本文將重點討論使用雙極性結型晶體管(BJT)和NMOS晶體管的穩定電流源。
2022-08-01 09:03:57
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為大家奉上GP,multisim對雙極性晶體管模型進行模擬分析是基于GP模型的。
2016-01-16 09:13:21
雙極結型晶體管（BJT）是放大或切換電子信號和電力的常用設備。 當BJT在集電極和發射極之間傳導電流時，BJT將消耗功率。那么，應該如何估算BJT額定功率(Power Rating)？功率額定值
2018-08-26 23:03:52
NPN型雙極性晶體管可以視為共用陽極的兩個二極管接合在一起。在雙極性晶體管的正常工作狀態下，基極-發射極結（稱這個PN結為“發射結”）處于正向偏置狀態，而基極-集電極（稱這個PN結為“集電結”）則處于反向偏置狀態。
2019-09-26 09:00:23
的B和C對稱、和E極同樣是N型。也就是說，逆接C、E也同樣有晶體管的功效。即電流由E→C流動。3. 逆向晶體管有如下特點。hFE低（正向約10%以下）耐壓低 (7 to 8Ｖ 與VEBO一樣低)↑通用
2019-04-09 21:27:24
晶體管并聯時，當需要非常大的電流時，可以將幾個晶體管并聯使用。因為存在VBE擴散現象，有必要在每一個晶體管的發射極上串聯一個小電阻。電阻R用以保證流過每個晶體管的電流近似相同。電阻值R的選擇依據
2024-01-26 23:07:21
晶體管發射極結間的正向壓差越大電流是越小吧
2016-01-19 22:27:49
本帖最后由 gongddz 于 2017-3-29 09:06 編輯
晶體管作為電流單方向通過的電子開關使用晶體管也可以作為電子開關使用。但這個開關的電流方向只能是單向的，pnp型管和npn型
2017-03-28 15:54:24
晶體管(BJT)和場效應晶體管(FET)，接下來我們就以BJT和FET為例來講述晶體管的工作原理。1.雙極性晶體管雙極性晶體管，英語名稱為Bipolar Transistor，是雙極性結型晶體管的簡稱
2016-06-29 18:04:43
1．反向擊穿電流的檢測 普通晶體管的反向擊穿電流（也稱反向漏電流或穿透電流），可通過測量晶體管發射極E與集電極C之間的電阻值來估測。測量時，將萬用表置于R×1k檔， NPN型管的集電極C接黑表筆
2012-04-26 17:06:32
雙極性晶體管是利用兩種離子導電，空穴和自由電子，但是對于一個實際存在的系統，其整體上是呈現電中性的，當其中的電子或者空穴移動形成電流時，與之對應的空穴或者電子為什么不會一起隨著移動？
這個問題困擾
2024-02-21 21:39:24
晶體管的 電流放大原理 該怎么解釋？
2017-03-12 20:30:29
晶體管的半導體的電流由空穴（正極性）和電子（負極性）產生。一般而言的晶體管是指這種由硅構成的晶體管。FETField Effect Transistor的簡稱，是指場效應晶體管。有接合型FET和MOS型
2019-04-10 06:20:24
。與MOSFET同樣能通過柵極電壓控制進行高速工作，還同時具備雙極晶體管的高耐壓、低導通電阻特征。工作上與MOSFET相同，通過給柵極施加電壓形成通道來流過電流。結構上MOSFET（以Nch為例）是相同N型的源極
2018-11-28 14:29:28
給柵極施加電壓形成通道來流過電流。結構上MOSFET（以Nch為例）是相同N型的源極與漏極間流過電流，而IGBT是從P型的集電極向N型的發射極流過電流，也就是與雙極晶體管相同。因此，具有MOSFET的柵極
2020-06-09 07:34:33
得到了晶體管的h參數后，就可以畫出晶體管的線性等效電路，圖Z0214是晶體管的h參數等效電路。 關于h參數等效電路，應注意以下幾點： （1）電壓的參考極性為上正下負，電流的參考正方向是流入為正
2021-05-25 07:25:25
之間）和發射結（B、E極之間），發射結與集電結之間為基區。 根據結構不同，晶體管可分為PNP型和NPN型兩類。在電路圖形符號上可以看出兩種類型晶體管的發射極箭頭（代表集電極電流的方向）不同。PNP型
2013-08-17 14:24:32
晶體管進行舉例。如果是PNP型晶體管，則只要把晶體管的極性由正換成負就行。如果要從基極電流、集電極電流、發射極電流的組成、流動，PN結的能級等等方面來講清晶體管的放大機理，就更復雜了。這在許多專業
2012-02-13 01:14:04
1. 晶體管的結構及類型 晶體管有雙極型和單極型兩種，通常把雙極型晶體管簡稱為晶體管，而單極型晶體管簡稱為場效應管。 晶體管是半導體器件，它由摻雜類型和濃度不同的三個區（發射區、基區和集電區
2021-05-13 06:43:22
的B和C對稱、和E極同樣是N型。也就是說，逆接C、E也同樣有晶體管的功效。即電流由E→C流動。3. 逆向晶體管有如下特點。hFE低（正向約10%以下）耐壓低 (7 to 8Ｖ 與VEBO一樣低)↑通用
2019-05-09 23:12:18
20 mA 的電流。其他電流源設計還有其他幾種設計電流源的方法。下面是一些示例，包括之前的所有關于電路的文章中詳細描述的一些示例：使用MOSFET電流源（FET 電流鏡）使用結型晶體管電流鏡使用穩壓器
2023-02-15 11:41:23
MOS型電流鏡、低壓共源共柵MOS型電流鏡、Wilson MOS型電流鏡、雙極型電流鏡參考源：Widlar電流源、電源電壓不靈敏型偏置、恒溫偏置（Bandgap）、恒跨導源電流鏡和參考源教程——清華大學微電子學研究所[hide][/hide]
2011-11-04 16:07:43
分別連接每個并聯晶體管，再同時與傳統硅晶體管的標準驅動器連接。并聯的幾個晶體管只需要一個隔離型驅動器，例如隔離型EiceDRIVER?1EDI20N12AF，使用源極（OUT +）和漏極（OUT-
2021-01-19 16:48:15
。圖 6. (a) 低 ZIN電流鏡反相 (b) 低 ZIN電流鏡同相采用基本電流鏡和電流源，則輸入和輸出電流極性相同。通常，輸出晶體管的射極/源極直接或通過檢測電阻接地，且輸出電流從集電極/漏極流入
2018-10-23 17:12:08
電路的功能，與晶體管的共射放大電路一樣。由于結型FET的正常工作，要求柵極和源極間的電壓VGS為反向偏置電壓，因此其偏置電路的構造有些不同。與晶體管的電流反饋偏置電路一樣構成的FET“自偏置電路”，由于其
2017-04-19 15:53:29
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導...
2022-02-16 06:48:11
）的三層結構的Field-Effect Transistor（場效應晶體管）。BIPOLAR是指使用了雙極性元件，將稱為p型和n型的兩種半導體構成n-p-n及p-n-p結構的電流工作型晶體管。
2019-05-06 05:00:17
）的三層結構的Field-Effect Transistor（場效應晶體管）。BIPOLAR是指使用了雙極性元件，將稱為p型和n型的兩種半導體構成n-p-n及p-n-p結構的電流工作型晶體管。
2019-03-27 06:20:04
。晶體管NPN型和PNP型結晶體管工作狀態晶體管的工作原理類似于電子開關。它可以打開和關閉電流。晶體管背后的基本思想是，它允許您通過改變流經第二個通道的較小電流的強度來控制通過一個通道的電流。1）截止
2023-02-15 18:13:01
兩個PN結。晶體管NPN型和PNP型結晶體管工作狀態晶體管的工作原理類似于電子開關。它可以打開和關閉電流。晶體管背后的基本思想是，它允許您通過改變流經第二個通道的較小電流的強度來控制通過一個通道的電流
2023-02-08 15:24:58
PNP雙極型晶體管的設計
2012-08-20 08:29:56
一、引言PNP 晶體管是雙極結型晶體管（BJT）。PNP晶體管具有與NPN晶體管完全不同的結構。在PNP晶體管結構中，兩個PN結二極管相對于NPN晶體管反轉，使得兩個P型摻雜半導體材料被一層薄薄的N
2023-02-03 09:44:48
` 本帖最后由 OneyacSimon 于 2019-6-3 15:11 編輯
ROHM 2Sx雙極結型晶體管（BJT）設計用于工業和消費類應用。 這些BJT有PNP和NPN兩種極性。 2Sx
2019-06-03 14:41:13
工作電壓的極性而可分為NPN型或PNP型。雙極結型晶體管 雙極結型晶體管（Bipolar Junction Transistor—BJT）又稱為半導體三極管，它是通過一定的工藝將兩個PN結結
2010-08-13 11:36:51
電流鏡電路可以用晶體管和MOSFET來搭建，盡管我們可以用這兩個簡單的有源器件或直接使用一個放大器電路，但其輸出并不完美，而且有著自身的局限并依賴于外部因素。所以為了得到穩定的輸出，我們必須在電流鏡
2019-11-05 16:27:10
源電流IDSS是指結型或耗盡型絕緣柵場效應晶體管中，柵極電壓UGS＝0時的漏源電流。（2）夾斷電壓夾斷電壓UP是指結型或耗盡型絕緣柵場效應晶體管中，使漏源間剛截止時的柵極電壓。如同4-25所示為N溝道
2019-04-04 10:59:27
本設計實例是一個2線式電流調節器（圖1），它在性能和器件數目之間達到了很好的平衡。通過使用三個晶體管、三個電阻和一個LED燈，可實現很好的調節效果（在大部分電壓范圍內準確度好于1%）、較低的工作
2018-09-29 17:15:25
行業真正的“領頭羊”？一、三極管定義：三極管，全稱應為半導體三極管，也稱雙極型晶體管、晶體三極管，是一種控制電流的半導體器件其作用是把微弱信號放大成幅度值較大的電信號， 也用作無觸點開關。三極管
2019-04-08 13:46:25
類型。
雙極結型晶體管(BJT)
雙極結型晶體管是由基極、集電極和發射極 3 個區域組成的晶體管。雙極結型晶體管（與 FET 晶體管不同）是電流控制器件。進入晶體管基極區的小電流會導致從發射極流向集電極
2023-08-02 12:26:53
。 圖1:離線高電壓 BJT 適配器反激電路 在深入探討計算 BJT 損耗的方法之前，需要對雙極性晶體管模型做一個基本了解。一個雙極性晶體管的最簡單形式是一個電流控制型電流汲/開關。基極（B）輸入可控
2018-10-09 14:20:15
引用:IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極性三極管)和MOSFET(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率
2023-02-10 15:33:01
本實驗的目的是研究雙極性結型晶體管(BJT)電流源或電流鏡。電流源的重要特性包括：在寬順從電壓范圍保持高輸出阻抗、能抑制外部變化（如電源或溫度）的影響。
2021-02-24 06:24:07
類型。3.2 晶體管的種類及其特點》巨型晶體管GTR是一種高電壓、高電流的雙極結型晶體管（BJT），因此有時被稱為功率BJT。特點：電壓高，電流大，開關特性好，驅動功率高，但驅動電路復雜;GTR和普通雙極結型
2023-02-03 09:36:05
PNP 和 NPN 是兩種類型的雙極結型晶體管 （BJT）。BJT由可以放大電流的摻雜材料制成。它具有PNP和NPN配置選項。PNP 和 NPN晶體管可用于放大或開關。本文將解釋NPN和PNP之間
2023-02-03 09:50:59
暴露在入射光中。除了曝光的半導體材料是雙極性晶體管晶體管(BJT)的基礎之外，光電晶體管的功能也是類似的。一個光敏晶體管被描述為一個去掉基極端子的 BJT，箭頭暗示基極對光敏感。本文中的其他圖只描述了
2022-04-21 18:05:28
可能就會成為大問題。 Power Integrations最新推出的LinkSwitch-4系列IC，支持安全地使用低成本的雙極結型晶體管(BJT)開關，能夠提供比現有BJT或MOSFET開關更高的效率
2018-10-10 16:55:54
本文將重點討論使用雙極性結型晶體管(BJT)和NMOS晶體管的穩定電流源。穩定電流源(BJT)目標本實驗旨在研究如何利用零增益概念來產生穩定（對輸入電流電平的變化較不敏感）的輸出電流。材料
2021-11-01 09:53:18
的兩種主要類型是什么？晶體管基本上分為兩種類型;它們是雙極結型晶體管（BJT）和場效應晶體管（FET）。BJT再次分為NPN和PNP晶體管。5.晶體管有多少種？兩種類型晶體管有兩種類型，它們在電路中
2023-02-03 09:32:55
的規則，則可以互換使用NPN和PNP晶體管。雙極晶體管實際上是兩個背靠背連接的二極管，基極用作公共連接。PNP 結點如何工作？PNP晶體管是由夾在兩個P型半導體之間的N型半導體組成的雙極結型晶體管
2023-02-03 09:45:56
)NPN-NPN型、(b)PNP-NPNxing達林頓結構是提高電流增益的一種有效方式。達林頓GTR由兩個或多個晶體管復合而成，可以是PNP或NPN型，如圖2所示，其中V1為驅動管，可飽和，而V2為輸出管
2018-01-15 11:59:52
)NPN-NPN型、(b)PNP-NPNxing達林頓結構是提高電流增益的一種有效方式。達林頓GTR由兩個或多個晶體管復合而成，可以是PNP或NPN型，如圖2所示，其中V1為驅動管，可飽和，而V2為輸出管
2018-01-25 11:27:53
單極型晶體管也稱場效應管，簡稱FET（FieldEffectTransistor）。它是一種電壓控制型器件，由輸入電壓產生的電場效應來控制輸出電流的大小。它工作時只有一種載流子（多數載流子）參與
2020-06-24 16:00:16
“步”。有兩種類型的步進電機，單極型和雙極型晶體管，而且知道你正在使用哪種類型是非常重要的。每種電機，都有一個不同的電路。示例代碼將控制兩種電機。看看單極性和雙極性電機的原理圖，和關于如何連接你的電...
2021-07-08 09:14:42
:
[email protected]雙極
晶體管陣列 (
BJT)DMMT5401-7
晶體管, PNP, 最大直流集電極
電流 200 mA, SOT-26封裝, 300 MHz, 6引腳規格 TRANS
2020-02-25 11:39:26
用一個運放和一個分立的外接晶體管就可以實現一個恒流電路，但也可以用一只運放和一些電阻器，設計出一個雙極型的電流源或接收器。
2021-04-08 06:24:36
管子多用于集成放大電路中的電流源電路。
請問對于這種多發射極或多集電極的晶體管時候該如何分析？按照我的理解，在含有多發射極或多集電極的晶體管電路時，如果多發射極或多集電極的每一極分別接到獨立的電源回路中
2024-01-21 13:47:56
場效應晶體管（Field Effect Transistor縮寫(FET)）簡稱場效應管。一般的晶體管是由兩種極性的載流子,即多數載流子和反極性的少數載流子參與導電,因此稱為雙極型晶體管,而FET
2011-12-19 16:30:31
。場效應晶體管有時被稱為單極性晶體管，以它的單載流子型作用對比雙極性晶體管（bipolar juncTIon transistors，縮寫：BJT）。盡管由于半導體材料的限制，以及曾經雙極性晶體管比
2019-05-08 09:26:37
先焊源極后焊柵極。3、絕緣柵場效應晶體管由于輸出電阻極高，故不能在開路形態下保管。即無論管子運用與否，都應將三個電極短路或用鋁(錫)箔包好，不要用手指觸摸以避免感應電勢將柵極擊穿。結型場效應晶體管可以
2019-03-22 11:43:43
場效應晶體管（Field Effect Transistor縮寫(FET)）簡稱場效應管。一般的晶體管是由兩種極性的載流子,即多數載流子和反極性的少數載流子參與導電,因此稱為雙極型晶體管,而FET
2021-05-24 06:27:18
載流子導電，所以稱之為單極型器件，而晶體管是即有多數載流子，也利用少數載流子導電。被稱之為雙極型器件。（3）有些場效應管的源極和漏極可以互換使用，柵壓也可正可負，靈活性比晶體管好。（4）場效應管能在很小
2021-05-13 07:09:34
。（2）場效應管是利用多數載流子導電，所以稱之為單極型器件，而晶體管是即有多數載流子，也利用少數載流子導電。被稱之為雙極型器件。（3）有些場效應管的源極和漏極可以互換使用，柵壓也可正可負，靈活性比晶體管
2017-05-06 15:56:51
）場效應管是利用多數載流子導電，所以稱之為單極型器件，而晶體管是即有多數載流子，也利用少數載流子導電。被稱之為雙極型器件。（3）有些場效應管的源極和漏極可以互換使用，柵壓也可正可負，靈活性比晶體管
2009-04-25 15:43:51
）場效應管是利用多數載流子導電，所以稱之為單極型器件，而晶體管是即有多數載流子，也利用少數載流子導電。被稱之為雙極型器件。（4）場效應管能在很小電流和很低電壓的條件下工作，而且它的制造工藝可以很方便地把很多場效應管集成在一塊硅片上，因此場效應管
2018-11-05 17:16:04
制作材料分，晶體管可分為鍺管和硅管兩種。 按極性分，三極管有PNP和NPN兩種，而二極管有P型和N型之分。多數國產管用xxx表示，其中每一位都有特定含義：如 3 A X 31，第一位3代表三極管，2
2012-07-11 11:36:52
電路功能與優勢數字控制電流源在許多應用中至關重要，如電源管理、電磁閥控制、電機控制、阻抗測量、傳感器激勵和脈搏血氧儀等。本文介紹三種利用 DAC、運算放大器和 MOSFET 晶體管構建支持串行接口
2018-10-16 08:45:57
。對于NPN，它是灌電流。 達林頓晶體管開關 這涉及使用多個開關晶體管，因為有時單個雙極晶體管的直流增益太低而無法切換負載電壓或電流。在配置中，一個小輸入雙極結型晶體管（BJT）晶體管參與打開和關閉
2023-02-20 16:35:09
IGBT是由哪些部分組成的？絕緣柵雙極型晶體管IGBT有哪些特點？如何去使用絕緣柵雙極型晶體管IGBT呢？
2021-11-02 06:01:06
如何去判別晶體管材料與極性？如何去檢測晶體管的性能？怎樣去檢測特殊晶體管？
2021-05-13 07:23:57
。晶體管的正確直流偏置還會通過使用兩個或四個電阻偏置網絡的實際偏置電路來建立其初始交流工作區域。在雙極型晶體管電路中， 對于NPN晶體管，Q點由（V CE，I C）表示， 對于PNP晶體管，Q點由
2020-11-12 09:18:21
電流源的重要特性 有哪些？有什么作用？ 如何進行電流鏡配置？
2021-03-11 07:06:13
該分相器是另一種類型的雙極結型晶體管的，（BJT）的配置，其中單個正弦輸入信號被分成由180個電角度相位彼此不同兩個獨立的輸出。
2019-08-01 16:03:32
減小勢壘電容）和減小基極反向偏壓的大小（以使得發射結能夠盡快能進入正偏而開啟晶體管）；而從晶體管使用來說，可以增大輸入基極電流脈沖的幅度，以加快對結電容的充電速度（但如果該基極電流太大，則將使晶體管在
2019-09-22 08:00:00
常用場效應管及晶體管參數常用場效應管及晶體管參數場效應管的主要參數 (1)直流參數 飽和漏極電流IDSS 它可定義為：當柵、源極之間的電壓等于零，而漏、源極之間的電壓大于夾斷電壓時，對應的漏極電流
2008-08-12 08:39:59
結型晶體管（BJT）和場效應晶體管（FET）。前者是本次討論的重點。 雙極結型晶體管的類型 BJT安排有兩種基本類型：NPN和PNP。這些名稱是指構成組件的P型（正極）和N型（負極）半導體材料
2023-02-17 18:07:22
減小勢壘電容）和減小基極反向偏壓的大小（以使得發射結能夠盡快能進入正偏而開啟晶體管）；而從晶體管使用來說，可以增大輸入基極電流脈沖的幅度，以加快對結電容的充電速度（但如果該基極電流太大，則將使晶體管在
2019-08-19 04:00:00
晶體管的半導體的電流由空穴（正極性）和電子（負極性）產生。一般而言的晶體管是指這種由硅構成的晶體管。FETField Effect Transistor的簡稱，是指場效應晶體管。有接合型FET和MOS型
2019-05-05 01:31:57
。三極管是電流控制型器件。 Mos管是金屬(metal)-氧化物(oxid)-半導體(semiconductor)場效應晶體管。或者稱是金屬-絕緣體(insulator)-半導體。MOS管的源
2018-10-24 14:30:27
泛的器件之一，在電路中用“V”或“VT”（舊文字符號為“Q”、“GB”等）表示。半導體三極管主要分為兩大類：雙極性晶體管（BJT）和場效應晶體管（FET）。晶體管有三個極；雙極性晶體管的三個極，分別由N型
2017-09-19 10:22:59
2000一5000（α＝0.995-0.9998）。 是以P型襯底作為集電極，因此只有集成元器件之間采用PN結隔離槽的集成電路才能制作這種結構的管子。由于這種結構管子的載流子是沿著晶體管斷面的垂直
2019-04-30 06:00:00
絕緣柵雙極型晶體管檢測方法
2009-12-10 17:18:39
絕緣柵極雙極性晶體管(IGBT)是適用于高壓應用的經濟高效型解決方案，如車載充電器、非車載充電器、DC-DC快速充電器、開關模式電源(SMPS)應用。開關頻率范圍：直流至100 kHz。IGBT可以
2020-10-27 09:07:21
的比值，使其成為一個跨導器件，IGBT 也是如此。然后我們可以把 IGBT 看作是由 MOSFET 提供基極電流的功率 BJT。絕緣柵雙極性晶體管可以用在小信號放大電路中，與 BJT 或 MOSFET
2022-04-29 10:55:25
請問BJT工藝的線性穩壓源為什么多是PNP型晶體管呢？
2023-03-31 11:56:49
雙極性晶體管與MOSFET對比分析哪個好？
2021-04-20 06:36:55
這個晶體管為什么是開關管的作用，還有電流方向是怎樣的？
2018-12-28 15:41:49
采用雙極性晶體管的基準電源電路
2019-09-10 10:43:51
`在傳統MOSFET中，載流子從源極越過pn結勢壘熱注入到溝道中。而隧穿場效應晶體管（Tunneling Field-Effect Transistor或者TFET）的工作原理是帶間隧穿
2018-10-19 11:08:33
、上位機等，給新手綜合學習的平臺，給老司機交流的平臺。所有文章來源于項目實戰，屬于原創。一、原理介紹晶體三極管中有兩種帶有不同極性電荷的載流子參與導電，故稱之為雙極性晶體管(BJT),又稱半導體三...
2021-07-21 06:31:06
晶體管，另一個則采用 PNP 晶體管，如圖 2 所示。圖 2：脈沖電流源方框圖盡管 SC 的輸出是雙極性，但我們開發的是單極性輸出，可快速評估該電源的可行性和性能。我們將晶體管陣列用于電流鏡實施
2018-09-20 15:19:42
本實驗的目的是研究雙極性結型晶體管(BJT)電流源或電流鏡。電流源的重要特性包括:在寬順從電壓范圍保持高輸出阻抗、能抑制外部變化(如電源或溫度)的影響。背景知識電流鏡是一種電路模塊,通過復制輸出端子的電流來產生完全一樣的流入/流出輸入端子電流
2020-12-24 14:39:15741 首先介紹了雙極性晶體管（BJT）的工作原理，接著演示了晶體管的伏安（I-V）特性，電流增益（current gain）和輸出電導（conductance）。高能注入和重摻雜帶來的能帶狹窄也會介紹
2022-12-05 11:20:09842 首先介紹了雙極性晶體管（BJT）的工作原理，接著演示了晶體管的伏安（I-V）特性，電流增益（current gain）和輸出電導（conductance）。高能注入和重摻雜帶來的能帶狹窄也會介紹到。
2023-02-02 14:15:301101 
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