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標簽 > 晶體管
晶體管(transistor)是一種固體半導體器件,具有檢波、整流、放大、開關、穩壓、信號調制等多種功能。晶體管作為一種可變電流開關,能夠基于輸入電壓控制輸出電流。與普通機械開關(如Relay、switch)不同,晶體管利用電訊號來控制自身的開合,而且開關速度可以非常快,實驗室中的切換速度可達100GHz以上。
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所謂IGBT(絕緣柵雙極型晶體管),是由 BJT(雙極結型晶體三極管) 和 MOS(絕緣柵型場效應管) 組成的復合全控型-電壓驅動式-功率半導體器件,其...
斯坦福大學電氣工程教授,臺積電前企業研究副總裁、IEEE Fellow黃漢森(H.-S. Philip Wong)指出:「器件技術將面向特定應用領域,就...
針對微芯片行業速度最快、最精密且最具能效的集成電路的爭奪戰在全球各大制造巨頭之間愈演愈烈,這正是芯片制造商為何要將全新的晶體管設計結構集成到其最先進的節...
與塊狀材料相比,納米線中的電子狀態確實有所不同。由于納米線的量子效應,納米線的電子將占據離散的帶,而不是連續的狀態。即使每個電子都受到量子限制——因為納...
盡管可以使用雙鑲嵌來集成如釕和鉬這樣的銅替代品,但它們可能更適合金屬蝕刻的減法方案(subtractive schemes),自鋁互連時代以來,這種方案...
有趣的是,對于新的 N3E 節點,高密度 SRAM 位單元尺寸達到 0.021 μm2,這與他們的 N5 節點的位單元大小完全相同,并沒有縮小。N3B ...
新產品名為“AC Servo Drive Σ-X”,轉速從此前的每分鐘6000轉提高至7000轉。停止電機時的精度相當于環繞JR山手線1圈后以誤差4毫米...
小信號晶體管的這種水平預測似乎是合理的,但功率晶體管的需求由于汽車電氣化而持續增長,因此我們應該可以預期同比增長超過10%。
最近最重要的變化之一是 3D 檢測和計量學習的增加。finFET 和納米片晶體管的采用發生在前端,而高級封裝則需要在后端進行 3D 計量。
英特爾Ann Kelleher:系統工藝協同優化將引領摩爾定律未來創新
Ann Kelleher介紹了晶體管誕生75年之后的新進展 在IEDM 2022(2022 IEEE國際電子器件會議)全體會議上發表演講之前,英特爾副總...
某種意義上來說,芯片很脆弱。在生產中,外界環境的各種變化,比如PVT,都可能會使芯片產生不同的誤差,從而導致同一晶圓上不同區域上的芯片里的晶體管速度變快...
該系列產品采用帶有光電晶體管傳感器的電子電路設計,配有電涌放電器(MOV)。特別是,JL-224B為滿足BS5972標準,為客戶配備了頂部傳感器。
晶體管縮放:將FinFET擴展到5nm以上;啟用門全方位拐點
FinFET路線圖有三個重要的技術挑戰:翅片彎曲、高k金屬柵極(HKMG)和接口關鍵尺寸縮放以及源極/漏極電阻。應用材料公司正在使用新材料和工藝協同優化...
場效應管是利用多數載流子導電,而晶體管是既利用多數載流子,也利用少數載流子導電,由于少數載流子的濃度對溫度、輻射等外界條件很敏感,因此,對于環境變化較大...
下面以二端口網絡為例說明各個S參數的含義,如上圖所示。二端口網絡有四個S參數,Sij代表的意思是能量從j口注入,在i口測得的能量,如S11定義為從 Po...
AM: 溶液法制備高性能P型WSe2薄膜晶體管及CMOS器件應用
近年來,二維層狀材料因其出色的電學和機械性能,在柔性和可穿戴集成器件領域引起了廣泛關注。特別是,各種二維材料的單晶納米片可以分散在溶液中,形成n型和p型...
新一代航天器對宇航芯片的性能和抗輻射能力提出了更高要求。碳納米管器件的柵控效率高、驅動能力強,是后摩爾時代最具發展潛力的半導體技術之一,并具有較強的空間...
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