場效應晶體管(Field Effect Transistor縮寫(FET))簡稱場效應管。主要有兩種類型(junction FET—JFET)和金屬 - 氧化物半導體場效應管(metal-oxide semiconductor FET,簡稱MOS-FET)。由多數載流子參與導電,也稱為單極型晶體管。它屬于電壓控制型半導體器件。具有輸入電阻高(107~1015Ω)、噪聲小、功耗低、動態范圍大、易于集成、沒有二次擊穿現象、安全工作區域寬等優點,現已成為雙極型晶體管和功率晶體管的強大競爭者。
場效應管(FET)是利用控制輸入回路的電場效應來控制輸出回路電流的一種半導體器件,并以此命名。
由于它僅靠半導體中的多數載流子導電,又稱單極型晶體管。
聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規問題,請聯系本站處理。
舉報投訴
-
半導體
+關注
關注
335文章
28919瀏覽量
238045 -
場效應管
+關注
關注
47文章
1185瀏覽量
67135 -
ti
+關注
關注
113文章
8030瀏覽量
214956
發布評論請先 登錄
相關推薦
熱點推薦
場效應管驅動電路設計 如何降低場效應管的噪聲
在設計場效應管驅動電路時,降低場效應管的噪聲是至關重要的。以下是一些有效的措施來降低場效應管的噪聲: 一、電源噪聲的抑制 選擇穩定的電源 : 使用低噪聲、穩定的電源為場效應管供電,可以
場效應管在工業自動化中的應用
場效應管,特別是MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管),在工業自動化中扮演著重要角色。以下是場效應管在工業自動化中的幾個主要應用: 一、電機驅動與控制 功率開關 : 場效應管具有
場效應管的參數介紹 如何測試場效應管的功能
參數介紹 最大漏極電流(IDmax) :場效應管能夠承受的最大漏極電流,超過此值可能會導致器件損壞。 最大漏源電壓(VDSmax) :場效應管漏極和源極之間能夠承受的最大電壓。 最大柵源電壓(VGSmax) :
場效應管的優勢與劣勢 場效應管的負載能力分析
場效應管的優勢 高輸入阻抗 :場效應管的輸入阻抗非常高,這意味著它們需要的驅動電流非常小,這對于低功耗應用非常有利。 低噪聲 :場效應管由于其高輸入阻抗和低導通電阻,通常比雙極型晶體管
場效應管常見問題及解決方案
場效應管常見問題及解決方案 1. 場效應管的基本原理 場效應管是一種電壓控制型器件,其工作原理是通過改變柵極電壓來控制源極和漏極之間的電流。場效應管有兩種主要類型:結型
常見場效應管類型 場效應管的工作原理
場效應管(Field-Effect Transistor,簡稱FET)是一種電壓控制型半導體器件,它利用電場效應來控制電流的流動。場效應管的主要類型有結型場效應管(JFET)、金屬氧化
晶體管與場效應管的區別 晶體管的封裝類型及其特點
晶體管與場效應管的區別 工作原理 : 晶體管 :晶體管(BJT)基于雙極型晶體管的原理,即通過控制基極電流來控制集電極和發射極之間的電流。
P溝道場效應管的導通條件
P溝道場效應管(P-channel Field-Effect Transistor,簡稱P-FET)的導通條件是其能夠正常工作的關鍵要素。以下是關于P溝道場效應管導通條件的詳細介紹,旨在全面解析其工作原理和條件要求。
什么是N溝道場效應管和P溝道場效應管
場效應管(Field Effect Transistor,簡稱FET)是一種通過改變電場來控制半導體材料導電性能的電子器件。根據導電溝道中載流子的類型,場效應管可以分為N溝道場效應管和P溝道場
N溝道場效應管和P溝道場效應管有什么區別
N溝道場效應管(N-Channel Field Effect Transistor, N-Channel FET)和P溝道場效應管(P-Channel Field Effect Transistor
簡單認識場效應管和集成運放
場效應晶體管(Field Effect Transistor,簡稱FET),又稱場效應管,是一種利用電場效應來控制半導體材料導電性能的電壓控制型半導體器件。它主要由柵極(G)、源極(S)和漏極(D
場效應管的控制電壓的主要參數
場效應管(Field-Effect Transistor,簡稱FET)是一種廣泛應用于電子電路中的半導體器件,其工作原理是通過改變柵極電壓來控制漏極和源極之間的電流。場效應管具有輸入阻抗高、驅動功率
場效應管是電壓控制器件嗎
是的。場效應管(Field-Effect Transistor,簡稱FET)是一種電壓控制型半導體器件。它利用電場效應來控制電流的流動,具有輸入阻抗高、功耗低、噪聲小等優點,在電子電路中得到
場效應管與IGBT能通用嗎
場效應管(Field-Effect Transistor,FET)和絕緣柵雙極型晶體管(Insulated Gate Bipolar Transistor,IGBT)是兩種不同類型的半導體器件,它們
評論