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標(biāo)簽 > 存儲(chǔ)器
存儲(chǔ)器(Memory)是現(xiàn)代信息技術(shù)中用于保存信息的記憶設(shè)備。其概念很廣,有很多層次,在數(shù)字系統(tǒng)中,只要能保存二進(jìn)制數(shù)據(jù)的都可以是存儲(chǔ)器;在集成電路中,一個(gè)沒(méi)有實(shí)物形式的具有存儲(chǔ)功能的電路也叫存儲(chǔ)器,如RAM、FIFO等;在系統(tǒng)中,具有實(shí)物形式的存儲(chǔ)設(shè)備也叫存儲(chǔ)器,如內(nèi)存條、TF卡等。計(jì)算機(jī)中全部信息,包括輸入的原始數(shù)據(jù)、計(jì)算機(jī)程序、中間運(yùn)行結(jié)果和最終運(yùn)行結(jié)果都保存在存儲(chǔ)器中。
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電子負(fù)載需要保護(hù)免受斷電和波動(dòng)、感應(yīng)負(fù)載開關(guān)和閃電的影響。我們回顧了一個(gè)典型的保護(hù)解決方案,其集成度低,不僅導(dǎo)致 PC 板空間效率低下和 BOM 高,而...
2022-05-23 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器存儲(chǔ)器微處理器 1073 0
2018年移動(dòng)式存儲(chǔ)器產(chǎn)值成長(zhǎng)超過(guò) 3 成
2017 年第四季為傳統(tǒng)旺季,在智能手機(jī)市場(chǎng)需求轉(zhuǎn)強(qiáng)的預(yù)期效應(yīng),以及北美數(shù)據(jù)中心需求強(qiáng)勁的帶動(dòng)下,主要供應(yīng)商紛紛提高 2017 年第四季移動(dòng)式存儲(chǔ)器價(jià)格...
在嵌入式系統(tǒng)中,停滯的處理元件不僅會(huì)降低性能,還會(huì)影響功耗。為了最大限度地提高性能并降低功耗,開發(fā)人員必須盡量減少每個(gè)處理元件在數(shù)據(jù)準(zhǔn)備就緒時(shí)的等待...
存儲(chǔ)器芯片價(jià)格上揚(yáng) 中國(guó)強(qiáng)“芯”補(bǔ)短板芯片
存儲(chǔ)器芯片是智能手機(jī)、平板電腦、可穿戴設(shè)備等各種智能終端產(chǎn)品所不可或缺的關(guān)鍵器件,主要功能是存儲(chǔ)程序和各種數(shù)據(jù),并能在計(jì)算機(jī)運(yùn)行過(guò)程中高速、自動(dòng)地完成程...
繼存儲(chǔ)和CIS之后,射頻器件也開始漲價(jià)了
展望2024年第一季,預(yù)估整體存儲(chǔ)器的漲勢(shì)將延續(xù),其中Mobile DRAM及NAND Flash(eMMC、UFS)合約價(jià)仍會(huì)續(xù)漲,漲幅則視后續(xù)原廠是...
2023-12-01 標(biāo)簽:存儲(chǔ)器射頻器件電子半導(dǎo)體 1071 0
華大電子MCU-CIU32F011x3、CIU32F031x5系統(tǒng)及存儲(chǔ)器架構(gòu)
華大電子MCU CIU32F011x3、CIU32F031x5 器件采用 32 位多層總線結(jié)構(gòu),該結(jié)構(gòu)可使系統(tǒng)中的多個(gè)主機(jī)和從機(jī)之間的并行通信成為可能。...
國(guó)芯思辰|存儲(chǔ)容量128KB的拍字節(jié)鐵電存儲(chǔ)器(VFRAM)PB85RS128C兼容MB85RS128B用于LED閃爍智能計(jì)數(shù)器
某工程師研發(fā)的LED閃爍智能計(jì)數(shù)器項(xiàng)目上用到一FRAM用來(lái)保存用戶數(shù)據(jù),不怕掉電,數(shù)據(jù)保存時(shí)間和擦寫次數(shù)都很可觀,可靠性高。之前用的型號(hào)是MB85RS1...
2022-10-13 標(biāo)簽:存儲(chǔ)器計(jì)數(shù)器 1070 0
隨著工作場(chǎng)所的挑戰(zhàn)不斷發(fā)展,設(shè)計(jì)和制造該設(shè)備的供應(yīng)商也必須如此。中等密度的 FPGA 現(xiàn)在可用于解決工業(yè)自動(dòng)化供應(yīng)商面臨的新挑戰(zhàn),包括以更小的外形尺...
淺談瑞薩電子在MCU市場(chǎng)的經(jīng)營(yíng)秘訣
此外,瑞薩也有針對(duì)新興國(guó)家及大陸市場(chǎng)所特有的低價(jià)產(chǎn)品需求,特別讓低價(jià)MCU解決方案,可以擁有16位元MCU的效能,但只需8位元MCU的價(jià)格,32位元MC...
Kilopass憑借其革命性的VLT技術(shù)改變DRAM產(chǎn)業(yè)格局
半導(dǎo)體嵌入式非易失性存儲(chǔ)器(eNVM)知識(shí)產(chǎn)權(quán)(IP)產(chǎn)品領(lǐng)先提供商Kilopass Technology, Inc.今日宣布:推出其革命性的垂直分層晶...
三星正在開發(fā)HBM4 目標(biāo)2025年供貨
Sangjun Hwang還表示:“正在準(zhǔn)備開發(fā)出最適合高溫?zé)崽匦缘姆菍?dǎo)電粘合膜(ncf)組裝技術(shù)和混合粘合劑(hcb)技術(shù),并適用于hbm4產(chǎn)品。”
用于邊緣設(shè)備機(jī)器學(xué)習(xí)的安全閃存
在邊緣設(shè)備中實(shí)現(xiàn)智能化,使用戶數(shù)據(jù)的處理更接近其源頭,是一種工業(yè)趨勢(shì)。許多人工智能應(yīng)用程序可以部署在構(gòu)建智能和用戶友好系統(tǒng)的邊緣設(shè)備上。
2022-07-08 標(biāo)簽:NOR存儲(chǔ)器機(jī)器學(xué)習(xí) 1069 0
DS2502 1K位只添加存儲(chǔ)器 概述 The DS2502 1Kb Add-Only Memory identifies and stores r...
2009-12-26 標(biāo)簽:存儲(chǔ)器 1067 0
建立/保持時(shí)間對(duì)數(shù)字電路的影響
建立/保持時(shí)間對(duì)數(shù)字電路的影響 數(shù)字電路是指使用數(shù)字信號(hào)進(jìn)行連接和處理信息的電路。數(shù)字電路是由一系列數(shù)字邏輯門和觸發(fā)器構(gòu)成的,這些組件可以在特定的輸入下...
在三星和sk hynix的最大存儲(chǔ)器市場(chǎng)——智能手機(jī)和電腦市場(chǎng)上,因終端機(jī)需求的減少,存儲(chǔ)器半導(dǎo)體價(jià)格暴跌之后,大部分半導(dǎo)體制造企業(yè)撤回了對(duì)新存儲(chǔ)器設(shè)備...
三星將推出GDDR7產(chǎn)品及280層堆疊的3D QLC NAND技術(shù)
三星將在IEEE國(guó)際固態(tài)電路研討會(huì)上展示其GDDR7產(chǎn)品以及280層堆疊的3D QLC NAND技術(shù)。
三星電子加速推進(jìn)HBM4研發(fā),預(yù)計(jì)明年底量產(chǎn)
三星電子在半導(dǎo)體技術(shù)的創(chuàng)新之路上再邁堅(jiān)實(shí)一步,據(jù)業(yè)界消息透露,該公司計(jì)劃于今年年底正式啟動(dòng)第6代高帶寬存儲(chǔ)器(HBM4)的流片工作。這一舉措標(biāo)志著三星電...
三星大規(guī)模生產(chǎn)磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器MRAM,或?qū)⒏淖儼雽?dǎo)體產(chǎn)業(yè)格局?
據(jù)韓國(guó)媒體報(bào)道,近日,三星宣布已在一條基于28納米FD-SOI工藝的生產(chǎn)線上,開始大規(guī)模生產(chǎn)和商業(yè)運(yùn)輸嵌入式MRAM(eMRAM)解決方案。
ADuCRF101低功耗無(wú)線應(yīng)用數(shù)據(jù)采集解決方案
ADuCRF101主要是一款針對(duì)低功耗無(wú)線應(yīng)用而設(shè)計(jì)的完全集成式數(shù)據(jù)采集解決方案, 并且其內(nèi)置12位模數(shù)轉(zhuǎn)換器(ADC)、低功耗ARM Cortex-M...
2023-06-13 標(biāo)簽:處理器存儲(chǔ)器模數(shù)轉(zhuǎn)換器 1062 0
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