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      標(biāo)簽　>　外延片

      外延片

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      外延片技術(shù)

      氮化鎵外延片工藝流程介紹 外延片與晶圓的區(qū)別

      氮化鎵外延片工藝是一種用于制備氮化鎵外延片的工藝，主要包括表面清洗、氮化處理、清洗處理、干燥處理和檢測處理等步驟。

      2023-02-20 標(biāo)簽：集成電路晶體管氮化鎵 1.4萬 0

      氮化鎵外延片工藝介紹 氮化鎵外延片的應(yīng)用

      氮化鎵外延片生長工藝較為復(fù)雜，多采用兩步生長法，需經(jīng)過高溫烘烤、緩沖層生長、重結(jié)晶、退火處理等流程。兩步生長法通過控制溫度，以防止氮化鎵外延片因晶格失配...

      2023-02-05 標(biāo)簽：氮化鎵外延片 6572 0

      光電子應(yīng)用推動砷化鎵晶圓和外延片市場進(jìn)入新時(shí)代

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      2018-09-04 標(biāo)簽：光電子gaas外延片 4633 0

      硅基氮化鎵外延片是什么 硅基氮化鎵外延片工藝

      氮化鎵外延片指采用外延方法，使單晶襯底上生長一層或多層氮化鎵薄膜而制成的產(chǎn)品。近年來，在國家政策支持下，我國氮化鎵外延片行業(yè)規(guī)模不斷擴(kuò)大。

      2023-02-06 標(biāo)簽：氮化鎵外延片硅基氮化鎵 4594 0

      外延片和拋光片區(qū)別在哪

      外延片和拋光片是兩種不同的半導(dǎo)體材料加工工藝，它們在制造過程中有著不同的應(yīng)用和特點(diǎn)。本文將介紹外延片和拋光片的區(qū)別。 一、外延片的定義和制備方法 外延片...

      2024-07-12 標(biāo)簽：半導(dǎo)體材料金屬外延片 2802 0

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      對于摻雜的SiC外延片，紅外光譜測量膜厚為通用的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。碳化硅襯底與外延層因摻雜濃度的不同導(dǎo)致兩者具有不同的折射率，因此試樣的反射光譜會出現(xiàn)反映外延層...

      2023-08-05 標(biāo)簽：測試儀SiC紅外光譜 2756 0

      外延片和擴(kuò)散片的區(qū)別是什么

      外延片和擴(kuò)散片都是半導(dǎo)體制造過程中使用的材料。它們的主要區(qū)別在于制造過程和應(yīng)用領(lǐng)域。 制造過程： 外延片是通過在單晶硅片上生長一層或多層半導(dǎo)體材料來制造...

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      集成電路外延片詳解：構(gòu)成、工藝與應(yīng)用的全方位剖析

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      集成電路是現(xiàn)代電子技術(shù)的基石，而外延片作為集成電路制造過程中的關(guān)鍵材料，其性能和質(zhì)量直接影響著最終芯片的性能和可靠性。本文將深入探討集成電路外延片的組成...

      2025-01-24 標(biāo)簽：集成電路半導(dǎo)體封裝外延片 1061 0

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      實(shí)驗(yàn)名稱：基于單端接觸原理的LED外延片無損檢測實(shí)驗(yàn)內(nèi)容：基于單注入模式，使用新型檢測系統(tǒng)獲取LED外延片的電學(xué)參數(shù)與光學(xué)參數(shù)。研究方向：LED外延片檢...

      2024-10-25 標(biāo)簽：led高壓放大器外延片 637 0

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      聚力成外延片和芯片產(chǎn)線項(xiàng)目落戶重慶市大足區(qū) 總投資約50億元

      9月10日上午，重慶市大足區(qū)人民政府與重慶捷舜科技有限公司舉行“聚力成外延片和芯片產(chǎn)線項(xiàng)目”簽約儀式。該項(xiàng)目落戶大足高新區(qū)，總投資50億元，占地500畝...

      2018-09-11 標(biāo)簽：芯片外延片 9608 0

      IEMN 結(jié)果顯示ALLOS新型硅基氮化鎵外延片產(chǎn)品具有超過1400V的擊穿電壓

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      法國阿斯克新城和德國德累斯頓 - 2018 年 2 月 1 日 - 來自電子、微電子及納米技術(shù)研究院 （IEMN） 的最新結(jié)果顯示，ALLOS 即將推出...

      2018-02-26 標(biāo)簽：外延片iemn硅基氮化鎵 6225 0

      上海合晶科創(chuàng)板IPO獲受理！超8成營收來自外延片，已突破12英寸技術(shù)，募資15.64億研發(fā)及擴(kuò)產(chǎn)優(yōu)質(zhì)外延片

      電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/劉靜）近日，上海合晶硅材料股份有限公司（簡稱：上海合晶）科創(chuàng)板IPO獲上交所受理！ ? ? ? 此次科創(chuàng)板IPO，上海合晶擬公開發(fā)...

      2023-01-12 標(biāo)簽：12英寸ipo外延片 5080 0

      瀚天天成科創(chuàng)板IPO受理！碳化硅外延片收入三年漲近13倍，募資超35億擴(kuò)產(chǎn)

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      電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/劉靜）近日，瀚天天成電子科技（廈門）股份有限公司（以下簡稱：瀚天天成）科創(chuàng)板IPO成功獲上交所受理，保薦機(jī)構(gòu)為中金公司。 瀚天天成...

      2024-01-11 標(biāo)簽：ipo碳化硅外延片 4940 0

      天域半導(dǎo)體IPO：國內(nèi)碳化硅外延片行業(yè)第一，2024年上半年陷入增收不增利困局

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      電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/莫婷婷）2024年12月，天域半導(dǎo)體的港交所主板IPO申請獲受理。2023年6月，天域半導(dǎo)體向深交所提交上市申請，但在2024年8...

      2025-01-06 標(biāo)簽：碳化硅外延片 3381 0

      聚燦毛利大幅下滑引關(guān)注 價(jià)格戰(zhàn)下規(guī)模優(yōu)勢凸顯

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      近日，聚燦光電發(fā)布2018年報(bào)問詢函回復(fù)公告。就深交所問詢的關(guān)于2018毛利率大幅下滑等八個(gè)問題，聚燦光電在回復(fù)公告中一一作出了解釋。

      2019-06-26 標(biāo)簽：led芯片外延片 3169 0

      希科半導(dǎo)體引領(lǐng)SiC外延片量產(chǎn)新時(shí)代

      國產(chǎn)之光希科半導(dǎo)體： 引領(lǐng)SiC外延片量產(chǎn)新時(shí)代 希科半導(dǎo)體科技(蘇州)有限公司 碳化硅外延片新聞發(fā)布 暨投產(chǎn)啟動儀式圓滿成功 中國蘇州，2022年11...

      2022-11-29 標(biāo)簽：SiC碳化硅外延片 3098 0

      LED外延片介紹及辨別質(zhì)量方法

      20世紀(jì)80年代早期開始使用外延片，它具有標(biāo)準(zhǔn)PW所不具有的某些電學(xué)特性并消除了許多在晶體生長和其后的晶片加工中所引入的表面/近表面缺陷。

      2011-05-06 標(biāo)簽：LED外延片 2136 0

      半導(dǎo)體硅外延片制造商上海合晶上市

      上海合晶硅材料股份有限公司（簡稱“上海合晶”，股票代碼：688584）近期在科創(chuàng)板成功上市，成為半導(dǎo)體行業(yè)的新星。該公司專注于半導(dǎo)體硅外延片的研發(fā)與生產(chǎn)...

      2024-02-26 標(biāo)簽：半導(dǎo)體硅材料外延片 1427 0

      不合格的碳化硅外延片如何再生重利用？

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      此外，研磨技術(shù)的缺點(diǎn)還有統(tǒng)一性不高，多片加工時(shí)對外延片的厚度的組合比較苛刻，并且加工效率較低。如果將研磨后的外延片再進(jìn)行CMP處理，則需要較長的時(shí)間才能...

      2023-09-27 標(biāo)簽：半導(dǎo)體碳化硅外延片 1391 0

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