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標簽 > 多晶硅
多晶硅，是單質(zhì)硅的一種形態(tài)。熔融的單質(zhì)硅在過冷條件下凝固時，硅原子以金剛石晶格形態(tài)排列成許多晶核，如這些晶核長成晶面取向不同的晶粒，則這些晶粒結合起來，就結晶成多晶硅。
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單晶圓系統(tǒng)也能進行多晶硅沉積。這種沉積方法的好處之一在于能夠臨場進行多晶硅和鎢硅化物沉積。DRAM芯片中通常使用由多晶硅-鈞硅化物形成的疊合型薄膜作為柵...
多晶硅與單晶硅各有哪些優(yōu)良性質(zhì)？又是怎樣制造出來的呢？
硅，我們都知道。但是芯片制程中的硅，有的用的是單晶硅，有的用的是多晶硅。多晶硅與單晶硅的性能差別很大，那么他們各有哪些優(yōu)良性質(zhì)？有哪些應用？又是怎樣制造...
人工破碎就是工人用碳化鎢錘多晶硅棒進行錘擊達到粉碎的目的。碳化鎢的硬度僅次于鉆石，能夠保持鋒利的邊緣和形狀，即使在高強度使用下也不容易磨損。
為了闡明蝕刻殘留物的形成機理，研究了氯/氦-氧、溴化氫/氦-氧和溴化氫/氯等不同氣體混合物的影響，我們發(fā)現(xiàn)在氧的存在下，蝕刻殘留物形成良好，這表明蝕刻殘...
IGBT單胞結構參數(shù)：溝道長度4.3μm，溝道寬度2E4μm，多晶硅區(qū)半寬度13μm，窗口區(qū)半寬度12μm
儲能便攜電源充電的時候，有一種充電方式是太陽能板充電。這種充電方式非常適合在遠離都市沒有電源的環(huán)境下利用太陽光進行充電，身在曠野也不用擔心用電問題，這是...
2D NAND和3D NAND都是非易失性存儲技術（NVM Non-VolatileMemory），屬于Memory（存儲器）的一種。
本文提供了用于蝕刻膜的方法和設備。一個方面涉及一種在襯底上蝕刻氮化硅的方法，該方法包括:(a)將氟化氣體引入等離子體發(fā)生器并點燃等離子體以a形成含氟蝕刻...
硅片形貌效應及其與底部抗反射涂層(BARC)沉積策略關系的解析
硅片形貌效應在光刻工藝中十分重要，特別是在現(xiàn)代集成電路制造中，如FinFET等先進器件結構以及雙重圖形技術的廣泛應用下，硅片表面的微小不平整性對光刻結果...
在接下來的一個章節(jié)里面，我們將主要介紹用砂子制備半導體級硅的方法，以及后續(xù)如何將其轉化為晶體和晶圓片(材料制備階段)，以及如何來生產(chǎn)拋光晶圓的過程(晶體...
多晶硅（Polycrystalline Silicon，簡稱Poly）是由無數(shù)微小硅晶粒組成的非單晶硅材料。與單晶硅（如硅襯底）不同，多晶硅的晶粒尺寸通...
在全球積極推動清潔能源轉型的大背景下，太陽能光伏產(chǎn)業(yè)蓬勃發(fā)展，而多晶硅作為光伏產(chǎn)業(yè)鏈的關鍵起始原料，其質(zhì)量和性能直接關系到整個光伏系統(tǒng)的發(fā)電效率和穩(wěn)定性...
2024-12-27 標簽：多晶硅存儲光伏系統(tǒng) 682 0
LPCVD方法在多晶硅制備中的優(yōu)勢與挑戰(zhàn)
本文圍繞單晶硅、多晶硅與非晶硅三種形態(tài)的結構特征、沉積技術及其工藝參數(shù)展開介紹，重點解析LPCVD方法在多晶硅制備中的優(yōu)勢與挑戰(zhàn)，并結合不同工藝條件對材...
鑄錠澆注法是較早出現(xiàn)的一種技術，該方法先將硅料置于熔煉坩堝中加熱熔化，隨后利用翻轉機械將其注入模具內(nèi)結晶凝固，最初主要用于生產(chǎn)等軸多晶硅。近年來，為提升...
本文介紹了在多晶硅鑄造工藝中碳和氮雜質(zhì)的來源、分布、存在形式以及降低雜質(zhì)的方法。
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