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標(biāo)簽 > 晶體管
晶體管(transistor)是一種固體半導(dǎo)體器件,具有檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓、信號調(diào)制等多種功能。晶體管作為一種可變電流開關(guān),能夠基于輸入電壓控制輸出電流。與普通機(jī)械開關(guān)(如Relay、switch)不同,晶體管利用電訊號來控制自身的開合,而且開關(guān)速度可以非常快,實(shí)驗(yàn)室中的切換速度可達(dá)100GHz以上。
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可以重復(fù)使用共發(fā)射極BJT曲線量測儀實(shí)驗(yàn)中使用的基本配置來測量電流鏡特性。輸入電阻R1和輸出電阻R2現(xiàn)在都是1 kΩ。一定要準(zhǔn)確測量(盡可能使用更多的有...
2020-10-15 標(biāo)簽:運(yùn)算放大器電流鏡晶體管 6092 0
MOS管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor),即金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管,是現(xiàn)代電...
用耳機(jī)如何判斷晶體管PNP/NPN_發(fā)射極E和集電極C
用耳機(jī)判斷晶體管 1)判斷PNP型和NPN型,測定基極把黑表筆(電源 負(fù)極引線)接V的引腳2或3,紅表筆(電源正極引線), 接引腳1。如果三次試驗(yàn)有一次...
場效應(yīng)管是一種半導(dǎo)體器件,它可以用來放大或者控制電流 。根據(jù)結(jié)構(gòu)的不同,場效應(yīng)管可以分為結(jié)型場效應(yīng)管(JFET)和絕緣柵場效應(yīng)管(MOSFET)。其中,...
2023-11-17 標(biāo)簽:MOSFET場效應(yīng)管NMOS 6072 0
深度探討GaN器件驅(qū)動電路并聯(lián)晶體管設(shè)計方案
在柵極關(guān)斷時,CGS和Con中的電荷將快速達(dá)到平衡。此處必須確保Con大于CGS,以確保穩(wěn)態(tài)的電荷差使柵極電壓VG變?yōu)樨?fù)值,從而在硬開關(guān)應(yīng)用中關(guān)斷晶體管。
近年來,具有ABX?晶體結(jié)構(gòu)的有機(jī)金屬鹵化物鈣鈦礦材料因其可調(diào)帶隙、高吸收系數(shù)、長載流子傳輸距離等光電學(xué)特性而在光電探測領(lǐng)域表現(xiàn)出良好應(yīng)用前景
CMOS(互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體)門電路是數(shù)字電子系統(tǒng)中廣泛使用的基礎(chǔ)構(gòu)件,因其低功耗、高噪聲容限和良好的擴(kuò)展性而備受青睞。
晶體管是一種半導(dǎo)體器件,放大器或電控開關(guān)常用。晶體管是規(guī)范操作電腦,手機(jī),和所其他現(xiàn)代電子電路的基本構(gòu)建塊。
什么是DC IR Drop?DC IR Drop仿真有何意義?
DC即Direct Current,直流電,電流方向不隨時間發(fā)生改變;IR Drop中的I指電流,R指電阻,I與R相乘即為電壓,IR Drop就是電壓降;
電力晶體管器件屬于功率半導(dǎo)體類別,如高壓二極管、瞬變二極管、二極管整流橋、MOSFET、IGBT等,多年來市場需求、產(chǎn)品價格穩(wěn)健。雖然會受到行業(yè)周期、中...
半導(dǎo)體制造中的清洗工藝技術(shù)改進(jìn)方法
隨著晶體管尺寸的不斷微縮,晶圓制造工藝日益復(fù)雜,對半導(dǎo)體濕法清洗技術(shù)的要求也越來越高。
2023-08-01 標(biāo)簽:芯片設(shè)計晶體管半導(dǎo)體制造 6010 0
MOSFET的電路符號和開關(guān)應(yīng)用 MOSFET功率放大器電路圖分享
MOSFET是金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管的縮寫。它是一種 FET(場效應(yīng)晶體管),其柵極和溝道之間具有絕緣金屬氧化物層。相反,JFET 的柵極與其溝道...
IGBT(絕緣柵雙極晶體管)漏電流增加的原因有多種,以下是對這些原因的分析: 正向電壓的增加 :當(dāng)IGBT的控制極壓加上一定的電壓時,例如正向電壓,漏結(jié)...
工程師教你如何設(shè)計一個“優(yōu)質(zhì)”D類音頻放大器!
D類放大器首次提出于1958年,近些年已逐漸流行起來。音頻放大器背景 音頻放大器的目的是以要求的音量和功率水平在發(fā)聲輸出元件上重新產(chǎn)生真實(shí)、高效和低失真...
按照封裝形式,電阻器分為通孔插裝(THT)電阻器和表面貼裝(SMT)電阻器兩種類型。電阻器按構(gòu)成材料的不同分為合金型電阻器、薄膜型電阻器、合成型電阻器等...
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