淺析多晶硅錠中位錯存在的兩種來源
根據晶體凝固生長與位錯形成、運動與增殖的理論，多晶硅錠中位錯存在兩種來源：原生和增殖。
原生位錯
原生位錯是從無到有的過程，凝固長晶過程實質上就是無序的熔融態硅原子排列成有序的晶體硅的過程，過程中當某些硅原子排列錯誤時，原生位錯等晶體缺陷就形成。 
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增值位錯
增殖位錯是從少到多的過程，是已有位錯的基礎上，由于應力作用驅動位錯運動而導致的位錯成倍復制增加（multiplication）。這個應力要高于 一定水平方能啟動增殖，一般這個水平相當于晶體的塑性屈服應力。 
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應力來源是固體溫度分布不均造成的熱應力，它在大尺寸晶體內部很難避免。晶體中位錯的增殖能力很強，可以達到數百倍。因此就數量而言，凝固生長完成后晶體中的位錯大部分應為增殖位錯，但它們的根源是原生位錯。在無位錯的硅晶體中由熱應力誘發位錯幾不可能，因所需應力達到GPa量級；而如硅晶體中已有位錯存在，在凝固點附近溫度其位錯增殖啟動應力低于10MPa，這是通常硅晶體凝固生長中能夠達到的熱應力水平。多晶硅錠定向凝固生長中原生位錯不可避免，位錯增殖問題隨即而來。
審核編輯：劉清
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原文標題：多晶硅錠中位錯的來源
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