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標(biāo)簽 > 半導(dǎo)體
半導(dǎo)體( semiconductor),指常溫下導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體(conductor)與絕緣體(insulator)之間的材料。半導(dǎo)體在收音機、電視機以及測溫上有著廣泛的應(yīng)用。如二極管就是采用半導(dǎo)體制作的器件。半導(dǎo)體是指一種導(dǎo)電性可受控制,范圍可從絕緣體至導(dǎo)體之間的材料。無論從科技或是經(jīng)濟(jì)發(fā)展的角度來看,半導(dǎo)體的重要性都是非常巨大的。
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“壓敏電阻"是一種具有非線性伏安特性的電阻器件,主要用于在電路承受過壓時進(jìn)行電壓鉗位,吸收多余的電流以保護(hù)敏感器件。英文名稱叫“Voltage...
這期內(nèi)容同樣是關(guān)于現(xiàn)有的ACF控制器SZ1131中的控制方案。該控制器出自Silanna 半導(dǎo)體公司。不過,與前面兩種控制器中實現(xiàn)的ACF專用控制策略不...
AN-2016:使用ADuM4136和LT3999驅(qū)動1200V SiC電源模塊
電動汽車、可再生能源和儲能系統(tǒng)等電源發(fā)展技術(shù)的成功取決于電力轉(zhuǎn)換方案能否有效實施。電力電子轉(zhuǎn)換器的核心包含專用半導(dǎo)體器件和通過柵極驅(qū)動器控制這些新型半導(dǎo)...
一種新型的鍺化硅(SiGe)干式選擇性各向同性原子層蝕刻技術(shù)
納米線(NWs)已經(jīng)為氣體和生物傳感提供了一個極好的平臺, 從而研究如何使納米線的表面功能化,由于納米尺度尺寸與分子尺寸兼容性,導(dǎo)致我們需要考慮如何使納...
對普通整流二極管來講,只要應(yīng)用電路中存在電網(wǎng)波動、同網(wǎng)中的大功率設(shè)備開啟關(guān)斷、雷擊、開關(guān)火花、大容量的感性負(fù)載、大容量的容性負(fù)載這些情況下,瞬間電壓高于...
芯片DNA如何物理不可克隆的功能技術(shù)保護(hù)嵌入式系統(tǒng)
基于硬件的安全性提供了針對網(wǎng)絡(luò)攻擊的強大保護(hù),當(dāng)實現(xiàn)加密功能的芯片使用時,物理不可克隆功能(PUF)技術(shù)可以進(jìn)一步增強該級別的保護(hù)。本應(yīng)用筆記討論了一種...
作為提供不間斷連接的關(guān)鍵,許多數(shù)據(jù)中心依賴于日益流行的半導(dǎo)體技術(shù)來提高能效和功率密度。 氮化鎵技術(shù),通常稱為 GaN,是一種寬帶隙半導(dǎo)體材料,越來越多地...
特別地,在德國工業(yè)4.0不僅僅在商業(yè)界具有高知名度。由于其經(jīng)濟(jì)影響,工業(yè)4.0也受到政治推動,例如進(jìn)一步發(fā)展德國制造業(yè)的競爭力。在這種情況下,政府官員正...
如何應(yīng)對艱巨的耐輻射電源電子系統(tǒng)設(shè)計
太空中的電子系統(tǒng)暴露在大量危險之中。除此之外,如果沒有地球保護(hù)磁場使粒子偏轉(zhuǎn),沒有地球大氣層吸收太陽及宇宙射線,系統(tǒng)將暴露在更大強度的波輻射及粒子輻射中...
利用氧化和“轉(zhuǎn)化-蝕刻”機制對富鍺SiGe的熱原子層蝕刻 引言
器件尺寸的不斷縮小促使半導(dǎo)體工業(yè)開發(fā)先進(jìn)的工藝技術(shù)。近年來,原子層沉積(ALD)和原子層蝕刻(ALE)已經(jīng)成為小型化的重要加工技術(shù)。ALD是一種沉積技術(shù)...
在高功率應(yīng)用中,碳化硅(SiC)的許多方面都優(yōu)于硅,包括更高的工作溫度以及更高效的高頻開關(guān)性能。但是,與硅快速恢復(fù)二極管相比,純 SiC 肖特基二極管的...
負(fù)反饋什么時候會變成正反饋?當(dāng)控制工程師想要實現(xiàn)不錯的增益和相位裕度時。本博文概述第 4 代 SiC FET 如何為設(shè)計人員提供理想性能和多種器件選擇,...
電能質(zhì)量監(jiān)測裝置在某半導(dǎo)體公司的應(yīng)用
安科瑞 宣依依 摘 要: 半導(dǎo)體生產(chǎn)制造業(yè)在國民經(jīng)濟(jì)中起著舉足輕重的作用,相關(guān)企業(yè)的規(guī)模也越來越大。其供配電系統(tǒng)穩(wěn)定、可靠的運維不僅是其安全生產(chǎn)的基本保...
首先說一下霍爾效應(yīng)。從材料,原理,應(yīng)用方面進(jìn)行講述。 先說材料,霍爾元器件材料為半導(dǎo)體,主要的有鍺,硅,或者或者多層半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)構(gòu)量子阱材料等。 另外針...
2023-06-14 標(biāo)簽:半導(dǎo)體霍爾效應(yīng)霍爾元件 1.2萬 0
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