Vishay推出第四代600 V E系列功率MOSFET
Vishay公司近日重磅推出了一款革命性的功率MOSFET產(chǎn)品——SiHR080N60E，它采用了新型的PowerPAK? 8 x 8 LR封裝技術(shù)，標(biāo)志著第四代600V E系列功率MOSFET的誕生。這一創(chuàng)新產(chǎn)品為通信、工業(yè)及計(jì)算領(lǐng)域帶來(lái)了前所未有的高效高功率密度解決方案。
SiHR080N60E以其小巧的PowerPAK 8 x 8 LR封裝設(shè)計(jì)脫穎而出，其僅10.42 mm x 8 mm x 1.65 mm的緊湊尺寸，相較于傳統(tǒng)的D2PAK封裝，占位面積大幅減少了50.8%，同時(shí)高度降低了驚人的66%。這種小巧且高效的設(shè)計(jì)，不僅節(jié)約了寶貴的空間資源，還顯著提升了系統(tǒng)的功率密度，為現(xiàn)代電子設(shè)備的發(fā)展注入了新的活力。
隨著通信、工業(yè)和計(jì)算應(yīng)用對(duì)性能要求的不斷提高，高效、高功率密度的解決方案變得愈發(fā)重要。Vishay公司的這款新型功率MOSFET正是為了滿足這一市場(chǎng)需求而生，它將為各行各業(yè)帶來(lái)更高效、更可靠的電力控制解決方案。
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫(xiě)或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題，請(qǐng)聯(lián)系本站處理。
舉報(bào)投訴
-
Vishay
+關(guān)注
關(guān)注
20文章
889瀏覽量
118166 -
封裝技術(shù)
+關(guān)注
關(guān)注
12文章
578瀏覽量
68565 -
功率MOSFET
+關(guān)注
關(guān)注
0文章
352瀏覽量
22489
發(fā)布評(píng)論請(qǐng)先 登錄
相關(guān)推薦
熱點(diǎn)推薦
高通推出第四代驍龍7移動(dòng)平臺(tái)
高通技術(shù)公司今日推出最新驍龍7系產(chǎn)品——第四代驍龍7移動(dòng)平臺(tái)。這一全新平臺(tái)旨在增強(qiáng)用戶喜愛(ài)的多媒體體驗(yàn)并提供全面的穩(wěn)健性能。無(wú)論是利用先進(jìn)圖像處理功能拍攝珍貴瞬間，還是借助精選的Snapdragon
高通推出第四代驍龍8s移動(dòng)平臺(tái)
今日，高通技術(shù)公司宣布推出第四代驍龍8s移動(dòng)平臺(tái)，該平臺(tái)專為追求出色娛樂(lè)體驗(yàn)和創(chuàng)作體驗(yàn)的用戶打造，旨在將旗艦性能和先進(jìn)特性帶給更多消費(fèi)者，并為手游玩家和創(chuàng)作者提供強(qiáng)勁支持。第四代驍龍8s能夠確保終端持久運(yùn)行，滿足用戶全天候的多樣
Vishay推出第4.5代650V E系列高效能電源MOSFET
VishayIntertechnology,Inc.近日宣布推出其最新的電源半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新——第4.5代650VE系列電源MOSFET，型號(hào)為SiHK050N65
曝三星已量產(chǎn)第四代4nm芯片
據(jù)外媒曝料稱三星已量產(chǎn)第四代4nm芯片。報(bào)道中稱三星自從2021年首次量產(chǎn)4nm芯片以來(lái)，每年都在改進(jìn)技術(shù)。三星現(xiàn)在使用的是其最新的第四代4nm工藝節(jié)點(diǎn)（SF4X）進(jìn)行大規(guī)模生產(chǎn)。第四代4nm工藝
TCL 再掀電視革新風(fēng)暴，第四代液晶電視震撼登場(chǎng)
LED電視春季新品發(fā)布會(huì)，正式發(fā)布了第四代液晶電視Q10L系列，憑借萬(wàn)象分區(qū)、蝶翼華曜屏、極景·無(wú)黑邊等核心技術(shù)，不僅終結(jié)了傳統(tǒng)液晶電視的黑邊時(shí)代，更以“真全面屏”形態(tài)重新定義了高端顯示標(biāo)準(zhǔn)。 回顧液晶電視的發(fā)展歷程，早期以超寬邊框設(shè)計(jì)為主
高通躍龍第四代固定無(wú)線接入平臺(tái)至尊版發(fā)布
高通技術(shù)公司今日宣布推出高通躍龍第四代固定無(wú)線接入平臺(tái)至尊版，這是全球首款5G Advanced FWA平臺(tái)。
第四代核電堆型：鈉冷快堆設(shè)計(jì)的流體仿真技術(shù)挑戰(zhàn)與解決方案
第四代核反應(yīng)堆是目前核能技術(shù)發(fā)展的前沿方向，具有更高的安全性、經(jīng)濟(jì)性、可持續(xù)性以及防擴(kuò)散能力等特點(diǎn)。
AN65-第四代LCD背光技術(shù)
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《AN65-第四代LCD背光技術(shù).pdf》資料免費(fèi)下載
發(fā)表于 01-09 14:12
?0次下載
意法半導(dǎo)體發(fā)布第四代STPower硅碳化物MOSFET技術(shù)
意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics)近日推出了其第四代STPower硅碳化物(SiC)MOSFET技術(shù)，標(biāo)志著在高效能和高功率密度領(lǐng)域的又一重大進(jìn)展。新一
意法半導(dǎo)體第四代碳化硅功率技術(shù)問(wèn)世
意法半導(dǎo)體(簡(jiǎn)稱ST)推出第四代STPOWER碳化硅(SiC)MOSFET技術(shù)。第四代技術(shù)有望在能效、功率密度和穩(wěn)健性三個(gè)方面成為新的市場(chǎng)標(biāo)
意法半導(dǎo)體發(fā)布第四代SiC MOSFET技術(shù)
意法半導(dǎo)體（簡(jiǎn)稱ST）近日宣布推出其第四代STPOWER碳化硅（SiC）MOSFET技術(shù)，標(biāo)志著公司在高效能半導(dǎo)體領(lǐng)域又邁出了重要一步。此次推出的第
SK啟方半導(dǎo)體推出第四代0.18微米BCD工藝
韓國(guó)知名8英寸純晶圓代工廠SK啟方半導(dǎo)體宣布，其自主研發(fā)的第四代0.18微米BCD工藝已正式面世，較上一代工藝性能提升約20%。這一創(chuàng)新成果不僅彰顯了SK啟方在半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域的深厚積累，更為行業(yè)帶來(lái)了新的發(fā)展動(dòng)力。
富士康，布局第四代半導(dǎo)體
能，為未來(lái)高功率電子元件開(kāi)辟了新的可能性。 第四代半導(dǎo)體氧化鎵 (Ga2O3) 因其優(yōu)異的性能，被視為下一代半導(dǎo)體材料的代表。它擁有超寬能隙 (4.8 eV)、超高臨界擊穿場(chǎng)強(qiáng) (8 MV/cm) 等特性，較現(xiàn)有的硅 (Si)、
展會(huì)精彩回顧｜Amass攜第四代新品出展，備受關(guān)注！
2024年8月10日，為期3天的第9屆世界電池及儲(chǔ)能產(chǎn)業(yè)博覽會(huì)暨亞太電池展/亞太儲(chǔ)能展圓滿收官。作為鋰電連接器參展商，艾邁斯攜自主研發(fā)的第四代智能設(shè)備大電流內(nèi)接連接器XL/LC/LF系列新品亮相展會(huì)，成為展會(huì)參觀者駐足停留的熱門(mén)展臺(tái)。
亞馬遜網(wǎng)絡(luò)服務(wù)即將推出第四代Graviton處理器
7月10日，雅虎財(cái)經(jīng)獨(dú)家報(bào)道了亞馬遜網(wǎng)絡(luò)服務(wù)（AWS）即將推出的重大技術(shù)進(jìn)展——其第四代Graviton處理器，即Graviton4芯片。這一重要信息由AWS的計(jì)算與人工智能產(chǎn)品管理總監(jiān)拉胡爾·庫(kù)爾卡尼在德克薩斯州奧斯汀的亞馬遜芯片研發(fā)中心親自披露。
工商網(wǎng)監(jiān)
評(píng)論