線路電能損耗計算方法:線路電能損耗計算方法 A1 線路電能損耗計算的基本
發(fā)表于 01-27 11:53
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針對目前PWM 逆變器中廣泛使用的IGBT,提出了一種快速損耗計算方法。該方法只需已知所使用的IGBT 器件在額定狀態(tài)下的特性參數(shù),就可以快速估算各種條件下的功率損耗。該
發(fā)表于 09-01 16:42
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詳解MOS驅(qū)動電路功率損耗的構成以及計算方法
發(fā)表于 04-13 08:35
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我們將在DC/DC轉換器評估篇“開關穩(wěn)壓器的特性和評估方法”中,增加“
發(fā)表于 03-10 17:46
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在探討損耗之前,我們先來看一下損耗相關的定義以及發(fā)熱和結溫。損耗與效率:為了更好地理解,我們來看一下效率的定義、以及效率與損耗之間的關系。效
發(fā)表于 03-01 11:49
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本文開始探討同步整流降壓轉換器的損耗。首先,我們來看一下同步整流降壓轉換器發(fā)生損耗的部位。然后,會對各部位的損耗進行探討。同步整流降壓轉換器
發(fā)表于 02-23 10:40
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在上一篇文章中,我們了解了同步整流降壓轉換器的損耗發(fā)生位置,并介紹了轉換器整體的損耗是各部位的損耗之和。從本文開始將探討各部位的
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上一篇文章中介紹了同步整流降壓轉換器的開關節(jié)點產(chǎn)生的開關損耗。本文將探討開關節(jié)產(chǎn)生的死區(qū)時間損耗。死區(qū)時間損耗是指在死區(qū)時間中因低邊開關(M
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上一篇文章中探討了同步整流降壓轉換器的功率開關--輸出端MOSFET的傳導損耗。本文將探討開關節(jié)點產(chǎn)生的開關損耗。開關
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繼上一篇“死區(qū)時間損耗”之后,本文將探討控制IC(Controller)自身功耗中的損耗。控制IC的自身功率損耗,在該例中,使用同步整流式控
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本文是各損耗發(fā)生部分的最后一篇,將探討輸出電感DCR相關的損耗,即下圖中淺藍色的“PCOIL”所示的部分。電感的DCR帶來的傳導損耗,電感的
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此前計算了損耗發(fā)生部分的損耗,本文將介紹匯總這些損耗并作為電源IC的損耗進行計算的例子。電源IC
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繼上一篇文章“封裝選型時的熱計算示例 1”之后,本文將作為“熱計算示例 2”,繼續(xù)探討為了使用目標封裝而采取的相應對策。封裝選型時的熱計算示
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本文將探討工作條件和損耗增加之間的關系。損耗因素:此前介紹過在電源電路的很多部位都會產(chǎn)生損耗,整體損耗的構成部分--特定部位的
發(fā)表于 02-23 10:40
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DC/DC轉換器評估篇“損耗探討”共分10篇文章進行
發(fā)表于 03-01 18:18
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