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標(biāo)簽 > 場效應(yīng)晶體管
場效應(yīng)晶體管(Field Effect Transistor縮寫(FET))簡稱場效應(yīng)管。主要有兩種類型:結(jié)型場效應(yīng)管(junction FET—JFET)和金屬 - 氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管(metal-oxide semiconductor FET,簡稱MOS-FET)。由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電,也稱為單極型晶體管。
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TPS7H6003-SP 抗輻射 QMLV 200V 半橋 GaN 柵極驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊
TPS7H60x3-SP 系列抗輻射保證 (RHA) 氮化鎵 (GaN) 場效應(yīng)晶體管 (FET) 柵極驅(qū)動器專為高頻、高效率應(yīng)用而設(shè)計(jì)。該系列包括 T...
2025-05-15 標(biāo)簽:驅(qū)動器FET場效應(yīng)晶體管 118 0
TPS7H6013-SP 抗輻射 QMLV 60V 半橋 GaN 柵極驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊
TPS7H60x3-SP 系列抗輻射保證 (RHA) 氮化鎵 (GaN) 場效應(yīng)晶體管 (FET) 柵極驅(qū)動器專為高頻、高效率應(yīng)用而設(shè)計(jì)。該系列包括 T...
TPS7H6023-SP 抗輻射 QMLV 22V 半橋 GaN 柵極驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊
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2025-05-15 標(biāo)簽:FET場效應(yīng)晶體管GaN 116 0
TPS7H6005-SEP 耐輻射 200V 半橋 GaN 柵極驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊
TPS7H60x5 系列抗輻射保證 (RHA) 氮化鎵 (GaN) 場效應(yīng)晶體管 (FET) 柵極驅(qū)動器專為高頻、高效率和大電流應(yīng)用而設(shè)計(jì)。該系列包括 ...
2025-05-15 標(biāo)簽:ldoFET場效應(yīng)晶體管 136 0
TPS7H6025-SEP 耐輻射 22V 半橋 GaN 柵極驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊
TPS7H60x5 系列抗輻射保證 (RHA) 氮化鎵 (GaN) 場效應(yīng)晶體管 (FET) 柵極驅(qū)動器專為高頻、高效率和大電流應(yīng)用而設(shè)計(jì)。該系列包括 ...
2025-05-15 標(biāo)簽:封裝FET場效應(yīng)晶體管 115 0
TPS7H6015-SEP 耐輻射 60V 半橋 GaN 柵極驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊
TPS7H60x5 系列抗輻射保證 (RHA) 氮化鎵 (GaN) 場效應(yīng)晶體管 (FET) 柵極驅(qū)動器專為高頻、高效率和大電流應(yīng)用而設(shè)計(jì)。該系列包括 ...
OPA1S2385 具有集成低電平有效開關(guān)和緩沖器的、250MHz、CMOS跨阻放大器技術(shù)手冊
OPA1S2384 和 OPA1S2385 (OPA1S238x) 將高帶寬,場效應(yīng)晶體管 (FET) 輸入運(yùn)算放大器與一個快速 SPST COMS 開...
2025-04-30 標(biāo)簽:場效應(yīng)晶體管高帶寬跨阻放大器 177 0
在現(xiàn)代電子學(xué)的宏偉建筑中,場效應(yīng)晶體管(FET-Field Effect Transistor)是其不可或缺的基石。這些精巧的電子組件以其卓越的性能優(yōu)勢...
技術(shù)資料#TPS7B4261-Q1 汽車級 300mA 40V 電壓跟蹤低壓差穩(wěn)壓器,具有獨(dú)立的使能和電源良好狀態(tài)
TPS7B4261-Q1 是一款單片集成低壓差電壓跟蹤器。該器件采用 8 引腳 HSOIC 封裝。TPS7B4261-Q1 設(shè)計(jì)用于在汽車環(huán)境中為非車載...
2025-02-26 標(biāo)簽:封裝電纜場效應(yīng)晶體管 590 0
用戶指南#LMG3422EVM-043 LMG3422R030 600V 30mΩ 半橋子卡評估模塊
LMG342XEVM - 04X 包含兩個以半橋配置的 LMG342XR0X0 氮化鎵場效應(yīng)晶體管(GaN FET)。所有的偏置和電平轉(zhuǎn)換組件都已集成,...
2025-02-21 標(biāo)簽:場效應(yīng)晶體管氮化鎵GaN 340 0
用戶指南:LMG2100EVM-097 LMG2100R026評估模塊介紹
LMG2100R026 評估模塊是一款緊湊且易于使用的功率級模塊,通過外部 PWM 信號進(jìn)行控制。該電路板可配置為降壓轉(zhuǎn)換器、升壓轉(zhuǎn)換器或其他使用半橋的...
2025-02-21 標(biāo)簽:升壓轉(zhuǎn)換器場效應(yīng)晶體管氮化鎵 399 0
用戶指南#LMG3100 評估模塊 LMG3100EVM-089介紹
LMG3100 評估模塊 (EVM) 是一款緊湊、易于使用的功率級,帶有外部 PWM 信號。該板可配置為降壓轉(zhuǎn)換器、升壓轉(zhuǎn)換器或其他使用半橋的轉(zhuǎn)換器拓?fù)?..
2025-02-21 標(biāo)簽:電源模塊降壓轉(zhuǎn)換器場效應(yīng)晶體管 421 0
在數(shù)字電路和功率電子中,MOS管(場效應(yīng)晶體管)是一種常見的開關(guān)元件,廣泛應(yīng)用于各種開關(guān)電源、驅(qū)動電路和信號處理電路中。MOS管不僅在電源管理和信號放大...
2025-02-14 標(biāo)簽:MOS管場效應(yīng)晶體管OD 579 0
在MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)中,Vgs(柵極-源極電壓)和Vds(漏極-源極電壓)之間的關(guān)系是理解MOSFET工作特性的關(guān)鍵。 一、基...
2024-09-29 標(biāo)簽:MOSFET源極場效應(yīng)晶體管 9435 0
VDMOS(Vertical Double-Diffused Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transi...
2024-09-29 標(biāo)簽:電阻VDMOS器件場效應(yīng)晶體管 679 0
VDMOS(Vertical Double-Diffused Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transi...
場效應(yīng)晶體管以其獨(dú)特的電壓控制特性和廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域,在電子技術(shù)領(lǐng)域中占據(jù)著舉足輕重的地位。它主要分為兩種類型:JFET(結(jié)型)和MOS-FET(金屬-氧...
2024-09-27 標(biāo)簽:半導(dǎo)體場效應(yīng)管電壓 963 0
在選擇場效應(yīng)晶體管(FET)時(shí),需要考慮多個因素以確保所選器件能夠滿足特定的應(yīng)用需求,同時(shí)保證電路的性能和可靠性。以下是一個詳細(xì)的選擇場效應(yīng)晶體管的指南...
2024-09-23 標(biāo)簽:MOSFET半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管 986 0
結(jié)型場效應(yīng)晶體管和N溝道場效應(yīng)晶體管有什么區(qū)別
結(jié)型場效應(yīng)晶體管(Junction Field-Effect Transistor,簡稱JFET)和N溝道場效應(yīng)晶體管(N-Channel Field-...
結(jié)型場效應(yīng)晶體管(Junction Field-Effect Transistor,簡稱JFET)是一種基于場效應(yīng)原理工作的三端有源器件,其工作原理和特...
2024-10-07 標(biāo)簽:JFET柵極場效應(yīng)晶體管 1864 0
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