部位于諾丁漢的無晶圓廠芯片初創(chuàng)企業(yè)“Search For The Next”(SFN)聲稱,只有8個(gè)光刻掩模可以制造出低功耗的自定義...
恩智浦5G手機(jī)網(wǎng)絡(luò)晶體管和RF功率放大器的生產(chǎn)線在美國(guó)正式投入運(yùn)營(yíng)
據(jù)報(bào)道,恩智浦斥資1億美元,用于擴(kuò)建5G手機(jī)網(wǎng)絡(luò)晶體管和RF功率放大器的生產(chǎn)線在美國(guó)亞利桑那州錢德勒工廠(Chandlerfactory)日前正式投入運(yùn)營(yíng)。
四種晶體管開關(guān)電路,其中2種使用NMOS,2種使有PMOS
因?yàn)榭紤]到我們?cè)谌藱C(jī)交互構(gòu)造波形時(shí),所要求的波形具有“高使能”和“低使能”2種。所以這里展示2種NMOS開關(guān)電路,一種生成“低使能”波形(開關(guān)按下的時(shí)候...
2020-10-10 標(biāo)簽:人機(jī)交互開關(guān)電路晶體管 7244 0
再就是2.5D/3D先進(jìn)封裝集成,新興的2.5D和3D技術(shù)有望擴(kuò)展到倒裝(FC)芯片和晶圓級(jí)封裝(WLP)工藝中。通過使用內(nèi)插器(interposers...
電子間的直接相互作用是相互排斥的庫(kù)侖力。如果僅僅存在庫(kù)侖力直接作用的話,電子不能形成配對(duì)。但BCS理論認(rèn)為,電子間還存在以晶格振動(dòng)(聲子)為媒介的間接相...
Cerfe Labs開發(fā)基于CeRAM和FeFET的新型非易失性存儲(chǔ)器
CeRAM操作的一個(gè)獨(dú)特功能是其單點(diǎn)氧化和還原(意味著電子的損失和增益)。對(duì)于CeRAM的活性材料,氧化和還原是通過量子隧穿效應(yīng)在相同的鎳離子位點(diǎn)發(fā)生的...
限制有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)晶體管性能提升和量產(chǎn)的原因是什么?
“將應(yīng)用研究與基礎(chǔ)科學(xué)聯(lián)系起來一直是我們的目標(biāo)。我們的科研成果將有望為OFETs的研究和應(yīng)用開辟一片藍(lán)海。我們相信,在OFETs上的設(shè)置和成果,現(xiàn)在已經(jīng)...
我們?nèi)绾问褂脤@ミB來設(shè)計(jì)eFPGA?
如今,大多數(shù)ASIC設(shè)計(jì)都是使用標(biāo)準(zhǔn)單元完成的:鑄造廠通常免費(fèi)提供簡(jiǎn)單的構(gòu)建塊,并且已經(jīng)在工藝,電壓和溫度范圍內(nèi)進(jìn)行了表征。可以按照邏輯設(shè)計(jì)規(guī)則組裝標(biāo)準(zhǔn)...
在半導(dǎo)體工業(yè)中,晶片是設(shè)計(jì)用來與其他晶片結(jié)合的單晶硅晶片。這些模具可以以不同的方式組合在一起,包括垂直堆疊,然后將這些模具安裝到單個(gè)基板層上,然后封裝。...
Graphcore三項(xiàng)變革性技術(shù):計(jì)算、數(shù)據(jù)、通信
計(jì)算革命在計(jì)算機(jī)歷史上只發(fā)生過三次,第一次是 70 年代的 CPU,第二次是 90 年代的 GPU,而 Graphcore 就是第三次革命,他們的芯片(...
淺析中國(guó)FPGA市場(chǎng)發(fā)展現(xiàn)狀
2012年底完成與上市公司同方國(guó)芯電子股份有限公司重組工作,成為同方國(guó)芯的全資子公司。具體型號(hào)暫時(shí)處于保密階段,已經(jīng)在軍工領(lǐng)域展開了多種應(yīng)用。
雖然純硅的導(dǎo)電率低,但是有一個(gè)叫DOPING的技術(shù)可以提升半導(dǎo)體的導(dǎo)電率,比如說你注入價(jià)電子為5的磷,有一個(gè)電子將會(huì)在系統(tǒng)里自由移動(dòng),這被稱為N型DOPING。
雙面印刷電路板比單面印刷電路板更常用,因?yàn)殡p面電路板允許引入更復(fù)雜的電路。像單面PCB一樣,它們只有一層基板,但是兩面都覆蓋有導(dǎo)電金屬和電路組件。然后使...
如何生產(chǎn)3納米以下全環(huán)繞柵極晶體管?
全環(huán)繞柵極晶體管的出現(xiàn)滿足了以上所有需求,從而允許摩爾定律在5納米之后進(jìn)一步前進(jìn)。首先其生產(chǎn)工藝與鰭式晶體管相似,關(guān)鍵工藝步驟幾乎一樣(這點(diǎn)我們會(huì)在之后...
AI社區(qū)早就知道,我們最成功的方法(例如深度學(xué)習(xí))在數(shù)學(xué)和計(jì)算上都很復(fù)雜。將這些方法與當(dāng)前技術(shù)一起使用會(huì)消耗大量的處理資源和高成本。反過來,這限制了可以...
具體來說,過去十年中芯片的性能提升中,40%的因素歸功于處理工藝,8%來源于提高了的TDP,12%來源于額外的核心面積,17%來自架構(gòu)改進(jìn),15%來自功...
三星開發(fā)全新設(shè)計(jì)的3nm工藝晶體管
MOSFET的柵極堆疊位于溝道區(qū)域的正上方。今天,柵極堆疊由金屬(用于柵電極)制成,位于介電材料層的頂上。該組合設(shè)計(jì)用于將電場(chǎng)投射到晶體管溝道區(qū)域中,同...
除此之外,SoC廠商也從另一個(gè)層面開始”集成“,那就是自己研發(fā)更多的射頻產(chǎn)品,而這波潮流最早是從高通開始。他們做射頻的目的相信是為了打破其產(chǎn)品線單一的困局。
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