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標簽 > 導通電阻
導通電阻是指二極管導通后兩端電壓與導通電流之比,是二極管的重要參數。
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dV/dt反映的是器件承受電壓變化速率的能力,越大越好。對系統來說,過高的dv/dt必然會帶來高的電壓尖峰,較差的EMI特性,不過該變化速率通過系統電路...
導通電阻,導通電阻的結構和作用是什么? 傳統模擬開關的結構如圖1所示,它由N溝道MOSFET與P溝道MOSFET并聯構成,可使正負信號傳輸,如果將不同VI
數字芯片最基本單元是MOSFET,其工藝發展到7nm、3nm、2nm,這個半導體工藝尺寸是MOSFET柵極(溝槽)寬度。早期MOSFET使用平面結構,溝...
在高溫下,溫度系數會顯著改變擊穿電壓。例如,一些600V電壓等級的N溝道MOSFET的溫度系數是正的,在接近最高結溫時,溫度系數會讓這些MOSFET變得...
英飛凌1200V CoolSiC? MOSFET助力不同功率的工業電源實現最高效率
英飛凌采用全新 D2PAK-7L 封裝的 1200V CoolSiC? MOSFET,導通電阻從 30m?到 350m?,可助力不同功率的工業電源、充電...
艾為電子推出超低導通電阻的雙通道單刀雙擲模擬開關-AW35321QNR
AW35321QNR是艾為電子推出的雙通道單刀雙擲模擬開關。0.5Ω(典型值)超低導通電阻以及只需要單電源供電即可支持負擺幅信號的特性使其非常適合應用于...
揚杰科技發布N40-150V SGT功率MOSFET新品,全面提升開關和導通特性
產品特點 1、優異的開關特性和導通特性; 2、更好的導通電阻溫度特性,顯著增強器件高溫下的電流能力和抗沖擊特性; 3、配合先進的封裝技術,SGT ...
近日,可靠性、高性能氮化鎵(GAN)電源轉換產品的先鋒企業和全球供應商Transphorm宣布推出新的240瓦電源適配器參考設計。
Vishay推出全球領先的汽車級80V P溝道MOSFET,以提高系統能效和功率密度
汽車級MOSFET導通電阻比最接近的DPAK封裝競品器件低28 %,比前代解決方案低31 %,占位面積減小50 %,有助于降低導通功耗,節省能源,同時增...
科銳推出新型SiC功率模塊產品系列——“Wolfspeed WolfPACK?
科銳推出新型SiC功率模塊產品系列,為電動汽車快速充電和太陽能市場提供業界領先的效率。
飛兆半導體推出了導通電阻RDS(ON)小于1mΩ的30V MOSFET,這款全新飛兆半導體器件FDMS7650是最大RDS(ON)值為0.99mΩ ...
Vishay推出最大導通電阻的20V P溝道MOSFET---Si7655DN
日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,推出業界首款采用3.3mm x 3.3mm封裝以實現在...
瑞薩電子日前發售了八款封裝尺寸僅為2mm×2mm的功率MOSFET。其中兩款產品“在封裝尺寸為2mm見方的產品中,實現了業界最高水平的低導通電阻”。
Vishay推出PowerPAK? 8x8L封裝60 V和80 V N溝道MOSFET,優異的RDS(ON)導通電阻低至0.65 mW
Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,推出兩款n溝道TrenchFET? MOSFET---60 ...
Vishay推出新款200V N溝道MOSFET的RDS(ON)導通電阻達到業內最低水平,提高系統功率密度且節省能源
TrenchFETa器件典型RDS(ON)為 61 mΩ,優值系數為 854 mΩ*nC,封裝面積10.89 mm2
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