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標(biāo)簽 > 晶體管
晶體管(transistor)是一種固體半導(dǎo)體器件,具有檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓、信號(hào)調(diào)制等多種功能。晶體管作為一種可變電流開關(guān),能夠基于輸入電壓控制輸出電流。與普通機(jī)械開關(guān)(如Relay、switch)不同,晶體管利用電訊號(hào)來(lái)控制自身的開合,而且開關(guān)速度可以非常快,實(shí)驗(yàn)室中的切換速度可達(dá)100GHz以上。
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mos管,即在集成電路中絕緣性場(chǎng)效應(yīng)管。是金屬(metal)—氧化物(oxid)—半導(dǎo)體(semiconductor)場(chǎng)效應(yīng)晶體管。
2023-02-12 標(biāo)簽:場(chǎng)效應(yīng)管MOS管晶體管 1437 0
GaN技術(shù)的出現(xiàn)使行業(yè)從TWT放大器轉(zhuǎn)向GaN放大器作為許多此類系統(tǒng)的輸出級(jí)。許多這些系統(tǒng)中的驅(qū)動(dòng)放大器仍然通常是GaAs,因?yàn)槠渲性S多技術(shù)已經(jīng)存在并繼...
時(shí)間繼電器是一種延時(shí)控制繼電器,它在得到動(dòng)作信號(hào)后并不是立即讓觸點(diǎn)動(dòng)作,而是延遲一段時(shí)間才讓觸點(diǎn)動(dòng)作。 時(shí)間繼電器主要用在各種自動(dòng)控制系統(tǒng)和電動(dòng)機(jī)的啟動(dòng)...
2023-02-21 標(biāo)簽:繼電器電動(dòng)機(jī)時(shí)間繼電器 1436 0
雖然 WAT測(cè)試類型非常多,不過(guò)業(yè)界對(duì)于 WAT測(cè)試類型都有一個(gè)明確的要求,就是包括該工藝技術(shù)平臺(tái)所有的有源器件和無(wú)源器件的典型尺寸。芯片代工廠會(huì)依據(jù)這...
先來(lái)看看運(yùn)算放大器和比較器的內(nèi)部結(jié)構(gòu)示意圖,從圖中也可以看出,比較器采用雙晶體管推挽輸出,而比較器一般是單晶體管OC輸出(集電極開路)。
2023-10-07 標(biāo)簽:運(yùn)算放大器比較器晶體管 1435 0
摩爾定律究竟所言何物?它何以如此成功?它是否論證了不可阻擋的科技發(fā)展趨勢(shì)?或者,它是否只是反映了工程學(xué)歷史上的一段獨(dú)特時(shí)期?正是在這段時(shí)間里,憑借硅晶的...
茂睿芯柵極驅(qū)動(dòng)應(yīng)用原理與技術(shù)特點(diǎn)
簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō),柵極驅(qū)動(dòng)器是一個(gè)用于放大來(lái)自微控制器或其他來(lái)源的低電壓或低電流的緩沖電路。在某些情況下,例如驅(qū)動(dòng)用于數(shù)字信號(hào)傳輸?shù)倪壿嬰娖骄w管時(shí),使用微控制...
2023-04-18 標(biāo)簽:微控制器晶體管數(shù)字信號(hào) 1433 0
單片CMOS CFET:具有挑戰(zhàn)性的工藝步驟和模塊
英特爾將其在半導(dǎo)體和封裝研究與技術(shù)方面的實(shí)力和專業(yè)知識(shí)與歐洲合作伙伴合作,以開發(fā)摩爾定律創(chuàng)新并推動(dòng)歐洲的微電子技術(shù)發(fā)展。
正弦振蕩電路是一種電子振蕩電路,它能夠產(chǎn)生穩(wěn)定的正弦波形輸出。這種電路在電子學(xué)、通信、信號(hào)處理等領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用。 1. 正弦振蕩電路的基本原理 正弦...
基極電流是電子學(xué)和半導(dǎo)體物理學(xué)中的一個(gè)重要概念,它是指在晶體管中,從基極流向發(fā)射極的電流。晶體管是一種半導(dǎo)體器件,廣泛應(yīng)用于電子電路中,其工作原理基于P...
2024-07-18 標(biāo)簽:晶體管pnp半導(dǎo)體器件 1423 0
集成芯片,即將多個(gè)電子元件(如晶體管、電阻、電容等)集成在一個(gè)小型的硅片或其他半導(dǎo)體材料上制成的微小電路,是現(xiàn)代電子設(shè)備中不可或缺的核心組成部分。
集成運(yùn)算放大器是一種高度集成的模擬電路器件,它通常由多個(gè)功能模塊組合而成,以實(shí)現(xiàn)信號(hào)的放大、處理和控制等功能。其主要組成單元包括差分放大器(輸入級(jí))、中...
“功率器件”是指逆變器、轉(zhuǎn)換器等電力轉(zhuǎn)換設(shè)備以及安裝在其中的半導(dǎo)體元件。按功能劃分,有功率晶體管(MOSFET、IGBT等)、二極管、晶閘管、雙向可控硅...
普通達(dá)林頓管內(nèi)部由兩只或多只晶體管的集電極連接在一起復(fù)合而成,其基極b 與發(fā)射極e之間包含多個(gè)發(fā)射結(jié)。檢測(cè)時(shí)可使用萬(wàn)用表的R×1 kΩ或R×10 kΩ檔來(lái)測(cè)量。
2017-08-14 標(biāo)簽:萬(wàn)用表晶體管普通達(dá)林頓管 1416 0
該研究分別在P型及N型OECT中實(shí)現(xiàn)了跨導(dǎo)10多倍和近1000倍的指標(biāo)提升,且將N型OECT中最高千次的循環(huán)穩(wěn)定性提升到了五萬(wàn)次以上,并實(shí)現(xiàn)了P/N型O...
放大電路輸出的信號(hào)增加的能量主要來(lái)源于 放大電路的工作電源 。 在放大電路中,當(dāng)輸入信號(hào)經(jīng)過(guò)電路處理后,其幅度(電壓或電流)得到增大,這一過(guò)程需要消耗能...
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