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標簽 > 功率mosfet
功率MOS場效應晶體管,即MOSFET,其原意是:MOS(Metal Oxide Semiconductor金屬氧化物半導體),FET(Field Effect Transistor場效應晶體管),即以金屬層(M)的柵極隔著氧化層(O)利用電場的效應來控制半導體(S)的場效應晶體管。
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瑞薩電子推出新型高壓功率MOSFET產品RJK60S5DPK
瑞薩電子株式會社(以下簡稱瑞薩電子)推出用于電源器件的新型高壓、N通道功率金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)產品。新產品名為RJK60S5DPK
2011-03-21 標簽:功率MOSFET瑞薩電子RJK60S5DPK 1233 0
新增產品包括采用表面貼裝SOP Advance封裝的“TPH2R408QM”以及采用TSON Advance封裝的“TPN19008QM”。產品于今日開始出貨。
Vishay發布新款TrenchFET功率MOSFET-SiB437EDKT
日前,Vishay Intertechnology, Inc.發布占位面積為1.6mmx1.6mm、高度小于0.8mm的新款8V P溝道TrenchFE...
Vishay推出30V N溝道TrenchFET第五代功率MOSFET
全球知名半導體解決方案供應商Vishay日前宣布推出其最新型的多功能30V N溝道TrenchFET?第五代功率MOSFET——Vishay Silic...
FQD17P06TM是一款大功率MOS管,制造商:onsemi產品種類:MOSFETRoHS:詳細信息技術:Si安裝風格:SMD/SMT封裝/箱體:DP...
2022-04-21 標簽:功率MOSFET 1093 0
近日,全球知名的半導體解決方案供應商Vishay宣布推出新型80V對稱雙通道N溝道功率MOSFET,型號為SiZF4800LDT。這款新產品將高邊和低邊...
飛兆半導體公司和英飛凌科技宣布進一步擴展封裝兼容合作伙伴關系,擴展協議將包括5x6mm非對稱結構功率級雙MOSFET封裝。
Vishay公司近日重磅推出了一款革命性的功率MOSFET產品——SiHR080N60E,它采用了新型的PowerPAK? 8 x 8 LR封裝技術,標...
超越期望,引領控制革新——ASDM65N18S功率MOSFET
引言: 在現代高效能系統中,功率MOSFET扮演著至關重要的角色,它們是實現低功耗、高效率和精確控制的關鍵元件。為滿足不斷發展的市場需求,我們推出了全新...
美高森美公司(Microsemi )宣布擴大RF功率產品線,推出DRF1400功率MOSFET。該產品非常適合在廣泛的工業、科學和醫療 (indus...
Vishay的PowerPAIR功率MOSFET榮獲2012中國年度電子成就獎
Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,該公司的SiZ710DT 20 V n溝道PowerPAIR...
東芝推出兩款采用L-TOGL封裝的車載N溝道功率MOSFET產品
東芝近日發布了兩款專為車載環境設計的N溝道功率MOSFET產品——“XPQR8308QB”(80V)和“XPQ1R00AQB”(100V),均采用了其前...
Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,推出新器件---SiZ300DT和SiZ910DT---以擴...
飛兆和英飛凌簽署功率MOSFET兼容協議 全球領先的高性能功率和移動產品供應商飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor)和英飛凌...
2010-04-26 標簽:功率MOSFET 751 0
東芝拓展40V N溝道功率MOSFET產品線,引領汽車節能新紀元
在追求極致駕駛體驗的今天,高效功耗控制已成為衡量汽車技術先進性的重要標尺。它不僅關乎長距離無憂行駛的能力,更是降低碳排放、實現綠色出行的關鍵所在。東芝,...
全球領先的高性能功率和便攜產品供應商飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor)和英飛凌科技(Infineon Technologi...
每一個H橋的功率輸出模塊由N型功率MOSFET組成的電機驅動芯片
SS8812T的每一個H橋的功率輸出模塊由N型功率MOSFET組成。每個H橋包含整流電路和限流電路。簡單的并行數字控制接口,衰減模式可選擇為快衰減,慢衰...
瑞薩電子推出新型 100V 高功率 MOSFET,助力多領域應用
近日,瑞薩電子公司宣布推出新型100V高功率N溝道MOSFET。這款產品專為電機控制、電池管理系統、電源管理及充電應用而設計,以其卓越的高電流開關性能和...
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