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晶體管

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晶體管（transistor）是一種固體半導(dǎo)體器件，具有檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓、信號調(diào)制等多種功能。晶體管作為一種可變電流開關(guān)，能夠基于輸入電壓控制輸出電流。與普通機械開關(guān)（如Relay、switch）不同，晶體管利用電訊號來控制自身的開合，而且開關(guān)速度可以非常快，實驗室中的切換速度可達100GHz以上。

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晶體管技術(shù)

使用雙極性結(jié)型晶體管(BJT)和NMOS晶體管的穩(wěn)定電流源

本文將重點討論使用雙極性結(jié)型晶體管(BJT)和NMOS晶體管的穩(wěn)定電流源。

2022-08-01 標簽：晶體管電流源 2398 0

DRAM靈敏放大器的工作原理

DRAM 靈敏放大器是由兩個交叉耦合的CMOS反相器組成的簡單電路，因此它是一個SRAM單元。

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深入探討MOS管的工作原理

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晶體管的功能以及工作原理

晶體管的功能晶體管具有放大和開關(guān)電信號的功能。比如在收音機中，會擴大（放大）空中傳輸過來的非常微弱的信號，并通過揚聲器播放出來。這就是晶體管的放大作...

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DRAM存儲器的特性有哪些

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PNP晶體管的通用發(fā)射極配置

在PNP的共發(fā)射極配置中，晶體管發(fā)射極是輸入側(cè)和輸出側(cè)共用的端子。要放大的信號施加在構(gòu)成輸入電路的基極和發(fā)射極之間，而放大的輸出電壓則在形成輸出電路的集...

2024-05-05 標簽：晶體管 pnp 共發(fā)射極 2389 0

淺談蝕刻工藝開發(fā)的三個階段

納米片工藝流程中最關(guān)鍵的蝕刻步驟包括虛擬柵極蝕刻、各向異性柱蝕刻、各向同性間隔蝕刻和通道釋放步驟。通過硅和 SiGe 交替層的剖面蝕刻是各向異性的，并使...

2023-05-30 標簽：晶體管蝕刻工藝 3d nand 2386 0

三極管溫度特性的影響因素

三極管作為電子電路中的核心元件，其溫度特性對電路的性能和穩(wěn)定性具有重要影響。深入了解三極管溫度特性的影響因素，有助于我們在設(shè)計和應(yīng)用過程中更好地控制和管...

2024-07-30 標簽：三極管晶體管溫度特性 2386 0

恒流源與恒壓源的設(shè)計實現(xiàn)

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低噪聲放大器的設(shè)計原則

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如何設(shè)計和使用緩沖器

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英特爾工藝技術(shù)在走下坡路？工藝技術(shù)比許多技術(shù)要復(fù)雜得多

鑒于摩爾定律是指數(shù)趨勢，那就意味著即使僅一步也可以帶來巨大的競爭優(yōu)勢。例如，對于游戲玩家來說，性能提高2倍的GPU可能意味著獲得60fps而不是30fps。

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芯片設(shè)計進階之路—從CMOS到建立時間和保持時間

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輸入信號怎么接進電路中

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為防止靜電積累所引起的人身電擊、火災(zāi)和爆炸、電子器件失效和損壞，以及對生產(chǎn)的不良影響而采取的防范措施。其防范原則主要是抑制靜電的產(chǎn)生，加速靜電泄漏，進行靜電中和等。
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wifi模塊ESP8266的默認波特率是115200，但是單片機不能達到那么快的傳輸速率，只能使用4800bps，那么設(shè)置的時候，必不可少的要先用轉(zhuǎn)串口調(diào)試下載器。

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