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標簽 > 功率器件
功率器件,就是輸出功率比較大的電子元器件,像大音響系統(tǒng)中的輸出級功放中的電子元件都屬于功率器件,還有電磁爐中的IGBT也是。本章詳細介紹了:功率器件定義,功率器件龍頭企業(yè),最新功率器件,分立器件與功率器件,功率器件測試,功率半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)。
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PV逆變器應(yīng)用升溫,推動SiC功率元件發(fā)展
碳化硅(SiC)功率元件正快速在太陽能(PV)逆變器應(yīng)用市場攻城掠地。SiC功率元件具高頻和耐高溫特性,不僅可較傳統(tǒng)硅功率半導(dǎo)體,提供更高的電源轉(zhuǎn)換效...
Vishay在2013中國電子展成都站將展出其最新的業(yè)界領(lǐng)先技術(shù)
日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,將在6月20至22日成都世紀城新國際會展中心舉行的20...
變化激烈的替代能源市場讓過去一直十分穩(wěn)定的功率電子業(yè)務(wù)領(lǐng)域產(chǎn)生了動蕩?;旌蟿恿嚕℉EV)與純電動汽車(EV)的巨大潛在市場規(guī)?;蛟S也會為該領(lǐng)域帶來進一...
Vishay大幅擴充E系列650V N溝道功率MOSFET家族
新的E系列器件采用Vishay Siliconix超級結(jié)技術(shù),導(dǎo)通電阻低至30m?、電流達6A~105A,在8種封裝中實現(xiàn)低FOM和高功率密度。
英國財政部秘書長丹尼歷山大宣布為恩智浦(NXP)英國分公司提供200萬英鎊,以促進氮化鎵(GaN)器件的發(fā)展。GaN器件比傳統(tǒng)硅器件高效,因此很可能成為...
全球功率半導(dǎo)體市場再度走低,2012比上年下降11.5%
日本市場調(diào)查公司矢野經(jīng)濟研究所的調(diào)查顯示,按照廠商的供貨金額計算,2012年全球功率半導(dǎo)體市場規(guī)模為135.12億美元,比上年減少11.5%。功率半導(dǎo)...
2013-05-21 標簽:功率器件功率半導(dǎo)體 961 0
英飛凌推出采用突破性超結(jié)技術(shù)的CoolMOS C7
英飛凌科技股份公司(FSE代碼: IFX / OTCQX代碼: IFNNY)進一步壯大其高壓產(chǎn)品組合,推出采用全新650V超結(jié)MOSFET技術(shù)的Cool...
2013-05-20 標簽:英飛凌功率器件CoolMOS C7 2822 0
鑒于即將退出意法愛立信(ST-Ericsson)——在移動處理器方面合資失敗的一家公司,位于瑞士日內(nèi)瓦的歐洲最大芯片公司意法微電子5月16日向財務(wù)分析師...
全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商–國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 近日宣布已經(jīng)為一套家庭影院系統(tǒng)測試并裝運...
Vishay Siliconix發(fā)布新款N溝道TrenchFET功率MOSFET-SiR872ADP
日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,發(fā)布新款采用熱增強型PowerPAK? SO-8封裝的...
英飛凌推出采用創(chuàng)新芯片嵌入式封裝技術(shù)的新一代DrMOS器件DrBlade
英飛凌近日在2013應(yīng)用電力電子會議暨展覽會(APEC)中宣布推出DrBlade:全球第一款采用創(chuàng)新芯片嵌入式封裝技術(shù)的集成式器件,它集成了DC/DC ...
混合動力車設(shè)計過程中會出現(xiàn)各種各樣的功率器件問題,如更高效、更出色載流能力等等,本文著重如何解決這方面的問題。
恩智浦發(fā)布采用LFPAK56封裝的汽車功率MOSFET
恩智浦半導(dǎo)體近日推出54款符合汽車工業(yè)標準并采用LFPAK56封裝的全新MOSFET——是目前市場上最全的Power-SO8 MOSFET產(chǎn)品組合。恩智...
英飛凌選用漢高新型導(dǎo)熱膏——導(dǎo)熱性能更出色的TIM
功率半導(dǎo)體的功率密度日益提高,因此,必須早在其設(shè)計階段就將散熱管理功能集成到當今的功率半導(dǎo)體中。只有這樣,它們才能確保實現(xiàn)長期的可靠散熱。其中一個技術(shù)瓶...
應(yīng)用日漸增多,超結(jié)MOSFET前景一片看好
Yole Developpement 指出,SJ MOSFET技術(shù)市場有2/3皆應(yīng)用于消費型產(chǎn)品,像是桌上型電腦或是游戲機的電源供應(yīng)器,雖然這些產(chǎn)品的市...
300nm晶圓首次用于制造功率器件,英飛凌推出超結(jié)MOSFET
英飛凌科技公司將“全球首次”使用口徑300mm的硅晶圓制造功率半導(dǎo)體。具體產(chǎn)品是有超結(jié)(Super Junction)構(gòu)造的功率MOSFET“CoolM...
IR潘大偉:善用功率器件,為節(jié)能設(shè)計保駕護航
近年來,全社會追求低能耗風潮愈演愈烈,其最終目的就在于最大限度減少電能損耗,實現(xiàn)變頻功能也需要功率器件發(fā)揮自身神奇作用。如何才能實現(xiàn)更高效的節(jié)能設(shè)計?
恩智浦推出針對熱插拔應(yīng)用的新一代功率MOSFET
NextPower Live系列同時提供出色的線性模式性能和極低的RDS(on)值,該獨特組合展示了恩智浦在該領(lǐng)域的技術(shù)能力。
東芝于日前宣布,開始銷售可確保在175℃條件下工作的車載設(shè)備用功率MOSFET“TK80A04K3L”。這是一款耐壓為+40V的n通道產(chǎn)品,是該公司功率...
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