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標簽 > 損耗
損耗,一般指損失,受損失或耗費的意思。在信號專業(yè)中指信號電平或強度的減少,通常用分貝表示。也指沒有實際用途的功率耗散。
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編者注:本文的內(nèi)容其實比較簡潔,前面兩個因素結(jié)合ADS仿真原理圖給大家介紹,有興趣的也可以照著做做。很多總線都會給處損耗的要求,所以對于設(shè)計工程師而言,...
二極管作為一種重要的半導(dǎo)體器件,在電子電路中扮演著至關(guān)重要的角色。然而,在二極管的實際應(yīng)用中,反向恢復(fù)損耗是一個不容忽視的問題。本文將對二極管的反向恢復(fù)...
DC/DC評估篇損耗探討-同步整流降壓轉(zhuǎn)換器死區(qū)時間的損耗
上一篇文章中介紹了同步整流降壓轉(zhuǎn)換器的開關(guān)節(jié)點產(chǎn)生的開關(guān)損耗。本文將探討開關(guān)節(jié)產(chǎn)生的死區(qū)時間損耗。死區(qū)時間損耗是指在死區(qū)時間中因低邊開關(guān)(MOSFET)...
2023-02-23 標簽:控制電路降壓轉(zhuǎn)換器損耗 3385 0
電纜分為信號電纜和動力電纜。動力電纜是傳輸電能的載體,電網(wǎng)系統(tǒng)也是由一根根的電纜組成。從源頭發(fā)電廠到終端用戶端的用電都是依靠著電纜的傳輸。
由上篇文章介紹可知,當(dāng)開關(guān)管關(guān)斷時漏感能量沒辦法傳遞到副邊去,漏感能量由原邊二極管D給吸收電容充電。假設(shè)漏感能量全部被RCD能量吸收,漏感中儲存的總的能...
本節(jié)分三部分描述PCB板的介質(zhì)層帶來的信號損耗。包括理想的介質(zhì)材料,現(xiàn)實中的介質(zhì)材料分別施加直流信號和交流信號時的狀況。
2023-04-23 標簽:PCB設(shè)計信號完整性損耗 3329 0
開關(guān)電源中的MOS管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管...
2024-08-07 標簽:開關(guān)電源MOS管損耗 3167 0
與大多數(shù)功率半導(dǎo)體相比,IGBT 通常需要更復(fù)雜的一組計算來確定芯片溫度。這是因為大多數(shù) IGBT 都采用一體式封裝,同一封裝中同時包含 IGBT 和二...
MOS管的損耗是一個復(fù)雜而重要的議題,它涉及到多個因素,包括MOS管本身的物理特性、電路設(shè)計、工作條件以及外部環(huán)境等。
今天在網(wǎng)上找到一份芯片的應(yīng)用指南,上面介紹了比較詳細的射頻基礎(chǔ)知識,我們就這這份指南一起再來復(fù)習(xí)一下。溫故而知新。這份指南的下載鏈接,我放在了文末留言處...
開關(guān)電源/開關(guān)MOS管/開關(guān)變壓器損耗講解
今天給大家分享的是:開關(guān)電源損耗與效率、開關(guān)晶體管損耗、開關(guān)變壓器損耗。
2023-06-16 標簽:變壓器開關(guān)電源MOS管 2756 0
MOSFET作為主要的開關(guān)功率器件之一,被大量應(yīng)用于模塊電源。了解MOSFET的損耗組成并對其分析,有利于優(yōu)化MOSFET損耗,提高模塊電源的功率;但是...
磁滯損耗是鐵磁體等在反復(fù)磁化過程中因磁滯現(xiàn)象而消耗的能量。磁滯指鐵磁材料的磁性狀態(tài)變化時,磁化強度滯后于磁場強度,它的磁通密度B與磁場強度 H之間呈現(xiàn)磁...
有哪些環(huán)節(jié)會帶來雷達系統(tǒng)的損耗?
但是,實際雷達常有各種損耗,從而降低了雷達的實際作用距離,需要在雷達方程中引入損耗的修正量Ls,把它加到雷達方程的分母中,用正分貝表示。雷達系統(tǒng)中有很多...
2022-11-08 標簽:損耗雷達系統(tǒng)CFAR 2573 0
在器件設(shè)計選擇過程中需要對 MOSFET 的工作過程損耗進行先期計算(所謂先期計算是指在沒能夠測試各工作波形的情況下,利用器件規(guī)格書提供的參數(shù)及工作電路...
2023-06-10 標簽:電源MOSFET開關(guān)電源 1974 0
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