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標(biāo)簽 > 臺(tái)積電
臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司,簡稱臺(tái)積電、TSMC,是臺(tái)灣一家半導(dǎo)體制造公司,成立于1987年,是全球第一家、以及最大的專業(yè)集成電路制造服務(wù)(晶圓代工)企業(yè),總部與主要工廠位于新竹科學(xué)園區(qū)。2013年?duì)I收19.85億美元,晶圓代工市占率46%,為全球第一。
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九折!三星率先打響晶圓代工價(jià)格戰(zhàn),臺(tái)積電會(huì)跟嗎?
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/吳子鵬)2月13日,有臺(tái)灣媒體發(fā)布消息稱,三星已經(jīng)打響晶圓代工價(jià)格戰(zhàn)的第一槍,目前主要鎖定在成熟制程,客戶將享受到九折的優(yōu)惠。受迫...
臺(tái)積電官方對(duì)外開放16nm FinFET技術(shù)
臺(tái)積電官網(wǎng)宣布推出大學(xué)FinFET專案,目的在于培育未來半導(dǎo)體芯片設(shè)計(jì)人才并推動(dòng)全球?qū)W術(shù)創(chuàng)新。
2023-02-08 標(biāo)簽:臺(tái)積電晶體管場效應(yīng)晶體管 757 0
創(chuàng)意電子采用Cadence數(shù)字解決方案完成首款臺(tái)積電N3制程芯片及首款A(yù)I優(yōu)化的N5制程設(shè)計(jì)
楷登電子(美國 Cadence 公司,NASDAQ:CDNS)今日宣布,創(chuàng)意電子(GUC)借助 Cadence 數(shù)字解決方案成功完成先進(jìn)的高性能計(jì)算 (...
臺(tái)積電LGD將進(jìn)入蘋果Micro LED供應(yīng)鏈
MicroLED會(huì)帶來電源效率和亮度方面的好處,但在實(shí)際使用中如何改進(jìn)這些方面還有待觀察。
EUV的壟斷終將結(jié)束 EUV***逐步走向“落末”
從出貨量的不斷增多,再到產(chǎn)品的更新?lián)Q代。ASML嘗到了EUV帶給他的紅利,但是ASML的首席技術(shù)官透露EUV即將走到盡頭,之后的技術(shù)可能根本實(shí)現(xiàn)不了。
臺(tái)積電已于上周法說會(huì)揭露今年資本支出,將自去年歷史新高363億美元下滑,估計(jì)約為320億美元至360億美元,平均值約年減6.3%,低標(biāo)則年減11.8%,...
手機(jī)與PC市場下滑已成定數(shù),臺(tái)積電5nm成為新的營收支柱
作為全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的龍頭企業(yè),臺(tái)積電的每次法說會(huì)都對(duì)上一季度或上年度有個(gè)宏觀的總結(jié),也會(huì)對(duì)未來的市場趨勢做出預(yù)判。在本次法說會(huì)上,臺(tái)積電公布了去年第四季...
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/黃山明)近幾年來,全球陷入通貨膨脹狀態(tài),告別了持續(xù)十余年的低通脹時(shí)期,尤其是2022年以來,國際通脹水平進(jìn)一步上升,美歐等經(jīng)濟(jì)體物...
傳臺(tái)積電3nm工藝性價(jià)比太低,預(yù)計(jì)降價(jià)
臺(tái)積電3nm良率傳出了一些雜音,稱第一代的N3工藝良率不足50%,而且投片量也非常少,只有蘋果一家客戶。
最小 Lg 是溝道柵極控制的函數(shù),例如從具有不受約束的溝道厚度的單柵極平面器件轉(zhuǎn)移到具有 3 個(gè)柵極圍繞薄溝道的 FinFET,從而實(shí)現(xiàn)更短的 Lg。F...
DigiTimes聲稱臺(tái)積電將在未來幾年使用其N5 / N4(5nm和4nm制程節(jié)點(diǎn))和N3(3nm)制造工藝為AMD制造基于Zen 4和Zen 5的產(chǎn)...
最小 Lg 是溝道柵極控制的函數(shù),例如從具有不受約束的溝道厚度的單柵極平面器件轉(zhuǎn)移到具有 3 個(gè)柵極圍繞薄溝道的 FinFET,從而實(shí)現(xiàn)更短的 Lg。F...
添加更多的柵極(例如在 FinFET 中),將使其中的溝道被限制在三個(gè)柵極之間,從而能夠?qū)?Lg 縮放到溝道厚度的大約 2.5 倍。FinFET 已經(jīng)從...
臺(tái)積電3nm和5nm同期良率相當(dāng),3nm將大量生產(chǎn)
“3nm和5nm同期良率相當(dāng),也已經(jīng)客戶共同開發(fā)新產(chǎn)品并大量生產(chǎn)。”相較于5nm技術(shù),3nm密度增加60%,相同速度下功耗降低30%-35%,臺(tái)積電指出...
新聞快遞:華為P60或明年年初發(fā)布 臺(tái)積電將舉行3nm量產(chǎn)儀式
華為P60或明年年初發(fā)布 ? ? ? ?有爆料消息稱,華為P60系列的或?qū)⒂诿髂甑谝患径劝l(fā)布,具體時(shí)間或?qū)槿剿脑伦笥摇HA為P60系列或?qū)⒋钶d高通即將...
臺(tái)積電CEO談半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)挑戰(zhàn)
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/周凱揚(yáng))在不久前舉辦的玉山科技論壇上,臺(tái)積電CEO魏哲家出席并分享了自己和臺(tái)積電對(duì)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)挑戰(zhàn)的一些見解。在主題演講和答疑中,魏...
臺(tái)積電回應(yīng)“南京廠擴(kuò)產(chǎn)暫停”傳聞:按計(jì)劃進(jìn)行
12 月 21 日消息,據(jù)臺(tái)媒中央社報(bào)道,臺(tái)積電就“南京廠擴(kuò)產(chǎn)暫停”傳聞回應(yīng)稱,南京廠的 28 納米制程擴(kuò)產(chǎn)不變,照計(jì)劃進(jìn)行。 根據(jù)臺(tái)積電規(guī)劃,南京廠新...
2022-12-23 標(biāo)簽:臺(tái)積電 1417 0
芯片設(shè)計(jì)挑戰(zhàn):SRAM縮放速度變慢
臺(tái)積電在今年早些時(shí)候正式推出其 N3 制造技術(shù)時(shí)表示,與其 N5(5 納米級(jí))工藝相比,新節(jié)點(diǎn)的邏輯密度將提高 1.6 倍和 1.7 倍。它沒有透露的是...
三星計(jì)劃在2027年將成熟制程產(chǎn)能提高2.5倍
為了在與臺(tái)積電的競爭中奪回優(yōu)勢,三星晶圓代工部門還在強(qiáng)化定制化程度較高的特殊制程,計(jì)劃在2024年將特殊制程節(jié)點(diǎn)的數(shù)量增加至10個(gè)及以上。
【芯聞時(shí)譯】臺(tái)積電啟動(dòng)OIP 3DFabric聯(lián)盟
來源:半導(dǎo)體芯科技編譯 臺(tái)積電公司在2022年開放創(chuàng)新平臺(tái)生態(tài)系統(tǒng)論壇上宣布成立開放創(chuàng)新平臺(tái)?(OIP)3DFabric聯(lián)盟。新的臺(tái)積電公司3DFabr...
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