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開關(guān)電源調(diào)試一般設(shè)計(jì)要求與要求

0BFC_eet_china ? 來源:互聯(lián)網(wǎng) ? 作者:佚名 ? 2017-09-24 21:51 ? 次閱讀

1.變壓器飽和

變壓器飽和現(xiàn)象

高壓或低壓輸入下開機(jī)(包含輕載,重載,容性負(fù)載),輸出短路,動態(tài)負(fù)載,高溫等情況下,通過變壓器(和開關(guān)管)的電流呈非線性增長,當(dāng)出現(xiàn)此現(xiàn)象時(shí),電流的峰值無法預(yù)知及控制,可能導(dǎo)致電流過應(yīng)力和因此而產(chǎn)生的開關(guān)管過壓而損壞.

變壓器飽和時(shí)的電流波形

容易產(chǎn)生飽和的情況:

-變壓器感量太大

-圈數(shù)太少

-變壓器的飽和電流點(diǎn)比IC的最大限流點(diǎn)小

-沒有軟啟動

解決辦法:

-降低IC的限流點(diǎn)

-加強(qiáng)軟啟動,使通過變壓器的電流包絡(luò)更緩慢上升

2.Vds過高

Vds的應(yīng)力要求

最惡劣條件(最高輸入電壓,負(fù)載最大,環(huán)境溫度最高,電源啟動或短路測試)下,Vds的最大值不應(yīng)超過額定規(guī)格的90%

Vds降低的辦法

-減小平臺電壓:

-減小變壓器原副邊圈數(shù)比

-減小尖峰電壓:

a.減小漏感,變壓器漏感在開關(guān)管開通是存儲能量是產(chǎn)生這個(gè)尖峰電壓的主要原因,減小漏感可以減小尖峰電壓

b.調(diào)整吸收電路:

?使用TVS

?使用較慢速的二極管,其本身可以吸收一定的能量(尖峰)

?插入阻尼電阻可以使得波形更加平滑,利于減小EMI

3.IC 溫度過高

IC溫度過高的原因及解決辦法

-內(nèi)部的MOSFET損耗太大

開關(guān)損耗太大,變壓器的寄生電容太大,造成MOSFET的開通、關(guān)斷電流與Vds的交叉面積大。

解決辦法是,增加變壓器繞組的距離,以減小層間電容,如同繞組分多層繞制時(shí),層間加入一層絕緣膠帶(層間絕緣) 。

-散熱不良

IC的很大一部分熱量依靠引腳導(dǎo)到PCB及其上的銅箔,應(yīng)盡量增加銅箔的面積并上更多的焊錫

-IC周圍空氣溫度太高

IC應(yīng)處于空氣流動暢順的地方,應(yīng)遠(yuǎn)離零件溫度太高的零件。

4.空載、輕載不能啟動

現(xiàn)象:

空載、輕載不能啟動,Vcc反復(fù)從啟動電壓和關(guān)斷電壓來回跳動。

原因及解決辦法:

空載、輕載時(shí),Vcc繞組的感應(yīng)電壓太低,而進(jìn)入反復(fù)重啟動狀態(tài)。

解決辦法:

增加Vcc繞組圈數(shù),減小Vcc限流電阻,適當(dāng)加上假負(fù)載。

如果增加Vcc繞組圈數(shù),減小Vcc限流電阻后,重載時(shí)Vcc變得太高,請參照穩(wěn)定Vcc的辦法。

5.啟動后不能加重載

可能的原因及解決辦法:

1.Vcc在重載時(shí)過高

重載時(shí),Vcc繞組感應(yīng)電壓較高,使Vcc過高并達(dá)到IC的OVP點(diǎn)時(shí),將觸發(fā)IC的過壓保護(hù),引起無輸出。

如果電壓進(jìn)一步升高,超過IC的承受能力,IC將會損壞。

2.內(nèi)部限流被觸發(fā)

-限流點(diǎn)太低

重載、容性負(fù)載時(shí),如果限流點(diǎn)太低,流過MOSFET的電流被限制而不足,使得輸出不足。解決辦法是增大限流腳電阻,提高限流點(diǎn)。

-電流上升斜率太大

上升斜率太大,電流的峰值會更大,容易觸發(fā)內(nèi)部限流保護(hù)。解決辦法是在不使變壓器飽和的前提下提高感量

6.待機(jī)輸入功率大

可能的原因及解決辦法:

  • Vcc在空載、輕載時(shí)不足

這種情況會造成空載、輕載時(shí)輸入功率過高,輸出紋波過大。

輸入功率過高的原因是,Vcc不足時(shí),IC進(jìn)入反復(fù)啟動狀態(tài),頻繁的需要高壓給Vcc電容充電,造成起動電路損耗。如果啟動腳與高壓間串有電阻,此時(shí)電阻上功耗將較大,所以啟動電阻的功率等級要足夠。

  • 電源IC 未進(jìn)入Burst Mode 或已經(jīng)進(jìn)入Burst Mode,但Burst 頻率太高

開關(guān)次數(shù)太多,開關(guān)損耗過大。

調(diào)節(jié)反饋參數(shù),使得反饋速度降低。

7.短路功率過大

現(xiàn)象:

輸出短路時(shí),輸入功率太大,Vds過高

原因:

輸出短路時(shí),重復(fù)脈沖多,同時(shí)開關(guān)管電流峰值很大,造成輸入功率太大過大的開關(guān)管電流在漏感上存儲過大的能量,開關(guān)管關(guān)斷時(shí)引起Vds高

輸出短路時(shí)有兩種可能引起開關(guān)管停止工作

  • 觸發(fā)OCP這種方式可以使開關(guān)動作立即停止。

  • 觸發(fā)反饋腳的OCP

  • 開關(guān)動作停止

  • Vcc下降到IC關(guān)閉電壓

  • Vcc重新上升到IC啟動電壓,而重新啟動

  • 觸發(fā)內(nèi)部限流

這種方式發(fā)生時(shí),限制可占空比,依靠Vcc下降到UVLO下限而停止開關(guān)動作,而Vcc下降的時(shí)間較長,即開關(guān)動作維持較長時(shí)間,輸入功率將較大。

  • 觸發(fā)內(nèi)部限流,占空比受限

  • Vcc下降到IC關(guān)閉電壓

  • 開關(guān)動作停止

  • Vcc重新上升到IC啟動電壓,而重新啟動

解決辦法:

-減少電流脈沖數(shù),使輸出短路時(shí)觸發(fā)反饋腳的OCP,可以使開關(guān)動作迅速停止工作,電流脈沖數(shù)將變少。這意味著短路發(fā)生時(shí),反饋腳的電壓應(yīng)該更快的上升。所以反饋腳的電容不可太大。

-減小峰值電流,

8.空載.輕載輸出紋波過大

可能的原因及解決辦法:

-Vcc在空載或輕載時(shí)不足

Vcc不足時(shí),它表現(xiàn)為: 在啟動電壓(如12V)和關(guān)斷電壓(如8V)之間振蕩

IC在周期較長的間歇工作,短時(shí)間提供能量到輸出,接著停止工作較長的時(shí)間,使得電容存儲的能量不足以維持輸出穩(wěn)定,輸出電壓將會下降。

解決方法:

保證任何負(fù)載條件下,Vcc能夠穩(wěn)定供給。

-Burst Mode時(shí),間歇工作的頻率太低

此頻率太低,輸出電容的能量不能維持穩(wěn)定。

解決辦法:

在滿足待機(jī)功耗要求的條件下稍微提高間歇工作的頻率

增大輸出電容

9.重載、容性負(fù)載不能啟動

現(xiàn)象:

輕載能夠啟動,啟動后也能夠加重載,但是重載或大容性負(fù)載情況下不能啟動。

一般設(shè)計(jì)要求:

無論重載還是容性負(fù)載(如10000uF),輸入電壓最低還是最低,20mS內(nèi),輸出電壓必須上升到穩(wěn)定值。

原因及解決辦法(保證Vcc在正常工作范圍內(nèi)的前提下):

下面以容性負(fù)載C=10000uF為例進(jìn)行分析,

按規(guī)格要求,必須有足夠的能量使輸出在20mS內(nèi)上升到穩(wěn)定的輸出電壓(如5V)。

E=0.5*C*V^2

電容C越大,需要在20mS內(nèi)從輸入傳輸?shù)捷敵龅哪芰扛蟆?/span>

以芯片F(xiàn)SQ0170RNA為例如圖所示,陰影部分總面積S就是所需的能量。要增加面積S,辦法是:

1.增大峰值電流限流點(diǎn)I_limit,可允許流過更大電感電流Id

將與Pin4相接的電阻增大,從內(nèi)部電流源Ifb分流更小,使作為電流限制參考電壓的PWM比較器正輸入端的電壓將上升,即允許更大的電流通過MOSFET/變壓器,可以提供更大的能量。

2.啟動時(shí),增加傳遞能量的時(shí)間,即延長Vfb的上升時(shí)間(到達(dá)OCP保護(hù)點(diǎn)前)。

對這款FSQ0170RNA芯片,電感電流控制是以Vfb為參考電壓的,Vfb電壓的波形與電感電流的包絡(luò)成正比。控制Vfb的上升時(shí)間即可控制電感包絡(luò)的上升時(shí)間,即增加傳遞能量的時(shí)間。

IC的OCP功能是檢測Vfb達(dá)到Vsd(如6V)實(shí)現(xiàn)的。所以要降低Vfb斜率,就可以延長Vfb的上升時(shí)間。

輸出電壓未達(dá)到正常值時(shí),如果反饋腳電壓Vfb已經(jīng)上升到保護(hù)點(diǎn),傳遞能量時(shí)間不夠。重載、容性負(fù)載啟動時(shí),輸出電壓建立較慢,加到光耦電壓較低,通過光耦二極管的電流小,光耦光敏管高阻態(tài)(趨向關(guān)斷)的時(shí)間較長。IC內(nèi)部電流源給與反饋腳相接的電容充電較快,如果Vfb在這段時(shí)間內(nèi)上升到保護(hù)點(diǎn)(如6V),MOSFET將關(guān)斷。輸出不能達(dá)到正常值,啟動失敗。

解決辦法:使輸出電壓達(dá)到正常值時(shí),反饋腳電壓Vfb仍然小于保護(hù)點(diǎn)。使Vfb遠(yuǎn)離保護(hù)點(diǎn)而緩慢上升,或延長反饋腳Vfb上升到保護(hù)點(diǎn)的時(shí)間,即降低Vfb的上升斜率,使輸出有足夠的時(shí)間上升到正常值。

A.增大反饋電容(C9),可以將Vfb的上升斜率降低,如圖所示,由D線變成A線。但是反饋電容太大會影響正常工作狀態(tài),降低反饋速度,使輸出紋波變大。所以此電容不能變化太大。

B.由于A方法有不足,將一個(gè)電容(C7)串連穩(wěn)壓管(D6,3.3V)并聯(lián)到反饋腳。此法不會影響正常工作,如B線所示,當(dāng)Vfb<3.3V時(shí),穩(wěn)壓管不會導(dǎo)通,分流。上升3.3V時(shí),穩(wěn)壓管進(jìn)入穩(wěn)壓狀態(tài),電容C7開始充電分流,減小后續(xù)Vfb的上升斜率。C。在431的K-A端并聯(lián)一個(gè)電容(C11),電源啟動時(shí),C11電壓較低,并由光耦二極管和431的偏置電阻R10進(jìn)行充電。這樣光耦就有較大電流通過,使光耦光敏管阻抗較低而分流,Vfb將緩慢上升,如C線所示。R10×C11影響充電時(shí)間,也就影響輸出的上升時(shí)間。

注意點(diǎn):

1.增加反饋腳電容(包括穩(wěn)壓管串電容),對解決超大容性負(fù)載問題作用較小。

2.增大峰值電流限流點(diǎn)I_limit,同時(shí)也增加了穩(wěn)態(tài)下的OCP點(diǎn)。需要在容性負(fù)載,輸入最低情況下檢查變壓器是否會飽和。

3.如果要保持限流點(diǎn),須使R10×C11更大,但在超大容性負(fù)載(10000uF)情況下,可能會增加5Vsb的上升時(shí)間超過20mS。

此法需要檢查動態(tài)響應(yīng)是否受太大影響。

4.431的偏置電阻R10太小,431并聯(lián)的C11要更大。

5.為了保證上升時(shí)間,增大OCP點(diǎn)和增大R10×C11方法可能要同時(shí)使用。

10.空載、輕載輸出反跳

現(xiàn)象:

在輸出空載或輕載時(shí),關(guān)閉輸入電壓,輸出(如5V)可能會出現(xiàn)如下圖所示的電壓反跳的波形。

原因:

輸入關(guān)掉時(shí),5V輸出將會下降,Vcc也跟著下降,IC停止工作,但是空載或輕載時(shí),巨大的PC電源大電容電壓并不能快速下降,仍然能夠給高壓啟動腳提供較大的電流使得IC重新啟動,5V又重新輸出,反跳。

解決方法:

  • 在啟動腳串入較大的限流電阻,使得大電容電壓下降到仍然比較高的時(shí)候也不足以提供足夠的啟動電流給IC。

  • 將啟動接到整流橋前,啟動不受大電容電壓影響。輸入電壓關(guān)斷時(shí),啟動腳電壓能夠迅速下降。


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原文標(biāo)題:開電源調(diào)試時(shí)最常見的10大問題總結(jié)!

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