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標(biāo)簽 > 存儲器
存儲器(Memory)是現(xiàn)代信息技術(shù)中用于保存信息的記憶設(shè)備。其概念很廣,有很多層次,在數(shù)字系統(tǒng)中,只要能保存二進制數(shù)據(jù)的都可以是存儲器;在集成電路中,一個沒有實物形式的具有存儲功能的電路也叫存儲器,如RAM、FIFO等;在系統(tǒng)中,具有實物形式的存儲設(shè)備也叫存儲器,如內(nèi)存條、TF卡等。計算機中全部信息,包括輸入的原始數(shù)據(jù)、計算機程序、中間運行結(jié)果和最終運行結(jié)果都保存在存儲器中。
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三星電子加緊推進eMRAM制程升級,預(yù)計2027年推出5nm工藝?
作為新一代存儲器,MRAM(磁阻隨機存取存儲器)利用磁效應(yīng)保存信息,無需頻繁刷新且更加節(jié)能高效。與傳統(tǒng)的 DRAM 相比,MRAM 的寫入速度可達到 N...
探索前行,共生創(chuàng)贏!GMIF2023存儲器生態(tài)論壇與創(chuàng)新論壇在深圳成功召開
9月21日-22日,由半導(dǎo)體投資聯(lián)盟、深圳市存儲器行業(yè)協(xié)會主辦,廣東省集成電路行業(yè)協(xié)會和深圳市半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會協(xié)辦,愛集微咨詢(廈門)有限公司承辦的GMI...
紫光國芯車規(guī)級LPDDR4(x)榮獲第八屆“IC創(chuàng)新獎”成果產(chǎn)業(yè)化獎
近日,2025中國集成電路創(chuàng)新聯(lián)盟大會暨協(xié)同創(chuàng)新交流會在北京舉辦。會議同期揭曉了第八屆“IC創(chuàng)新獎”評選結(jié)果并舉行頒獎儀式,紫光國芯自主研發(fā)的車規(guī)級LP...
最初通過PMOS技術(shù)達到可接受的良率。在這之后,一項關(guān)鍵的額外設(shè)計變更——埋層接觸孔(buried contacts)顯著提高了良率,并實現(xiàn)了更小尺寸的...
分區(qū)存儲將解決高容量存儲盤的寫入限制挑戰(zhàn)
為了應(yīng)對QLC和SMR這兩種高容量存儲盤面臨的寫入限制挑戰(zhàn),不能停留在介質(zhì)本身,而是要看整個數(shù)據(jù)的基礎(chǔ)架構(gòu),因此西部數(shù)據(jù)提出了一個開源的標(biāo)準(zhǔn)化的分區(qū)存儲技術(shù)。
國芯思辰|拍字節(jié)低功耗FRAM PB85RS128C助力血糖儀設(shè)計,供電電壓2.7V~3.6V
血糖儀是一種通過運算放大器將血糖試紙產(chǎn)生的微電流采集放大后給MCU轉(zhuǎn)換為數(shù)字信號,經(jīng)過儀器分析后,取得血糖水平,并顯示或者將數(shù)據(jù)傳輸?shù)胶笈_或云端的設(shè)備,...
2022-11-04 標(biāo)簽:存儲器國產(chǎn)替代 970 0
2024年,伴隨著人工智能創(chuàng)新浪潮的蓬勃發(fā)展,全球半導(dǎo)體需求顯著回暖。為此,各大晶圓廠紛紛加快了芯片的生產(chǎn)節(jié)奏,以滿足下一代技術(shù)進步所需的龐大計算能力。
東京電子在日本東北部投巨資研發(fā)領(lǐng)先四代的大容量存儲器
宮城公司主要負(fù)責(zé)生產(chǎn)等離子蝕刻設(shè)備,用于光刻后在晶圓上形成電路圖案。此外,該公司還于2021年成立了創(chuàng)新中心,與多家企業(yè)開展聯(lián)合研究。
2024-04-15 標(biāo)簽:存儲器晶圓半導(dǎo)體行業(yè) 969 0
東芝出售半導(dǎo)體業(yè)務(wù)已就與西部數(shù)據(jù)等組成的「新日美聯(lián)盟」簽約達成大致協(xié)議,據(jù)稱西部數(shù)據(jù)同意把未來掌握的表決權(quán)抑制在不到 ?。
2017-08-28 標(biāo)簽:東芝存儲器西部數(shù)據(jù) 969 1
公司保持著在內(nèi)存接口芯片領(lǐng)域的相對領(lǐng)先態(tài)勢。公司牽頭制定DDR5RCD及MDB芯片的國際標(biāo)準(zhǔn),研發(fā)持續(xù)領(lǐng)先。
中國半導(dǎo)體發(fā)展風(fēng)起云涌,購并、建廠消息不斷,在市場、國安等考量下,存儲器更是中國重點發(fā)展項目,成為多方人馬競逐的主戰(zhàn)場。中國存儲器后進廠商 2018 年...
國產(chǎn)32位單片機XL32F001,帶1 路 12bit ADC,I2C、SPI、USART 等外設(shè)
XL32F001 系列單片機采用高性能的 32 位 ARM? Cortex?-M0+內(nèi)核,寬電壓工作范圍的 MCU。嵌入 24KbytesFlash 和...
Omdia報告:半導(dǎo)體行業(yè)2023年收入預(yù)計5448億美元
值得關(guān)注的是,AI 和車用領(lǐng)域表現(xiàn)亮眼:英偉達在 AI 邏輯芯片領(lǐng)域以 490 億美元收入,同比增幅高達 134%,且是 2019 年的四倍之多;HBM...
三星電子近日宣布,公司成功研發(fā)并發(fā)布了其首款12層堆疊HBM3E DRAM,即HBM3E 12H,該產(chǎn)品在帶寬和容量上均實現(xiàn)了顯著的提升,這也意味著三星...
概倫電子蟬聯(lián)中國IC設(shè)計成就獎之年度產(chǎn)業(yè)杰出貢獻EDA公司
3月29日,2024年度中國IC設(shè)計成就獎榜單揭曉,概倫電子再度榮獲年度產(chǎn)業(yè)杰出貢獻EDA公司,作為國內(nèi)首家EDA上市公司、關(guān)鍵核心技術(shù)具備國際市場競爭...
2017 年第一季還沒結(jié)束全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)就已鬧得風(fēng)風(fēng)雨雨的,除了中國廠商挾著政策的資助大力擴展版圖外,各大半導(dǎo)體廠為了保有優(yōu)勢投資擴廠也不遺余力,而在最...
佰維存儲推出CXL DRAM內(nèi)存擴展模塊,首顆支持CXL2.0規(guī)范
佰維存儲計劃通過定向增發(fā)募集資金擬建晶圓級先進封測項目,該項目將有助于構(gòu)建HBM實現(xiàn)的封裝技術(shù)基礎(chǔ)。通過這項工程,公司將建立晶圓級封測產(chǎn)能,具備存儲器及...
2024-01-24 標(biāo)簽:半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)存儲器佰維存儲 964 0
三星已經(jīng)減少了主要nand閃存生產(chǎn)基地的晶圓投入額。這就是韓國的平澤、華城和中國的西安。業(yè)內(nèi)人士認(rèn)為,三星的nand閃存產(chǎn)量可能會減少10%左右。但在今...
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