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標(biāo)簽 > 半導(dǎo)體材料
半導(dǎo)體材料(semiconductor material)是一類具有半導(dǎo)體性能(導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體與絕緣體之間,電阻率約在1mΩ·cm~1GΩ·cm范圍內(nèi))、可用來(lái)制作半導(dǎo)體器件和集成電路的電子材料。
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國(guó)產(chǎn)碳化硅生產(chǎn)企業(yè)排行榜
憑借其卓越性能而被不斷應(yīng)用于光伏發(fā)電、電動(dòng)汽車、軌道交通和風(fēng)力發(fā)電等領(lǐng)域,引領(lǐng)著電力電子領(lǐng)域的一次技術(shù)革命。全球碳化硅功率器件市場(chǎng)規(guī)模預(yù)計(jì)將從2021年...
2023-12-05 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車光伏發(fā)電功率器件 9198 0
SKC子公司HMT將在中國(guó)蘇州投資建LCD專用復(fù)合膜和MLCC離型膜、光學(xué)透明粘膜OCA等膜片加工設(shè)施
MLCC離型膜是確保智能手機(jī)顯示屏和攝像鏡頭維持穩(wěn)定電流的核心零部件MLCC(片式多層陶瓷電容器)的關(guān)鍵材料。復(fù)合膜應(yīng)用在LCD擴(kuò)散板中,可簡(jiǎn)化工程、降...
2018-09-11 標(biāo)簽:智能手機(jī)MLCC半導(dǎo)體材料 8728 0
氮化鎵是什么半導(dǎo)體材料 氮化鎵充電器的優(yōu)缺點(diǎn)
氮化鎵屬于第三代半導(dǎo)體材料,相對(duì)硅而言,氮化鎵間隙更寬,導(dǎo)電性更好,將普通充電器替換為氮化鎵充電器,充電的效率更高。
2023-02-14 標(biāo)簽:充電器半導(dǎo)體材料氮化鎵 8628 0
中國(guó)領(lǐng)跑第四代半導(dǎo)體材料,氧化鎵專利居全球首位
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/李寧遠(yuǎn))半導(dǎo)體材料的突破一直是推動(dòng)半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展的一大助力,為了滿足日益多元化的芯片需求,半導(dǎo)體材料從以硅、鍺為代表的第一代半導(dǎo)體...
2023-04-02 標(biāo)簽:半導(dǎo)體材料氧化鎵第四代半導(dǎo)體 8120 0
這些年整個(gè)集成電路行業(yè)都陷入了瓶頸,處理器工藝制程難以精進(jìn),摩爾定律似乎已經(jīng)走向了沒(méi)落,半導(dǎo)體行業(yè)一直想要找出可以替代硅(Si)的半導(dǎo)體材料,但嘗試了各...
2021-06-04 標(biāo)簽:半導(dǎo)體材料 8049 0
第三代半導(dǎo)體SiC器件的性能優(yōu)勢(shì)
第二代半導(dǎo)體材料主要是指化合物半導(dǎo)體材料,如砷化鎵(GaAs)、銻化銦(InSb),主要用于制作高速、高頻、大功率以及發(fā)光電子器件(LED),是制作高性...
2021-02-01 標(biāo)簽:功率器件半導(dǎo)體材料SiC 7962 0
美日歐爭(zhēng)相制裁!俄羅斯、烏克蘭掌握關(guān)鍵半導(dǎo)體材料全球七成產(chǎn)能,缺芯雪上加霜?
美日歐爭(zhēng)相制裁!俄羅斯、烏克蘭掌握關(guān)鍵半導(dǎo)體材料全球七成產(chǎn)能,缺芯雪上加霜? ? 電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/梁浩斌)2022年2月22日,在這個(gè)特殊的日子里...
2022-02-23 標(biāo)簽:半導(dǎo)體材料供應(yīng)鏈制裁 7800 0
半導(dǎo)體材料是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的重要支撐產(chǎn)業(yè),按應(yīng)用環(huán)節(jié)劃分為晶圓制造材料和封裝材料。整個(gè)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈主要包括IC的設(shè)計(jì)、晶圓制造以及封裝測(cè)試等環(huán)節(jié),半導(dǎo)體材...
2020-08-31 標(biāo)簽:半導(dǎo)體半導(dǎo)體材料 7556 0
預(yù)計(jì)2020年全球GaN充電器市場(chǎng)規(guī)模為23億元
根據(jù)中信證券的市場(chǎng)分析,預(yù)計(jì)2020年全球GaN充電器市場(chǎng)規(guī)模為23億元,2025年將快速上升至638億元,5年復(fù)合增長(zhǎng)率高達(dá)94%。
2020-08-24 標(biāo)簽:充電器半導(dǎo)體材料GaN 7498 0
公告顯示,可立克于2018年4月13日收到國(guó)際商會(huì)國(guó)際仲裁院(以下簡(jiǎn)稱“ICC”)送達(dá)的仲裁通知(23530/MK)及仲裁申請(qǐng)文件。本次仲裁由ICC于2...
2018-04-20 標(biāo)簽:LED半導(dǎo)體材料 7468 0
根據(jù)制造工藝分類,半導(dǎo)體硅片主要可以分為拋光片、外延片與以SOI硅片為代表的高端硅基材料。單晶硅錠經(jīng)過(guò)切割、研磨和拋光處理后得到拋光片。拋光片經(jīng)過(guò)外延生...
2023-06-27 標(biāo)簽:芯片封裝半導(dǎo)體材料 7437 0
什么是寬帶隙半導(dǎo)體材料 氮化鎵、碳化硅和氧化鋅等都是寬帶隙半導(dǎo)體材料,因?yàn)樗慕麕挾榷荚?個(gè)電子伏以上,在室溫下不可
2010-03-04 標(biāo)簽:半導(dǎo)體材料 7403 0
總投資80億!山東開(kāi)工重大半導(dǎo)體材料項(xiàng)目
開(kāi)工的有研半導(dǎo)體項(xiàng)目是德州東部城區(qū)創(chuàng)新組團(tuán)的龍頭項(xiàng)目,已被省政府列為2019年省級(jí)重點(diǎn)“頭號(hào)”項(xiàng)目。項(xiàng)目瞄準(zhǔn)我國(guó)重大戰(zhàn)略產(chǎn)業(yè)短板,填補(bǔ)省內(nèi)相關(guān)領(lǐng)域空白,...
2019-03-21 標(biāo)簽:集成電路半導(dǎo)體材料 7147 0
單晶硅錠經(jīng)過(guò)切片、研磨、蝕刻、拋光、外延(如有)、鍵合(如有)、清洗等工藝步驟,制造成為半導(dǎo)體硅片。在生產(chǎn)環(huán)節(jié)中,半導(dǎo)體硅片需要盡可能地減少晶體缺陷,保...
2022-11-02 標(biāo)簽:半導(dǎo)體材料氮化鎵硅片 6867 0
被卡脖子的半導(dǎo)體材料(萬(wàn)字深度報(bào)告)
根據(jù)SEMI數(shù)據(jù),2020年全球晶圓制造材料中,硅片占比最高,為35%;電子氣體排名第2,占比13%;掩膜版排名第3,占比12%,光刻膠占比6%;光刻膠...
2023-03-25 標(biāo)簽:半導(dǎo)體半導(dǎo)體材料晶圓制造 6526 0
半導(dǎo)體材料的獨(dú)特性質(zhì)之一是它們的導(dǎo)電性和導(dǎo)電類型(N型或P型)能夠通過(guò)在材料中摻入專門(mén)的雜質(zhì)而被產(chǎn)生和控制。
2019-03-29 標(biāo)簽:半導(dǎo)體材料 6200 0
羅軍華團(tuán)隊(duì)開(kāi)發(fā)高性能偏振光探測(cè)器
中國(guó)科學(xué)院福建物構(gòu)所羅軍華團(tuán)隊(duì)首次報(bào)道了一種基于二維/三維雜化鈣鈦礦異質(zhì)結(jié)單晶的偏振光探測(cè)器。該探測(cè)器表現(xiàn)出優(yōu)異的偏振光探測(cè)性能,包括超高的偏振靈敏度、...
2021-05-24 標(biāo)簽:單晶半導(dǎo)體材料光電探測(cè)器 6089 0
二維(2D)材料是具有原子厚度的片狀材料,因其電子限域效應(yīng)而具有獨(dú)特的電子、光學(xué)和機(jī)械等特性,在新一代智能電子、光電子及儲(chǔ)能器件等領(lǐng)域有巨大的應(yīng)用前景。
2020-08-27 標(biāo)簽:CMOS半導(dǎo)體材料納米器件 6078 0
常見(jiàn)的半導(dǎo)體材料有硅(si)、鍺(ge),化合物半導(dǎo)體,如砷化鎵(gaas)等;摻雜或制成其它化合物半導(dǎo)體材料,如硼(b)、磷(p)、錮(in)和銻(s...
2022-09-22 標(biāo)簽:半導(dǎo)體模擬IC半導(dǎo)體材料 5982 0
先了解一下霍爾傳感器的工作原理。霍爾傳感器是根據(jù)霍爾效應(yīng)制作的一種磁場(chǎng)傳感器,廣泛地應(yīng)用于工業(yè)自動(dòng)化技術(shù)、檢測(cè)技術(shù)及信息處理等方面。通過(guò)霍爾效應(yīng)實(shí)驗(yàn)測(cè)定...
2021-05-08 標(biāo)簽:霍爾傳感器半導(dǎo)體材料電磁感應(yīng) 5904 0
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