雙極晶體管的基本結(jié)構(gòu)

本文將介紹雙極型晶體管的基本結(jié)構(gòu)。雙極晶體管是雙極型結(jié)型晶體管（BJT）的簡稱，在電力半導(dǎo)體中，也稱作大功率晶體管（GTR），在現(xiàn)代電力電子變換器中大多...

2018-03-05 標(biāo)簽：雙極晶體管 2.6萬 1

什么是IGBT？IGBT內(nèi)部結(jié)構(gòu)解釋和拆解

在大致了解了它的結(jié)構(gòu)之后，我們可以用這種結(jié)構(gòu)的黑色模塊做什么呢？舉一個我們身邊的例子：新型電動汽車，大家應(yīng)該都不陌生了。三個這樣的黑色模塊可以用作三相電...

2023-03-10 標(biāo)簽：二極管MOSFETIGBT 2.5萬 0

2n3055參數(shù)/引腳圖，2n3055應(yīng)用電路

2N3055 是一款功率雙極晶體管，設(shè)計用于處理 100 V 和 15 A 范圍內(nèi)的高功率負(fù)載。

2023-07-24 標(biāo)簽：應(yīng)用電路雙極晶體管2N3055 2.0萬 0

什么是IGBT？功率半導(dǎo)體元器件的特點

　除了IGBT外，功率半導(dǎo)體元器件（晶體管領(lǐng)域）的代表產(chǎn)品還有MOSFET、BIPOLAR等，它們主要被用作半導(dǎo)體開關(guān)。

2021-05-24 標(biāo)簽：MOSFET元器件雙極晶體管 1.6萬 0

教您如何做零漂移儀表放大器的傳感器電路優(yōu)化方案

傳感器測量通常是將感興趣的物理現(xiàn)象轉(zhuǎn)換為電子電路參數(shù)，如電阻和電容，然后再用橋電路進(jìn)行讀取。橋電路再產(chǎn)生與溫度和電源電壓成比例關(guān)系的輸出電壓或電流信號，...

2018-01-15 標(biāo)簽：ESDadc雙極晶體管 1.5萬 0

正確偏置IA輸入，三種通用案例詳解

儀表放大器（IA）是運(yùn)算放大器和反饋電阻的結(jié)合，用于精確地獲取和放大信號。 使用這些通用放大器的一個常見錯誤是沒有為輸入偏置電流提供一條通路。25年以來...

2018-03-21 標(biāo)簽：運(yùn)算放大器雙極晶體管 7730 0

雙極晶體管工藝流程介紹

襯底:NPN雙極晶體管的基礎(chǔ)是p摻雜(硼)硅襯底，上面沉積了厚氧化層（600 nm）。

2023-12-06 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶體管雙極晶體管 6790 0

什么是IGBT？

什么是IGBT？本文的關(guān)鍵要點?IGBT是“Insulated Gate Bipolar Transistor”的縮寫，中文名稱是“絕緣柵雙極晶體管”。

2023-02-13 標(biāo)簽：MOSFETIGBT晶體管 5449 0

功率 MOSFET類別 N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET結(jié)構(gòu)

N 溝道增強(qiáng)模式最常用于電源開關(guān)電路，因為與 P 溝道器件相比，它的導(dǎo)通電阻低。

2021-06-14 標(biāo)簽：轉(zhuǎn)換器MOSFET雙極晶體管 4960 0

如何判斷雙極型晶體管的工作狀態(tài)

雙極型晶體管的工作原理是，當(dāng)電流流向晶體管的一端時，它會產(chǎn)生一個反向電壓，從而阻止電流流向另一端。這種反向電壓可以用來控制電流的流動，從而實現(xiàn)數(shù)據(jù)的處理。

2023-02-19 標(biāo)簽：晶體管雙極晶體管 4831 0

MOSFET柵極驅(qū)動電路設(shè)計方案

必須在基極和發(fā)射極之間施加電流，以在集電極中產(chǎn)生電流。圖1.2示出了MOSFET，當(dāng)在柵極和源極端子之間施加電壓時在漏極中產(chǎn)生電流。

2024-04-22 標(biāo)簽：MOSFET電容雙極晶體管 4213 0

IGBT 的結(jié)構(gòu)及主要參數(shù)

　　IGBT是Insulated Gate Bipolar Transistor的縮寫，翻譯為絕緣柵雙極晶體管，是一種高性能功率半導(dǎo)體器件。它結(jié)合了MO...

2023-02-28 標(biāo)簽：MOSFETIGBT晶體管 4072 0