為了改善晶體管的開(kāi)關(guān)特性，減小晶體管的損耗，在晶體管基極驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)上會(huì)采取一些加速措施。如下：

加速電路一

在加速電路一中，并聯(lián)在RB兩端的電容CB稱為加速電容，數(shù)值一般在1nf~3.3nf。當(dāng)Nb上端產(chǎn)生一個(gè)正的驅(qū)動(dòng)電壓時(shí)，由于電容兩端電壓不能突變，上電瞬間電容如同短路，因此可認(rèn)為為VT1提供了很大的正向基極電流，使晶體管迅速導(dǎo)通。之后，電容CB被充電至激勵(lì)電壓的峰值而進(jìn)入穩(wěn)態(tài)。當(dāng)晶體管的驅(qū)動(dòng)電壓突變?yōu)?時(shí)，還是因?yàn)殡娙蓦妷翰荒芡蛔儯珻B兩端的電壓加到VT1的發(fā)射結(jié)上，可以形成很大的反向基極抽取電流，使VT1迅速關(guān)閉并進(jìn)入問(wèn)題。

加速電路二

在加速電路二中，高速開(kāi)關(guān)二極管IN4148與電阻R1的作用是當(dāng)晶體管VT1截止時(shí)，為反向基極電流提供一個(gè)低阻抗的通路。

加速電路三

在加速電路三中，并聯(lián)在基極電阻RB兩端的高速開(kāi)關(guān)二極管IN4148的作用是當(dāng)晶體管VT1截止時(shí)，為反向基極電流提供通路，迅速釋放基極與發(fā)射極間電容儲(chǔ)存的電量，加快晶體管的關(guān)閉。
責(zé)任編輯人：CC