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標(biāo)簽 > 晶體管
晶體管(transistor)是一種固體半導(dǎo)體器件,具有檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓、信號(hào)調(diào)制等多種功能。晶體管作為一種可變電流開關(guān),能夠基于輸入電壓控制輸出電流。與普通機(jī)械開關(guān)(如Relay、switch)不同,晶體管利用電訊號(hào)來控制自身的開合,而且開關(guān)速度可以非常快,實(shí)驗(yàn)室中的切換速度可達(dá)100GHz以上。
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硬件調(diào)試是硬件系統(tǒng)設(shè)計(jì)、開發(fā)和制造過程中不可或缺的一環(huán),旨在對(duì)可能出現(xiàn)的問題進(jìn)行分析和解決。以下是進(jìn)行硬件調(diào)試的一般步驟和方法: 一、準(zhǔn)備階段 熟悉設(shè)計(jì)...
?之前講述的共射極放大電路,放大倍數(shù)只有5倍。就算再努力一點(diǎn),也只能達(dá)到十幾倍,放大倍數(shù)太小。本節(jié)嘗試把1KHz,10毫伏峰峰值的正弦波,放大100倍。
2023-04-21 標(biāo)簽:放大器放大電路電路設(shè)計(jì) 2294 0
線性穩(wěn)壓器的經(jīng)典模式 如何進(jìn)行效率計(jì)算
該經(jīng)典模式的線性穩(wěn)壓器通常包括一個(gè)PNP型晶體管、一個(gè)參考電壓源、一個(gè)調(diào)整電阻以及輸入和輸出濾波電容等元件。該電路中,PNP型晶體管作為控制元件,參...
金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (MOSFET) 是一種場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (FET) 電子器件。它可以充當(dāng)壓控電流源,并主要用作開關(guān)或用于放大電信號(hào)。MOSF...
關(guān)于功率放大器功率放大器,作為一種可放大交直流信號(hào),在給定失真率條件下,能產(chǎn)生最大功率輸出以驅(qū)動(dòng)某一負(fù)載的實(shí)驗(yàn)室儀器,在MEMS測(cè)試、超聲波測(cè)試、電磁場(chǎng)...
一文詳細(xì)告訴你如何避免MOSFET常見問題和失效模式
今天給大家分享一個(gè)infineon的文檔《使用功率MOSFET進(jìn)行設(shè)計(jì),如何避免常見問題和故障模式》。
IGBT 模塊是由 IGBT(絕緣柵雙極型晶體管芯片)與 FWD(續(xù)流二極管芯片)通過特定的電路橋接封裝而成的模塊化半導(dǎo)體產(chǎn)品;封裝后的 IGBT 模塊...
2024-03-27 標(biāo)簽:場(chǎng)效應(yīng)管IGBT晶體管 2281 0
**氮化鎵**晶體管和**碳化硅** MOSFET是近兩三年來新興的功率半導(dǎo)體,相比于傳統(tǒng)的硅材料功率半導(dǎo)體,他們都具有許多非常優(yōu)異的特性:耐壓高,導(dǎo)通...
隨著采用塑料封裝的539MHz模擬乘法器AD60JN的推出,寬帶增益控制現(xiàn)在能夠以低成本實(shí)現(xiàn)。與ADI公司或Signetics公司提供的5539N寬帶運(yùn)...
2023-02-23 標(biāo)簽:放大器運(yùn)算放大器晶體管 2280 0
igbt驅(qū)動(dòng)波形主要看什么參數(shù)
IGBT(絕緣柵雙極晶體管)驅(qū)動(dòng)波形是電力電子技術(shù)中非常重要的一個(gè)方面,它直接影響到IGBT的開關(guān)速度、損耗、可靠性等性能指標(biāo)。在本文中,我們將介紹IG...
2024-07-25 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)IGBT晶體管 2278 0
單相逆變電路是將直流電能轉(zhuǎn)換為交流電能的一種電力電子設(shè)備,廣泛應(yīng)用于家用電器、電力系統(tǒng)、可再生能源等領(lǐng)域。單相逆變電路的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)是其設(shè)計(jì)和性能的關(guān)鍵因素...
2024-07-08 標(biāo)簽:電子設(shè)備晶體管拓?fù)浣Y(jié)構(gòu) 2278 0
創(chuàng)新型全芯片LVS檢查工具:加速驗(yàn)證流程,提升設(shè)計(jì)效率
隨著片上系統(tǒng)(SoC)設(shè)計(jì)領(lǐng)域的不斷發(fā)展,設(shè)計(jì)的復(fù)雜性與芯片技術(shù)的持續(xù)進(jìn)步緊密交織,共同推動(dòng)著電子設(shè)備未來的發(fā)展。
2024-03-12 標(biāo)簽:晶體管片上系統(tǒng)SoC芯片 2277 0
為了通過微控制器板(例如Arduinos或Raspberry Pis)打開LED或操作繼電器,需要使用帶有晶體管和電阻的驅(qū)動(dòng)電路(開關(guān))。驅(qū)動(dòng)電路很簡(jiǎn)單...
2023-05-29 標(biāo)簽:微控制器晶體管驅(qū)動(dòng)電路 2274 0
BC109是一個(gè)NPN型的小信號(hào)晶體管,主要由三個(gè)區(qū)域組成:發(fā)射區(qū)(Emitter)、基區(qū)(Base)和集電區(qū)(Collector)。這三個(gè)區(qū)域通過PN...
MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管(簡(jiǎn)稱MOS管)是一種新型的半導(dǎo)體器件,圖1是N溝導(dǎo)MOS管芯結(jié)構(gòu)原理圖,即在P型硅基片上有兩個(gè) N+擴(kuò)散區(qū),其中一個(gè)稱源,用S表示,...
雖然只有12年的歷史,但finFET已經(jīng)走到了盡頭。從3nm開始,它們將被環(huán)柵 (GAA)取代,預(yù)計(jì)這將對(duì)芯片的設(shè)計(jì)方式產(chǎn)生重大影響。
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