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標(biāo)簽 > 功率晶體管
功率晶體管是隨著近幾年移動(dòng)通信系統(tǒng)對(duì)基站功率放大器和手機(jī)功率放大器的性能要求提高逐漸發(fā)展起來(lái)的新型射頻功率器件。具有工作性能高、寄生電容小、易于集成等特點(diǎn)。特別適合在集成電路中作功率器件。
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關(guān)于RS232、TTL電平轉(zhuǎn)換集成電路的簡(jiǎn)單介紹
許多單片機(jī)的應(yīng)用中都會(huì)使用到串行口與電腦的串行口相連接,進(jìn)行數(shù)據(jù)的傳輸或控制命令的發(fā)送與接收。單片機(jī)的串口有很大一部分是使用電平標(biāo)準(zhǔn)的(PIC的可以直接...
2018-05-09 標(biāo)簽:ttl功率晶體管電平轉(zhuǎn)換電路 2.0萬(wàn) 0
EPC增強(qiáng)型GaN-on-Silicon功率晶體管:EPC2045
低壓氮化鎵(GaN)器件市場(chǎng)越來(lái)越重要,EPC是低壓硅上氮化鎵(GaN-on-silicon)高電子遷移率晶體管(HEMT)器件的主要供應(yīng)商。
2017-10-18 標(biāo)簽:功率晶體管 1.2萬(wàn) 0
達(dá)林頓晶體管,這是一種高增益的雙極型功率晶體管,其實(shí)質(zhì)是由兩只或更多晶體管復(fù)合組成的達(dá)林頓或超a對(duì)(darlington pair或Pmultip丨丨e...
2023-02-19 標(biāo)簽:晶體管達(dá)林頓晶體管高增益 8416 0
PartSim 是一個(gè)基于網(wǎng)絡(luò)的程序,使用戶無(wú)需安裝任何軟件即可創(chuàng)建和模擬電子電路。本文將繼續(xù)探索這個(gè)復(fù)雜的模擬系統(tǒng)所提供的可能性。
GaN功率晶體管的動(dòng)態(tài)導(dǎo)通電阻測(cè)量技術(shù)的挑戰(zhàn)和方法
動(dòng)態(tài)導(dǎo)通電阻對(duì)于 GaN 功率晶體管的可靠和穩(wěn)定運(yùn)行至關(guān)重要。然而,許多工程師都在努力評(píng)估動(dòng)態(tài) RDS(ON),因?yàn)楹茈y以足夠的分辨率對(duì)其進(jìn)行一致測(cè)量。...
基于構(gòu)建的運(yùn)算放大器 NE5532 和一對(duì)功率晶體管 TIP41A / TIP42A,該音頻放大器電路能夠向 8 歐姆揚(yáng)聲器提供高達(dá) 10W 的音頻功率輸出。
2022-06-17 標(biāo)簽:運(yùn)算放大器NE5532功率晶體管 7342 0
TIP32C是一款采用JedecTO-220塑料封裝的硅外延基PNP功率晶體管。它適用于中等功率線性和開(kāi)關(guān)應(yīng)用。互補(bǔ)的NPN類型是TIP31C。本文將系...
快速恢復(fù)外延二極管 (FRED) 特性 – 應(yīng)用 – 示例 在過(guò)去的 10 年中,電源拓?fù)浒l(fā)生了根本性的變化。現(xiàn)在構(gòu)建了各種電源,不再需要笨重的 50/...
中、低頻大功率晶體管:中、低頻大功率晶體管一般用在電視機(jī)、音響等家電中作為電源調(diào)整管、開(kāi)關(guān)管、場(chǎng)輸出管、行輸出管、功率輸出管或用在汽車電子點(diǎn)火電路、逆變...
2024-03-31 標(biāo)簽:集成電路功率開(kāi)關(guān)晶體管 5903 0
利用2N2219A設(shè)計(jì)的1.5瓦FM發(fā)射器電路
這是一個(gè)使用功率晶體管2N2219A的簡(jiǎn)單、精心設(shè)計(jì)的1.5瓦FM發(fā)射器電路。該電路應(yīng)該能夠覆蓋1-2公里范圍。它使用+5-30V電源工作。
什么是集電極開(kāi)路電路 集電極開(kāi)路是什么門(mén)電路
OC門(mén)電路的輸出電平取決于外接的上拉電阻或電源電壓,因此在使用時(shí)需要根據(jù)具體的應(yīng)用場(chǎng)景選擇合適的上拉電阻或電源電壓,以確保電路的正常工作。
增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管和耗盡型場(chǎng)效應(yīng)管有什么區(qū)別?
場(chǎng)效應(yīng)管中,隨著Ugs的增加,在靠近二氧化硅絕緣體的P型襯底表面缺少多子,形成了耗盡層。
2023-02-21 標(biāo)簽:場(chǎng)效應(yīng)管晶體管FET 4377 0
電源的基本設(shè)計(jì)模型,包括了整流器和負(fù)載器件,以及串聯(lián)在一起的控制元件。圖 1 是串行調(diào)整電源的簡(jiǎn)化電路圖,它包括了作為電源開(kāi)關(guān)的相位控制預(yù)調(diào)整器,串聯(lián)在...
SiCMOSFET如何實(shí)現(xiàn)降低功率轉(zhuǎn)換過(guò)程中能量損耗
人們普遍認(rèn)為,SiCMOSFET可以實(shí)現(xiàn)非常快的開(kāi)關(guān)速度,有助于顯著降低電力電子領(lǐng)域功率轉(zhuǎn)換過(guò)程中的能量損耗。然而,由于傳統(tǒng)功率半導(dǎo)體封裝的限制,在實(shí)際...
2021-01-27 標(biāo)簽:SiC功率半導(dǎo)體功率晶體管 3824 0
說(shuō)說(shuō)IGBT的開(kāi)通過(guò)程
一開(kāi)始我們簡(jiǎn)單介紹過(guò)IGBT的基本結(jié)構(gòu)和工作原理,不同的行業(yè)對(duì)使用IGBT時(shí),對(duì)于其深入的程度可能不一樣,但是作為一個(gè)開(kāi)關(guān)器件,開(kāi)通和關(guān)斷的過(guò)程
這意味著A 類放大器配置是理想的工作模式,因?yàn)榧词乖谪?fù)半周期內(nèi),輸出波形也不會(huì)有交越或關(guān)斷失真。A 類功率放大器輸出級(jí)可以使用單個(gè)功率晶體管或連接在一起...
650V硅上GaN增強(qiáng)模式功率晶體管,英諾賽科INN650D150A采用雙扁平無(wú)引線封裝(DFN),8mmx8mm尺寸,增強(qiáng)型晶體管-正常關(guān)閉電源開(kāi)關(guān)
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