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      標簽　>　導通電阻

      導通電阻

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      　　導通電阻是指二極管導通后兩端電壓與導通電流之比，是二極管的重要參數。

      文章：151個 瀏覽：20205次 帖子：3個

      導通電阻資訊

      Vishay發布新款E系列MOSFET器件

      日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出新系列600V和650V n溝道功率MOSFET-...

      2011-10-13 標簽：MOSFETVishay導通電阻 1475 0

      英飛凌OptiMOS? 6 100 V系列通過技術革新，為高開關頻率應用樹立全新行業標桿

      OptiMOS 6 100 V 系列 MOSFET采用新穎的設計理念， 具有更低的導通電阻和同類產品中更佳的優值系數 （FOM）。

      2021-12-03 標簽：英飛凌導通電阻 1456 0

      士蘭微電子車規級MOS產品獲CIAS2024年度“最具市場力產品獎”

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      2024年4月23-24日，CIAS2024功率半導體新能源創新發展大會暨 CIAShow功率半導體、裝備與材料創新展在蘇州獅山國際會議中心舉辦，士蘭微...

      2024-04-26 標簽：士蘭微電子導通電阻IGBT 1402 0

      Vishay新款N溝道TrenchFET功率MOSFET再度刷新導通電阻的最低記錄

      Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，推出新款8V N溝道TrenchFET?功率MOSFET--...

      2012-06-28 標簽：Vishay導通電阻功率MOSFET 1367 0

      Vishay推出集成式40 V MOSFET半橋功率級，RDS(ON)和FOM達到業界出色水平，提高功率密度和效率

      節省空間的器件采用小型PowerPAIR? 3x3S封裝，最大RDS（ON）導通電阻降至8.05 m，Qg為6.5 nC

      2020-11-04 標簽：MOSFETVishay導通電阻 1358 0

      ROHM新增5款100V耐壓雙MOSFET，實現業界超低導通電阻

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      全球知名半導體制造商ROHM(總部位于日本京都市)面向通信基站和工業設備等的風扇電機驅動應 用，開發出將兩枚100V耐壓MOSFET* 1一體化封裝的雙...

      2023-08-11 標簽：MOSFET導通電阻Rohm 1322 0

      東芝推出新款采用PWM控制的雙H橋直流有刷電機驅動IC，推薦應用為移動設備和家用電器

      東芝的新一代DMOS工藝讓TC78H660FNG能夠在最大額定值為18V／2.0A［1］時實現低至0.48Ω的導通電阻，較東芝的現有產品發熱更低。

      2020-10-22 標簽：東芝導通電阻驅動IC 1320 0

      Vishay發布業內導通電阻最低的超小尺寸20V芯片級MOSFET

      MICRO FOOT器件具有20V MOSFET中最低的RDS(ON)，外形尺寸為1mm2或小于0.7mm2，開啟電壓低至1.2V

      2015-06-19 標簽：Vishay封裝導通電阻 1297 0

      EN系列：保持低導通電阻與開關速度，改善噪聲性能

      EN系列：保持低導通電阻與開關速度，改善噪聲性能

      超級結MOSFET是與平面MOSFET相比，導通電阻和柵極電荷（Qg）顯著降低的MOSFET。ROHM的600V超級結MOSFET具有高速、低噪聲、高效...

      2023-02-10 標簽：開關MOSFET導通電阻 1248 0

      昕感科技推出超低導通電阻的SiC MOSFET器件

      近日，昕感科技在新能源領域取得重大突破，推出了一款具有業界領先超低導通電阻的SiC MOSFET器件新產品（N2M120007PP0）。該產品的導通電阻...

      2024-01-04 標簽：MOSFET導通電阻SiC 1220 0

      導通電阻和Qg更低，有助于實現更低功耗

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      ROHM在以業界最快的trr（反向恢復時間）著稱的PrestoMOS產品陣容中又新增了“R60xxMNx系列”產品。

      2023-02-10 標簽：MOSFET導通電阻功耗 1200 0

      Vishay推出多功能新型30 V N溝道TrenchFET第五代功率MOSFET

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      Vishay 推出多功能新型 30 V N 溝道 TrenchFET 第五代功率 MOSFET，進一步提高工業、計算機、消費電子和通信應用的功率密度，增...

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      SiC市場供需之變與未來趨勢

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      2024-01-24 標簽：MOSFET逆變器導通電阻 1143 0

      Vishay推出具備優異導通性能且經過AEC-Q101認證的100V汽車級P溝道MOSFET

      業內首款采用鷗翼引線結構5 mm x 6 mm 緊湊型PowerPAK? SO-8L封裝器件，導通電阻僅為30 mΩ。

      2021-01-11 標簽：MOSFETled照明Vishay 1138 0

      瞻芯電子開發的3款第二代650V SiC MOSFET通過了車規級可靠性認證

      瞻芯電子開發的3款第二代650V SiC MOSFET通過了車規級可靠性認證

      3月8日，瞻芯電子開發的3款第二代650V SiC MOSFET產品通過了嚴格的車規級可靠性認證（AEC-Q101 Qualified）。

      2024-03-11 標簽：MOSFET導通電阻SiC 1132 0

      Vishay Siliconix采用P溝道TrenchFET Gen III技術的12V和30V MOSFET具有業界最低導通電阻

      Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，推出新款采用熱增強型2mm x 2mm PowerPAK? ...

      2012-10-09 標簽：MOSFETVishay導通電阻 1120 0

      Vishay推出業內最低導通電阻的-30 V P溝道MOSFET，可提高能效和功率密度

      日前發布的MOSFET導通電阻比市場上排名第二的產品低43%，降低壓降并減小傳導損耗，從而實現更高功率密度。

      2020-08-17 標簽：MOSFETVishay導通電阻 1078 0

      Nexperia推出的超微型MOSFET占位面積減小36%，且具備低導通電阻RDS(on)

      PMH系列MOSFET采用了DFN0606封裝，占位面積僅為0.62 x 0.62 mm，與前一代DFN1006器件相比，節省了超過36%的空間。

      2020-04-23 標簽：MOSFET導通電阻Nexperia 1064 0

      Vishay推出600V EF系列快速體二極管MOSFET，導通電阻比其前代器件低29%

      Vishay提供豐富的MOSFET技術支持各級功率轉換，涵蓋高壓輸入到低壓輸出的各種最新高科技系統。

      2020-12-24 標簽：二極管MOSFETVishay 1043 0

      Vishay的新一代TrenchFET MOSFET再度刷新業內導通電阻最低記錄

      Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出其新一代TrenchFET? Gen IV系列30V n溝道功率MOSFET器件---...

      2012-05-08 標簽：MOSFETVishay導通電阻 936 0

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