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標(biāo)簽 > 存儲(chǔ)器
存儲(chǔ)器(Memory)是現(xiàn)代信息技術(shù)中用于保存信息的記憶設(shè)備。其概念很廣,有很多層次,在數(shù)字系統(tǒng)中,只要能保存二進(jìn)制數(shù)據(jù)的都可以是存儲(chǔ)器;在集成電路中,一個(gè)沒有實(shí)物形式的具有存儲(chǔ)功能的電路也叫存儲(chǔ)器,如RAM、FIFO等;在系統(tǒng)中,具有實(shí)物形式的存儲(chǔ)設(shè)備也叫存儲(chǔ)器,如內(nèi)存條、TF卡等。計(jì)算機(jī)中全部信息,包括輸入的原始數(shù)據(jù)、計(jì)算機(jī)程序、中間運(yùn)行結(jié)果和最終運(yùn)行結(jié)果都保存在存儲(chǔ)器中。
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存儲(chǔ)器市場(chǎng)不斷供大于求 價(jià)格卻一直在上漲
有消息顯示,半導(dǎo)體材料存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)鏈關(guān)鍵由內(nèi)存(DRAM)、閃存(NANDFlash、NORFlash)構(gòu)成,二者累計(jì)占據(jù)存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)鏈95%左右使用價(jià)值。
2020-03-14 標(biāo)簽:存儲(chǔ)器 1085 0
DSP Flash存儲(chǔ)器中運(yùn)行μC/OS-II的研究
嵌入式微處理器IP core設(shè)計(jì)_本文重點(diǎn)闡述μC/OS-Ⅱ在芯片內(nèi)Flash存儲(chǔ)器運(yùn)行時(shí)關(guān)鍵問題的分析與解決辦法。
隨著國際間貿(mào)易摩擦不斷加大,半導(dǎo)體行業(yè)虧損周期延長(zhǎng), 日系半導(dǎo)體廠商的日子越來越不好過,東芝存儲(chǔ)器自去年從東芝獨(dú)立出來以后,即定下2023年超過2萬億日...
競(jìng)逐HBM,三星競(jìng)爭(zhēng)力在下降?
7月5日,在三星每周三舉行的員工內(nèi)部溝通活動(dòng)期間,三星電子負(fù)責(zé)半導(dǎo)體業(yè)務(wù)的 DS 部門總裁 Kyung Kye-hyun 表示,“三星高帶寬內(nèi)存 (HB...
2023-07-10 標(biāo)簽:三星電子存儲(chǔ)器超級(jí)計(jì)算機(jī) 1083 0
2025年DRAM展望:位元產(chǎn)出大增25%,HBM成新增長(zhǎng)極但供應(yīng)緊張
經(jīng)歷2024年前三個(gè)季度的庫存消化和價(jià)格回升后,DRAM產(chǎn)業(yè)在第四季度的價(jià)格動(dòng)能開始減弱。TrendForce集邦咨詢的資深研究副總吳雅婷指出,由于部分...
Microchip Technology擴(kuò)展了旗下串行SRAM產(chǎn)品線,容量最高可達(dá)4Mb
為滿足客戶對(duì)更大更快的 SRAM 的普遍需求,Microchip Technology(微芯科技公司)擴(kuò)展了旗下串行SRAM產(chǎn)品線,容量最高可達(dá)4 Mb...
在 Spartan 系列的技術(shù)演進(jìn)歷程中,邏輯密度、性能、I/O 帶寬和本地存儲(chǔ)器實(shí)現(xiàn)了重大提升。首款 Spartan 器件最多搭載 1,862 個(gè)邏輯...
關(guān)于IS61WV204816ALL高速異步SRAM
ISSI IS61WV204816ALL是高速,32M位靜態(tài)RAM,組織為2048K字乘16位。它是使用ISSI的高性能CMOS技術(shù)制造的。這種高度可靠...
SK海力士正式宣布年底前量產(chǎn)并提供業(yè)界頻率達(dá)到8400MHz的DDR5存儲(chǔ)器
韓國存儲(chǔ)器大廠SK海力士在2020年的CES上曾經(jīng)展出過64GB的DDR5-4800存儲(chǔ)器,其頻寬和容量均比現(xiàn)在的DDR4高出不少,因此備受業(yè)界的期待。...
Rambus GDDR6 PHY內(nèi)存達(dá)18 Gbps 延續(xù)了公司長(zhǎng)期開發(fā)領(lǐng)先產(chǎn)品的傳統(tǒng)
硅IP和芯片提供商Rambus 31日宣布其Rambus GDDR6 PHY 內(nèi)存已達(dá)到行業(yè)領(lǐng)先的18 Gbps性能。Rambus GDDR6 PHY ...
學(xué)會(huì)高效編程及定義程序結(jié)構(gòu)
用戶程序運(yùn)行所需的大量數(shù)據(jù)或變量存儲(chǔ)在數(shù)據(jù)塊中,數(shù)據(jù)塊也是實(shí)現(xiàn)各邏輯塊之間交換、傳遞和共享數(shù)據(jù)的重要途徑。對(duì)于CPU 314,用作數(shù)據(jù)塊的存儲(chǔ)器最多8K...
2023-01-31 標(biāo)簽:存儲(chǔ)器數(shù)據(jù)編程 1080 0
第三季DRAM產(chǎn)值再創(chuàng)新高 原廠獲利能力恐已見頂
根據(jù)集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心(DRAMeXchange)調(diào)查顯示,2018年第三季DRAM整體產(chǎn)業(yè)營收較上季成長(zhǎng)9%,再創(chuàng)歷史新高。 觀察各產(chǎn)品類別的報(bào)價(jià)...
?關(guān)于游戲應(yīng)用中的非易失性SRAM(nvSRAM)的講解
數(shù)年來,諸如投幣游戲機(jī)和視頻撲克機(jī)等游戲機(jī)一直是游戲行業(yè)的基礎(chǔ)。通常這些游戲機(jī)的普及程度取決于贏錢的可能性,游戲機(jī)的可靠性以及游戲機(jī)的娛樂價(jià)值。相對(duì)于其...
國產(chǎn)芯片存儲(chǔ)器的發(fā)展還要克服很多難關(guān)
發(fā)展國產(chǎn)存儲(chǔ)器芯片是中國科技發(fā)展的重要一環(huán),芯片在現(xiàn)代生活中的作用真是太重要了。手機(jī)、電腦、空調(diào)、電視、冰箱、掃地機(jī)器人、家庭影院、汽車等等領(lǐng)域都需要一...
美光科技啟動(dòng)高帶寬存儲(chǔ)芯片生產(chǎn) 為英偉達(dá)最新AI芯片提供支持
英偉達(dá)下一代H200圖形處理器將采用美光HBM3E芯片,預(yù)計(jì)于今年第2季交付,有望超越現(xiàn)有的H100芯片,為美光科技貢獻(xiàn)更高業(yè)績(jī)。此外,龍頭廠商SK海力...
Flash存儲(chǔ)器是一種非易失性內(nèi)存,其作為數(shù)據(jù)、系統(tǒng)存儲(chǔ)的關(guān)鍵介質(zhì),在嵌入式系統(tǒng)中扮演著重要角色。常見的Flash有NAND Flash 、Nor Fl...
2022-04-28 標(biāo)簽:存儲(chǔ)器 1077 0
非易失性存儲(chǔ)器EEPROM與內(nèi)存Flash消耗能量計(jì)算
本篇文章存儲(chǔ)芯片供應(yīng)商宇芯電子要介紹的是非易失性存儲(chǔ)器EEPROM與內(nèi)存Flash消耗能量計(jì)算。 首先,我們來看看非易失性存儲(chǔ)器在典型的3.3V EEP...
存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)回暖 多項(xiàng)存儲(chǔ)產(chǎn)品歷經(jīng)兩年首次漲價(jià)
據(jù)11月DRAM內(nèi)存大宗交易價(jià)格數(shù)據(jù)顯示,8GB DDR4的單價(jià)約為1.65美元,環(huán)比上漲11%。這是自2021年6月以來,該產(chǎn)品價(jià)格首次出現(xiàn)上漲。
對(duì)于靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器SRAM,它將面臨的兩大問題挑戰(zhàn)
SRAM是可在任何CMOS工藝中免費(fèi)獲得的存儲(chǔ)器。自CMOS誕生以來,SRAM一直是任何新CMOS工藝的開發(fā)和生產(chǎn)制造的技術(shù)驅(qū)動(dòng)力。利用最新的所謂的深度...
大唐存儲(chǔ)完成首期外部融資,引入國資戰(zhàn)略新股東
大唐存儲(chǔ)成立于2018年,致力于存儲(chǔ)器控制器芯片和安全固件的研究開發(fā),并提供尖端安全內(nèi)存解決方案。據(jù)眾所周知的情況,公司在芯片領(lǐng)域核心技術(shù)成員和實(shí)心存儲(chǔ)...
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