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標(biāo)簽 > 半導(dǎo)體
半導(dǎo)體( semiconductor),指常溫下導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體(conductor)與絕緣體(insulator)之間的材料。半導(dǎo)體在收音機(jī)、電視機(jī)以及測(cè)溫上有著廣泛的應(yīng)用。如二極管就是采用半導(dǎo)體制作的器件。半導(dǎo)體是指一種導(dǎo)電性可受控制,范圍可從絕緣體至導(dǎo)體之間的材料。無(wú)論從科技或是經(jīng)濟(jì)發(fā)展的角度來(lái)看,半導(dǎo)體的重要性都是非常巨大的。
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如何借助陶瓷散熱器優(yōu)化LED產(chǎn)品的工藝設(shè)計(jì)
發(fā)光二極管(LED)因受到發(fā)熱問(wèn)題的制約而妨礙其成為一種理想光源的情況是可以理解的。我們對(duì)散熱器給予了很大關(guān)注,但卻對(duì)LED和散熱表面間的各層和屏障考慮不多。
電信和國(guó)防市場(chǎng)推動(dòng)射頻氮化鎵(RF GaN)應(yīng)用
自從20年前第一批商用產(chǎn)品問(wèn)世,GaN在射頻功率應(yīng)用領(lǐng)域已成為L(zhǎng)DMOS和GaAs的重要競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手,并且,正在以更低的成本不斷提高性能和可靠性。首批GaN...
半導(dǎo)體放電管TSS(Thyristor Surge Suppressors)是一種采用半導(dǎo)體工藝制成的PNPN結(jié)四層結(jié)構(gòu)器件,其伏安特性與晶閘管類(lèi)似,具...
基于LED的照明的性能和安全性的標(biāo)準(zhǔn)認(rèn)證
在早期,LED標(biāo)準(zhǔn)的缺乏造成了市場(chǎng)的混亂。從一個(gè)制造商到另一個(gè)制造商的測(cè)試方法和術(shù)語(yǔ)的變化使得難以將新LED產(chǎn)品與其他光源以及來(lái)自不同制造商的其他LED...
TaC涂層石墨件的應(yīng)用與研發(fā)難點(diǎn)都有哪些呢?
以氮化鎵(GaN)、碳化硅(SiC)為代表的第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料具有優(yōu)異的光電轉(zhuǎn)換和微波信號(hào)傳輸能力,能滿(mǎn)足高頻、高溫、大功率和抗輻射電子器件的需求。
2024-02-20 標(biāo)簽:新能源汽車(chē)半導(dǎo)體光電轉(zhuǎn)換 5018 0
基于微帶Wilkinson功分器實(shí)現(xiàn)微帶Ku波段功率合成電路的設(shè)計(jì)
隨著半導(dǎo)體材料和工藝的不斷發(fā)展,微波/毫米波功率半導(dǎo)體器件的輸出功率量級(jí)越來(lái)越大, L 波段功率晶體管的脈沖功率已達(dá)千瓦量級(jí); X波段功率砷化鎵場(chǎng)效應(yīng)管...
使用化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)方法對(duì)碳化硅晶片進(jìn)行了超精密拋光試驗(yàn),探究了滴液速率、拋光頭轉(zhuǎn) 速、拋光壓力、拋光時(shí)長(zhǎng)及晶片吸附方式等工藝參數(shù)對(duì)晶片表面粗糙度...
2018年12月6日,致力于亞太地區(qū)市場(chǎng)的領(lǐng)先半導(dǎo)體元器件分銷(xiāo)商---大聯(lián)大控股宣布,其旗下友尚推出瑞昱半導(dǎo)體(Realtek)車(chē)用以太網(wǎng)解決方案。 大...
功率MOSFET基本結(jié)構(gòu):平面結(jié)構(gòu)
功率 MOSFET 即金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管( Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor...
硅基轉(zhuǎn)接板2.5 D集成技術(shù)作為先進(jìn)的系統(tǒng)集成技術(shù),近年來(lái)得到迅猛的發(fā)展。但硅基轉(zhuǎn)接板存在兩個(gè)的主要問(wèn)題。
場(chǎng)效應(yīng)管的特點(diǎn)及應(yīng)用介紹
3.7場(chǎng)效應(yīng)管概述
2018-08-16 標(biāo)簽:半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管ti 5000 0
目前半導(dǎo)體市場(chǎng)冷清嗎?德州儀器TI建廠計(jì)劃延遲
根據(jù)德州儀器公司發(fā)給該州官員的一封信中顯示,德州儀器將在Richardson投資31億美元建設(shè)半導(dǎo)體工廠,但這個(gè)計(jì)劃要被推遲兩年。
無(wú)塵紙也叫干法造紙非織造布,是干法非織造布的一種。無(wú)塵紙具有獨(dú)特的物理性能,表現(xiàn)為高彈力,柔軟、手感、垂感極佳,具有極高的吸水性和良好的保水性能,被廣泛...
半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)器件晶閘管的特點(diǎn)及應(yīng)用分析
晶閘管(SCR)是一種半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)器件。早在1956年,Moll等人就發(fā)表了這種開(kāi)關(guān)器件的理論基礎(chǔ)。
2021-03-15 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器半導(dǎo)體晶閘管 4976 0
等離子體工藝廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體制造中。比如,IC制造中的所有圖形化刻蝕均為等離子體刻蝕或干法刻蝕,等離子體增強(qiáng)式化學(xué)氣相沉積(PECVD)和高密度等離子體...
當(dāng)光遇上納米技術(shù)會(huì)碰撞出什么樣的火花
伴隨著現(xiàn)代微納米加工技術(shù)的不斷發(fā)展,科學(xué)家擁有了在納米尺度上操縱光子的前所未有的能力,衍生出了納米光子學(xué)這一交叉學(xué)科。
光刻是半導(dǎo)體芯片生產(chǎn)流程中最復(fù)雜、最關(guān)鍵的工藝步驟,耗時(shí)長(zhǎng)、成本高。半導(dǎo)體芯片生產(chǎn)的難點(diǎn)和關(guān)鍵點(diǎn)在于將電路圖從掩模上轉(zhuǎn)移至硅片上,這一過(guò)程通過(guò)光刻來(lái)實(shí)現(xiàn)...
分布式電源架構(gòu)與分解動(dòng)力系統(tǒng)的介紹
它們將高性能光學(xué)控制與基于最先進(jìn)半導(dǎo)體工藝的并行數(shù)字處理相結(jié)合。結(jié)果,系統(tǒng)需要大量的電源域,其中許多電源域提供高電流和低電壓的組合。為了適應(yīng)現(xiàn)代通信樞紐...
這期內(nèi)容同樣是關(guān)于現(xiàn)有的ACF控制器SZ1131中的控制方案。該控制器出自Silanna 半導(dǎo)體公司。不過(guò),與前面兩種控制器中實(shí)現(xiàn)的ACF專(zhuān)用控制策略不...
在電子技術(shù)的快速發(fā)展中,場(chǎng)效應(yīng)管作為一種重要的半導(dǎo)體器件,以其獨(dú)特的性能和廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域,受到了廣泛關(guān)注。場(chǎng)效應(yīng)管主要由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電,屬于電壓控制...
2024-05-12 標(biāo)簽:半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管 4952 0
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