停電備用應(yīng)急電源芯片?CS32F031

去年夏天因為錯峰用電這項規(guī)定把很多人都折磨的頭疼腦熱的，甚至還衍生出許多網(wǎng)絡(luò)段子盛行一時。造成這問題的主要原因是過去幾年我國的新能源消費快速增長，全社會...

2023-03-20 標(biāo)簽：電源芯片存儲器 1046 0

您的存儲器堆疊了嗎？—賽靈思推出16GB HBM FPGA

當(dāng)您想到處理性能時，腦子里最先出現(xiàn)的影響因素往往并不是存儲吧？但是，如果您正在處理海量的大型數(shù)據(jù)集，那么每個步驟的帶寬將會直接決定您完成工作的速度和效率。

2023-10-24 標(biāo)簽：fpga存儲器DDR 1045 0

存儲器未來或?qū)⑾萑氘a(chǎn)能過剩局面，SK海力士未雨綢繆提前布局HBM

存儲器業(yè)經(jīng)歷大多頭的牛市之后，是否即將回檔，各方爭辯不休。韓廠SK海力士加快腳步增產(chǎn)高頻寬存儲器（HBM），期盼能以技術(shù)拉開和對手的差距，維持高毛利。

2018-07-11 標(biāo)簽：存儲器SK海力士 1045 0

富士通FRAM存儲器內(nèi)置RFID LSI的產(chǎn)品

富士通半導(dǎo)體利用FRAM的高速寫入，高讀寫耐久性（多次讀寫次數(shù)）特長， 提供RFID用LSI以及應(yīng)用于電子設(shè)備的FRAM內(nèi)置驗證IC產(chǎn)品。富士通提供使用...

2020-05-21 標(biāo)簽：存儲器fram鐵電存儲器 1044 0

存儲芯片價格上漲已從DRAM擴(kuò)大到NAND閃存 明年上半年預(yù)計上漲超過10%

但是，存儲芯片大企業(yè)的價格已經(jīng)出現(xiàn)上漲跡象。還有外電報道說，已經(jīng)從dram開始的存儲器價格上升趨勢正在擴(kuò)大到nand閃存。

2023-11-13 標(biāo)簽：DRAM存儲器存儲芯片 1044 0

鎧俠與西數(shù)推出面向智能手機(jī)的UFS 3.1存儲器

距離JEDEC正式發(fā)布UFS 3.1規(guī)范還不到一個月，鎧俠（Kioxia）和西部數(shù)據(jù)（WD）就已經(jīng)推出了首款適用于智能手機(jī)的UFS 3.1兼容存儲器。

2020-03-23 標(biāo)簽：存儲器西數(shù) 1041 0

存儲器虛擬化的不同形式解析

存儲器虛擬化有多種不同形式，包括聚合或匯聚、仿真，以及對不同物理存儲層進(jìn)行抽象，提供物理資源的透明度等。在服務(wù)器軟件基礎(chǔ)、網(wǎng)絡(luò)或使用設(shè)備的架構(gòu)、路由器，...

2020-07-20 標(biāo)簽：存儲器服務(wù)器 1040 0

戴爾以約670億美元并購EMC，堪稱科技界豪賭

戴爾將以約670億美元（約合630億英鎊）收購數(shù)據(jù)存儲廠商EMC。這筆交易是全球科技市場最大規(guī)模的并購交易。

2015-10-13 標(biāo)簽：存儲器EMC電子半導(dǎo)體 1039 0

SK海力士：HBM市場一路暢通，但投資仍需慎重

SK海力士高層團(tuán)隊（Top Team）是指負(fù)責(zé)公司主要業(yè)務(wù)部門的管理層。公司推出高層團(tuán)隊領(lǐng)導(dǎo)的系列訪談，目的是讓讀者以關(guān)鍵字為導(dǎo)向，了解領(lǐng)導(dǎo)者們?yōu)閷崿F(xiàn)公...

2024-08-21 標(biāo)簽：存儲器AISK海力士 1039 0

SK海力士為未來AI系統(tǒng)打造的新一代存儲器

從一開始的字節(jié)、千字節(jié)和兆字節(jié)，發(fā)展到吉字節(jié)和太字節(jié)，現(xiàn)在是澤字節(jié)(10億太字節(jié))、堯字節(jié)(1,000澤字節(jié))，未來還會有更多。近年來數(shù)據(jù)的急速增長，意...

2024-08-21 標(biāo)簽：半導(dǎo)體存儲器AI 1038 0

使用Teseo-LIV3系列為工程師提供解決方案

　　GNSS 模塊仍然有許多受益于其獨特功能的應(yīng)用。它解釋了為什么我們的團(tuán)隊還致力于開發(fā)新的 Teseo 模型來解決即將出現(xiàn)的問題。

2022-05-12 標(biāo)簽：天線存儲器GNSS 1036 0

存儲器分類及周期

存儲器：    用來存放計算機(jī)中的所有信息：包括程序、原始數(shù)據(jù)、運算的中間結(jié)果及最 終結(jié)果等。只讀存儲器（ROM...

2010-06-30 標(biāo)簽：存儲器 1036 0

FRAM的應(yīng)用場景

FRAM是電力計量系統(tǒng)中使用的主要存儲器，由于具有高耐用性、快速寫入和低能耗等優(yōu)點，F(xiàn)RAM在此領(lǐng)域迅速占領(lǐng)了市場；隨著電子設(shè)備和存儲數(shù)據(jù)需求的增多使得...

2021-05-12 標(biāo)簽：傳感器存儲器fram 1036 0

非易失性存儲器MR25H40VDF概述及優(yōu)點

Everspin非易失性存儲器MR25H40VDF是具有SPI接口的MRAM，MR25H40VDF是組織為512Kx8的4Mb非易失性RAM，采用標(biāo)稱3...

2021-10-11 標(biāo)簽：芯片存儲器接口 1035 0

使用Flasher DSK為生產(chǎn)實現(xiàn)編程解決方案

通過新發(fā)布的Flasher Device Support Kit(DSK)，用戶可以自主擴(kuò)展Flasher編程器支持的設(shè)備。通過DSK，可以很容易地將新...

2023-09-05 標(biāo)簽：存儲器編程器DSK 1034 0

外部高速緩存SDRAM的基本讀寫流程是怎樣的

隨著目前數(shù)字技術(shù)的發(fā)展，多通道數(shù)據(jù)的高速采集處理獲得了廣泛的應(yīng)用，面對大的數(shù)據(jù)吞吐量，往往需要共享一塊大的緩存空間（外掛的大容量存儲SDRAM或是DDR...

2020-11-20 標(biāo)簽：SDRAM存儲器 1034 0