MOS管的開關(guān)損耗計算

CCM 模式與 DCM 模式的開關(guān)損耗有所不同。先講解復(fù)雜 CCM 模式，DCM 模式很簡單了。

2023-07-17 標(biāo)簽：開關(guān)電源MOS管DCM 1.7萬 0

幾種典型的軟開關(guān)電路分享

目前電力電子設(shè)備的發(fā)展趨勢都是小型化，同時對裝置的效率和電磁兼容性有著很高的要求。 設(shè)備向著高頻化的方向發(fā)展，這樣可以減小濾波器、變壓器等器件的體積和重...

2023-04-11 標(biāo)簽：變壓器開關(guān)電路濾波器 1.5萬 0

開關(guān)電源調(diào)試一般設(shè)計要求與要求

1.變壓器飽和變壓器飽和現(xiàn)象在高壓或低壓輸入下開機(包含輕載,重載,容性負載),輸出短路,動態(tài)負載,高溫等情

2017-09-24 標(biāo)簽：變壓器電源管理開關(guān)損耗 1.1萬 0

基于CMM下開關(guān)損耗和反激開關(guān)損耗分析以及公式計算

1、CCM 模式開關(guān)損耗 CCM 模式與 DCM 模式的開關(guān)損耗有所不同。先講解復(fù)雜 CCM 模式，DCM 模式很簡單了。

2018-01-13 標(biāo)簽：cmm開關(guān)損耗 9971 0

MOSFET開關(guān)損耗的計算方法

MOS管在電源應(yīng)用中作為開關(guān)用時將會導(dǎo)致一些不可避免的損耗，這些損耗可以分為兩類。

2023-03-26 標(biāo)簽：電源MOSFET電容 9923 0

入了解SiC MOSFET實現(xiàn)建議和解決方案示例

對于電網(wǎng)轉(zhuǎn)換、電動汽車或家用電器等高功率應(yīng)用，碳化硅 (SiC) MOSFET 與同等的硅 IGBT 相比具有許多優(yōu)勢，包括更快的開關(guān)速度、更高的電流密...

2018-07-04 標(biāo)簽：MOSFETSiC開關(guān)損耗 9904 0

全橋LLC電路移相發(fā)波原理詳解

在調(diào)寬狀態(tài)當(dāng)占空比較小的時候，由圖 2可知調(diào)寬橋臂MOS管Sa和Sb的驅(qū)動信號有很長一段時間處于低電平，諧振電流只能流過MOS管的體二極管。一旦諧振電流...

2023-03-30 標(biāo)簽：MOS管LLC功率電路 9807 0

通過AI嵌入實現(xiàn)EV范圍提高多達12％

Pre-Switch通過將AI嵌入到FPGA中來解決這一挑戰(zhàn)，該FPGA用于精確控制輔助諧振晶體管的時序，如圖1所示為S1和S2。

2021-03-16 標(biāo)簽：fpgaAI開關(guān)損耗 9754 0

開關(guān)損耗的準(zhǔn)確測量

一個高質(zhì)量的開關(guān)電源效率高達95%，而開關(guān)電源的損耗大部分來自開關(guān)器件（MOSFET和二極管），所以正確的測量開關(guān)器件的損耗，對于效率分析是非常關(guān)鍵的。

2019-07-31 標(biāo)簽：開關(guān)電源開關(guān)損耗 6534 0

有源鉗位反激轉(zhuǎn)換器如何比傳統(tǒng)QRF運行得更快

QRF 功率轉(zhuǎn)換器是 150W 或更低輸出功率范圍內(nèi)的低功率離線應(yīng)用的熱門選擇，原因有很多

2022-08-10 標(biāo)簽：轉(zhuǎn)換器電源轉(zhuǎn)換器開關(guān)損耗 6088 0

提升電源效率帶LLC的PFC常規(guī)模擬控制設(shè)計解決方案

最近幾十年，電源的效率要求發(fā)展迅猛，與曾經(jīng)教科書中描述的要求大相徑庭，實現(xiàn)既定額定條件下的高效率只是設(shè)計的第一步，而真正完全合格且具有競爭力的電源設(shè)計必...

2020-12-18 標(biāo)簽：電源設(shè)計EMI濾波器LLC 6028 0

MOS管的開關(guān)損耗計算

MOS 管的開關(guān)損耗對ＭOS 管的選型和熱評估有著重要的作用，尤其是在高頻電路中，比如開關(guān)電源，逆變電路等。

2023-07-23 標(biāo)簽：MOSFETMOS管功率損耗 5254 0

一文徹底了解MOS管

要比喻的話，三極管像綠皮車，MOS管像高鐵。

2023-07-05 標(biāo)簽：三極管MOSFETMOS管 4923 0

詳解MOS管的米勒效應(yīng)、開關(guān)損耗、導(dǎo)通損耗、續(xù)流損耗

要比喻的話，三極管像綠皮車，MOS管像高鐵。

2023-08-21 標(biāo)簽：MOSFET場效應(yīng)管MOS管 4855 0

DC-DC開關(guān)頻率的選擇(2)

引言：上節(jié)（傳送門：DC-DC-21：如何選擇DC-DC的開關(guān)頻率-1簡述了DC-DC的工作頻率定義和基本的頻率影響因素，本節(jié)簡述開關(guān)頻率的另一個選擇考...

2023-07-04 標(biāo)簽：PCBDC-DC開關(guān)頻率 3441 0