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標(biāo)簽 > 半導(dǎo)體材料
半導(dǎo)體材料（semiconductor material）是一類具有半導(dǎo)體性能（導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體與絕緣體之間，電阻率約在1mΩ·cm～1GΩ·cm范圍內(nèi)）、可用來制作半導(dǎo)體器件和集成電路的電子材料。
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棱鏡門再次升級，揭秘者斯諾登突然打破沉默再度爆猛料，美國國家安全局(NSA)所開發(fā)的一個互聯(lián)網(wǎng)監(jiān)視系統(tǒng)“Xkeyscore”能夠隨時查看各類隱私信息.我...
2013-08-01 標(biāo)簽：半導(dǎo)體材料棱鏡門電子快訊 2546 0
第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展已成為半導(dǎo)體行業(yè)實現(xiàn)突破的關(guān)鍵環(huán)節(jié)
全球SiC的產(chǎn)業(yè)格局呈現(xiàn)美國、歐洲、日本三足鼎立的態(tài)勢。美國的科銳、德國的英飛凌、日本的羅姆這三家公司占據(jù)了全球SiC市場約70%的份額，其中科銳、羅姆...
2020-09-26 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶體半導(dǎo)體材料 2470 0
同時具有高電子和空穴遷移率以及高導(dǎo)熱率的半導(dǎo)體材料有益于提升微電子和光電子器件的性能（1，2）。然而，到目前為止，仍然沒有確認(rèn)同時具有高遷移率和熱導(dǎo)率的材料。
2022-09-05 標(biāo)簽：半導(dǎo)體材料晶格熱導(dǎo)率 2465 0
半導(dǎo)體發(fā)展:半導(dǎo)體材料將走向“納米化”
半導(dǎo)體是介于導(dǎo)體和絕緣體之間的材料。伴隨著半導(dǎo)體市場的壯大，半導(dǎo)體材料也不斷獲得突破。半導(dǎo)體納米科學(xué)技術(shù)的應(yīng)用，將從原子、分子、納米尺度水平上，控制和制...
2012-02-28 標(biāo)簽：半導(dǎo)體半導(dǎo)體材料 2464 0
4月16日，投資臺灣事務(wù)所再通過 LED 磊晶廠龍頭晶電、半導(dǎo)體測試大廠欣銓、全智科技、誠遠(yuǎn)科技關(guān)于參與臺商回臺、根留臺灣地區(qū)的方案，共加碼超過 172...
2020-05-15 標(biāo)簽：led半導(dǎo)體材料5G網(wǎng)絡(luò) 2431 0
中國本土的半導(dǎo)體市場需求占全球的1/3，隨著國內(nèi)新建晶圓廠陸續(xù)實現(xiàn)量產(chǎn)，配套半導(dǎo)體材料也迎來高速增長。目前國內(nèi)85%半導(dǎo)體材料需要依靠進(jìn)口，國產(chǎn)替代空間巨大。
2023-08-26 標(biāo)簽：光伏晶圓廠半導(dǎo)體材料 2393 0
據(jù)韓媒businesskorea報道，日本去年宣布對韓國企業(yè)實施出口限制，引發(fā)了韓國中小型半導(dǎo)體材料和零部件制造商的擔(dān)憂。
2020-10-21 標(biāo)簽：半導(dǎo)體材料零部件 2359 0
β-Ga2O3相對較低的遷移率使其能夠表現(xiàn)出比SiC和GaN更好的性能。從熔體中生長的材料的特性使得以低于塊狀氮化鎵、碳化硅和金剛石的成本制造高質(zhì)量晶體...
2023-01-03 標(biāo)簽：晶圓功率器件半導(dǎo)體材料 2349 0
半導(dǎo)體：現(xiàn)代電子技術(shù)的基石與多領(lǐng)域應(yīng)用
半導(dǎo)體材料的種類繁多，如硅、鍺、砷化鎵等，其中硅由于其良好的導(dǎo)電性和易于加工的特性，是最常用的半導(dǎo)體材料之一。
哈工大發(fā)明可柔性可佩戴實時點亮LED燈的體溫發(fā)電機
事實上，將體溫發(fā)電與可穿戴設(shè)備相結(jié)合直至今天仍是一項創(chuàng)新之舉。 1998 年，日本著名制表公司精工（SEIKO）曾發(fā)布過一款由體溫供電的石英表 Seik...
2021-05-13 標(biāo)簽：led燈電壓半導(dǎo)體材料 2300 0
SiCMOSFET支持高能效、小外形、強固和高性價比的高頻設(shè)計，用于汽車、可再生能源和數(shù)據(jù)中心電源系統(tǒng) 推動高能效創(chuàng)新的安森美半導(dǎo)體，推出了兩款新的碳化...
2019-04-06 標(biāo)簽：半導(dǎo)體材料碳化硅 2283 0
碳化硅（SiC）在高溫環(huán)境下的表現(xiàn)非常出色，這得益于其獨特的物理和化學(xué)性質(zhì)。以下是對碳化硅在高溫環(huán)境下表現(xiàn)的分析： 一、高溫穩(wěn)定性 碳化硅具有極高的熔點...
2024-11-25 標(biāo)簽：半導(dǎo)體材料SiC碳化硅 2279 0
天津市成像與感知微電子技術(shù)重點實驗室舉辦第一屆第五次學(xué)術(shù)委員會會議
來自中科院半導(dǎo)體研究所、河北工業(yè)大學(xué)和天津理工大學(xué)的三位2019年重點實驗室開放基金負(fù)責(zé)人分別針對項目情況進(jìn)行了成果匯報。隨后，來自天津大學(xué)的三位專家分...
2020-09-26 標(biāo)簽：集成電路圖像傳感器半導(dǎo)體材料 2272 0
碳化硅襯底產(chǎn)業(yè)全景：國內(nèi)外主要廠商分布圖
中國在碳化硅襯底領(lǐng)域的布局顯示出了其對半導(dǎo)體材料自主供應(yīng)鏈建設(shè)的重視。隨著全球?qū)Ω咝堋⒏吣陀眯噪娮悠骷枨蟮脑黾樱蓟枰r底由于其在高溫、高電壓和高頻...
2024-02-27 標(biāo)簽：半導(dǎo)體材料碳化硅 2260 0
針對我國重點應(yīng)用領(lǐng)域急需的新材料產(chǎn)業(yè)情況進(jìn)行了研究與分析
半導(dǎo)體和顯示行業(yè)的核心材料、器件、設(shè)備幾乎全部依賴進(jìn)口。對于本土投資者、創(chuàng)業(yè)者來說，這是一次鳳凰涅槃的巨大機會。數(shù)據(jù)顯示，半導(dǎo)體材料國產(chǎn)化率普遍偏低，進(jìn)...
2021-03-30 標(biāo)簽：集成電路半導(dǎo)體材料硅片 2248 0
中美半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)和貿(mào)易限制工作組正式成立
兩國協(xié)會希望通過工作組加強溝通交流，促進(jìn)更深層次的相互理解和信任。工作組將遵循公平競爭、知識產(chǎn)權(quán)保護(hù)和全球貿(mào)易規(guī)則，通過對話與合作解決中美兩國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)...
2021-03-22 標(biāo)簽：集成電路半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)半導(dǎo)體材料 2241 0
上海新陽：光刻膠產(chǎn)品處于實驗研發(fā)和中試開發(fā)階段
對于公司兩臺光刻機何時到位，上海新陽稱，公司購買的ArF光刻機準(zhǔn)備運輸中，時間尚不能確定。I線光刻機已完成招投標(biāo)，在進(jìn)行采購中。
2020-06-23 標(biāo)簽：半導(dǎo)體材料光刻機 2240 0
根據(jù)霍爾效應(yīng)用半導(dǎo)體材料制成的元件叫霍爾元件。它具有對磁場敏感、結(jié)構(gòu)簡單、體積小、頻率響應(yīng)寬、輸出電壓變化大和使用壽命長等優(yōu)點。因此，在測量、自動化、計...
2022-11-24 標(biāo)簽：霍爾傳感器半導(dǎo)體材料 2231 0
研究人員研制出可實現(xiàn)心肌細(xì)胞的實時動態(tài)力成像的壓電光電子學(xué)納米“天線”陣列
該研究團隊一直聚焦細(xì)胞牽引力的精確測量方法和器件研究。早在2009年，李舟和王中林就提出基于硅納米線陣列測量細(xì)胞牽引力的方法，研究了正常細(xì)胞、良性和惡性...
2021-06-09 標(biāo)簽：納米半導(dǎo)體材料陣列 2214 0
長光華芯出售設(shè)備與惟清半導(dǎo)體共建碳化硅項目
據(jù)悉，此次股權(quán)交易涉及到77臺半導(dǎo)體工藝及制程相關(guān)的機器設(shè)備，包括半導(dǎo)體材料生長、晶圓制造、芯片解析等多個環(huán)節(jié)所需的生產(chǎn)工具和輔助系統(tǒng)。該批設(shè)備是長光華...
2023-12-29 標(biāo)簽：半導(dǎo)體材料晶圓制造長光華芯 2198 0
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