英國財政大臣 Philip Hammond 在政府的預算報告中指出，將撥款 7.4 億英鎊用于 5G 建設，改善英國網絡基礎設施。其中 4 億英鎊計劃為英國家庭及商戶安裝 1GB 的高速光纖網絡，利用政府投資提升整個國家的光纖建設水平。
2016-11-25 08:47:59
2455 "恩智浦未來科技峰會”是恩智浦規模最大的高端行業峰會，旨在通過精彩座談、技術研討、最新科技和解決方案的展示引領業界通過技術創新為世界帶來改變！
2018-09-10 13:37:35
65W氮化鎵電源原理圖
2022-10-04 22:09:30
可通過多種方式，其中最有效的是將專門構建的專用神經處理單元（NPU），或稱為機器學習加速器（MLA）或深度學習加速器（DLA）集成到器件中，以補充CPU計算核心。恩智浦提供廣泛的產品組合，從傳統
2023-02-17 13:51:16
Open RAN（O-RAN）發展勢頭強勁，在全球迅速普及，恩智浦通過打造增強型參考設計，助力5G O-RAN的快速部署。這包括采用恩智浦RapidRF Smart LDMOS前端解決方案（稱為
2023-02-28 14:06:45
恩智浦半導體（NXP Semiconductors）近日為時尚、零售和電子市場推出了其最新的UHF解決方案。基于結構簡單、經濟高效的單天線解決方案，UCODE G2iL和G2iL+不僅實現了行業領先
2019-08-01 08:28:10
恩智浦智能賽車的驅動模塊定時器應該定時多久才能開始打腳，定時一般怎么編寫
2017-03-30 17:27:20
恩智浦智能賽車舵機打腳pwm占空比實際是輸出電壓高低，但在定時器中處理要怎樣進行
2017-03-30 17:38:10
`從以下幾方面詳細介紹恩智浦目前針對USBPD提供的負載開關產品：1. 恩智浦負載開關產品的規格2. 恩智浦負載開關產品的保護特性3. 恩智浦負載開關產品和分立方案的比較`
2015-06-03 15:21:07
物聯網和人工智能（AI-IoT）已經到來，如何在這場即將到來的大規模市場中取勝？恩智浦的無線連接主要體現在哪幾個方面？
2021-06-16 08:30:12
氮化鎵(GaN)功率集成電路集成與應用
2023-06-19 12:05:19
萬噸。由于鎵是一種加工副產品，所以成本相對較低，約為每公斤 300 美元，比每公斤約 6 萬美元的黃金要低 200 倍。
德米特里 · 門捷列夫（Dmitri Mendeleev）在1871年預測了鎵
2023-06-15 15:50:54
的系統級解決方案，其市場潛力剛剛開始被關注。氮化鎵如今被定位成涵蓋了從無線基站到射頻能量等商業射頻領域的主流應用，它從一項高深的技術發展為市場的中流砥柱，這一發展歷程融合了多種因素，是其一致發揮作用的結果
2017-08-15 17:47:34
早已摩拳擦掌，嚴陣以待，紛紛推出了順應市場的配件產品。而當各大主流手機廠商把氮化鎵快充做為手機的標準配件時，整個產業鏈將迎來一個新的發展高峰。面對氮化鎵快充市場的爆發，你準備好了嗎？我準備好了，你呢？我們一起加油。
2020-03-18 22:34:23
的節能。這些電力足以為30多萬個家庭提供一年的電量。 任何可以直接從電網獲得電力的設備（從智能手機充電器到數據中心），或任何可以處理高達數百伏高電壓的設備，均可受益于氮化鎵等技術，從而提高電源管理系統的效率和規模。（白皮書下載：GaN將能效提高到一個新的水平。）
2020-11-03 08:59:19
的選擇。 生活更環保 為了打破成本和大規模采用周期，一種新型功率半導體技術需要解決最引人注目應用中現有設備的一些缺點。氮化鎵為功率調節的發展創造了機會，使其在高電壓應用中的貢獻遠遠超越硅材料。用于
2018-11-20 10:56:25
在所有電力電子應用中，功率密度是關鍵指標之一，這主要由更高能效和更高開關頻率驅動。隨著基于硅的技術接近其發展極限，設計工程師現在正尋求寬禁帶技術如氮化鎵（GaN）來提供方案。
2020-10-28 06:01:23
雙口氮化鎵充電器采用可折疊插腳設計，對于跨地區旅客，YOGA 65W 雙口氮化鎵充電器也支持 100-240V 全球電網使用，200-240V 50/60Hz電網下可提供65W（65W
2022-06-14 11:11:16
現在越來越多充電器開始換成氮化鎵充電器了，氮化鎵充電器看起來很小，但是功率一般很大，可以給手機平板，甚至筆記本電腦充電。那么氮化鎵到底是什么，氮化鎵充電器有哪些優點，下文簡單做個分析。一、氮化鎵
2021-09-14 08:35:58
氮化鎵功率半導體技術解析基于GaN的高級模塊
2021-03-09 06:33:26
氮化鎵為單開關電路準諧振反激式帶來了低電荷（低電容）、低損耗的優勢。和傳統慢速的硅器件，以及分立氮化鎵的典型開關頻率（65kHz）相比，集成式氮化鎵器件提升到的 200kHz。
氮化鎵電源 IC 在
2023-06-15 15:35:02
更小：GaNFast? 功率芯片，可實現比傳統硅器件芯片 3 倍的充電速度，其尺寸和重量只有前者的一半，并且在能量節約方面，它最高能節約 40% 的能量。
更快：氮化鎵電源 IC 的集成設計使其非常
2023-06-15 15:32:41
本文展示氮化鎵場效應晶體管并配合LM5113半橋驅動器可容易地實現的功率及效率。
2021-04-13 06:01:46
從將PC適配器的尺寸減半，到為并網應用創建高效、緊湊的10 kW轉換，德州儀器為您的設計提供了氮化鎵解決方案。LMG3410和LMG3411系列產品的額定電壓為600 V，提供從低功率適配器到超過2 kW設計的各類解決方案。
2019-08-01 07:38:40
封裝技術的效率。三維散熱是GaN封裝的一個很有前景的選擇。
生活更環保
為了打破成本和大規模采用周期，一種新型功率半導體技術需要解決最引人注目應用中現有設備的一些缺點。氮化鎵為功率調節的發展創造了機會
2019-03-14 06:45:11
首先報道了基于氮化鎵雙異質結構、波長為402.5 nm的受激輻射。1996年日本日亞公司中村修二領導研制出世界上第一支GaN基紫光激光器。從此，波長為405 nm的氮化鎵紫光激光器的發展和應用推動
2020-11-27 16:32:53
氮化鎵電源設計從入門到精通，這個系列直播共分為八講，本篇第六講將為您介紹EMC優化和整改技巧，助您完成電源工程師從入門到精通的蛻變。前期回顧（點擊下方內容查看上期直播）：- 第一講：元器件選型
2021-12-29 06:31:58
應用的發展歷程無疑是一次最具顛覆性的技術革新過程，為射頻半導體行業開創了一個新時代。通過與ST達成的協議，MACOM硅基氮化鎵技術將獲得獨特優勢，能夠滿足未來4G LTE和5G無線基站基礎設施對于性能
2018-08-17 09:49:42
GaN如何實現快速開關？氮化鎵能否實現高能效、高頻電源的設計？
2021-06-17 10:56:45
氮化鎵 (GaN) 可為便攜式產品提供更小、更輕、更高效的桌面 AC-DC 電源。Keep Tops 氮化鎵（GaN）是一種寬帶隙半導體材料。 當用于電源時，GaN 比傳統硅具有更高的效率、更小
2023-08-21 17:06:18
AN011: NV612x GaNFast功率集成電路(氮化鎵)的熱管理
2023-06-19 10:05:37
`Cree的CGHV96100F2是氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）在碳化硅（SiC）基板上。 該GaN內部匹配（IM）FET與其他技術相比，具有出色的功率附加效率。 氮化鎵與硅或砷化
2020-12-03 11:49:15
Cree的CMPA801B025是氮化鎵（GaN）高電子遷移率基于晶體管（HEMT）的單片微波集成電路（MMIC）。 氮化鎵與硅或砷化鎵相比具有更好的性能，包括更高的擊穿電壓，更高的飽和電子漂移速度
2020-12-03 11:46:10
GaN功率半導體(氮化鎵)的系統集成優勢
2023-06-19 09:28:46
車、工業電機等領域具有巨大的發展潛力。本分會的主題涵蓋大尺寸襯底上橫向或縱向氮化鎵器件外延結構與生長、氮化鎵電力電子器件的新結構與新工藝開發、高效高速氮化鎵功率模塊設計與制造，氮化鎵功率應用與可靠性等。本屆
2018-11-05 09:51:35
電子、汽車和無線基站項目意法半導體獲準使用MACOM的技術制造并提供硅上氮化鎵射頻率產品預計硅上氮化鎵具有突破性的成本結構和功率密度將會實現4G/LTE和大規模MIMO 5G天線中國，2018年2月12日
2018-02-12 15:11:38
應用。MACOM的氮化鎵可用于替代磁控管的產品，這顆功率為300瓦的硅基氮化鎵器件被用來作為微波爐里磁控管的替代。用氮化鎵器件來替代磁控管帶來好處很多：半導體器件可靠性更高，氮化鎵器件比磁控管驅動電壓
2017-09-04 15:02:41
多個方面都無法滿足要求。在基站端，由于對高功率的需求，氮化鎵（GaN）因其在耐高溫、優異的高頻性能以及低導通損耗、高電流密度的物理特性，是目前最有希望的下一代通信基站功率放大器（PA）芯片材料。5G采用
2017-07-18 16:38:20
測試背景地點：國外某知名品牌半導體企業，深圳氮化鎵實驗室測試對象：氮化鎵半橋快充測試原因：因高壓差分探頭測試半橋上管Vgs時會炸管，需要對半橋上管控制信號的具體參數進行摸底測試測試探頭：麥科信OIP
2023-01-12 09:54:23
`SUMITOMO的GaN-HEMT SGN2729-250H-R為S波段雷達應用提供2.7至2.9 GHz的高功率，高效率和更高的一致性，具有50V工作電壓和高達120μsec脈沖寬度的脈沖條件
2021-03-30 11:14:59
`SUMITOMO的GaN-HEMT SGN2729-600H-R為S波段雷達應用提供2.7至2.9 GHz的高功率，高效率和更高的一致性，具有50V工作電壓和高達120μsec脈沖寬度的脈沖條件
2021-03-30 11:24:16
書籍：《炬豐科技-半導體工藝》文章：氮化鎵發展技術編號：JFSJ-21-041作者：炬豐科技網址：http://www.wetsemi.com/index.html 摘要：在單個芯片上集成多個
2021-07-06 09:38:20
驅動器的CMTI規格最低為200 kV/μs，這是隔離驅動器的最高CMTI規格。氮化鎵確保適應未來變化氮化鎵材料的能特性和無損耗處理高電壓操作的能力，為設計人員在將來設計電動汽車時提供了決定性優勢，這
2018-07-19 16:30:38
的設計和集成度，已經被證明可以成為充當下一代功率半導體，其碳足跡比傳統的硅基器件要低10倍。據估計，如果全球采用硅芯片器件的數據中心，都升級為使用氮化鎵功率芯片器件，那全球的數據中心將減少30-40
2023-06-15 15:47:44
氮化鎵(GaN)是一種“寬禁帶”(WBG)材料。禁帶，是指電子從原子核軌道上脫離出來所需要的能量，氮化鎵的禁帶寬度為 3.4ev，是硅的 3 倍多，所以說氮化鎵擁有寬禁帶特性（WBG）。
硅的禁帶寬
2023-06-15 15:53:16
2寸的芯片，現在已經能制造4寸了。業內普遍認為，要大規模生產功率半導體，至少需要6英寸以上的芯片，因此目前還不能大規模生產。此外，上述用于小型 AC轉換器的氮化鎵功率半導體使用以下的晶片，其最大尺寸為
2023-02-23 15:46:22
包含關鍵的驅動、邏輯、保護和電源功能，消除了傳統半橋解決方案中相關的能量損失、成本過高和設計復雜的問題。
納微推出的世界上首款氮化鎵功率芯片同時能提供高頻率和高效率，實現了電力電子領域的高速革命
2023-06-15 14:17:56
通過SMT封裝，GaNFast? 氮化鎵功率芯片實現氮化鎵器件、驅動、控制和保護集成。這些GaNFast?功率芯片是一種易于使用的“數字輸入、電源輸出” (digital in, power out
2023-06-15 16:03:16
實現設計，同時通過在一個封裝中進行復雜集成來節省系統級成本，并減少電路板元件數量。從將PC適配器的尺寸減半，到為并網應用創建高效、緊湊的10 kW轉換，德州儀器為您的設計提供了氮化鎵解決方案
2020-10-27 09:28:22
氮化鎵南征北戰縱橫半導體市場多年，無論是吊打碳化硅，還是PK砷化鎵。氮化鎵憑借其禁帶寬度大、擊穿電壓高、熱導率大、電子飽和漂移速度高、抗輻射能力強和良好的化學穩定性等優越性質，確立了其在制備寬波譜
2019-07-31 06:53:03
氮化鎵，由鎵（原子序數 31）和氮（原子序數 7）結合而來的化合物。它是擁有穩定六邊形晶體結構的寬禁帶半導體材料。禁帶，是指電子從原子核軌道上脫離所需要的能量，氮化鎵的禁帶寬度為 3.4eV，是硅
2023-06-15 15:41:16
，其中第一梯隊有納微、EPC等代表企業。[color=rgb(51, 51, 51) !important]然而，現在還有什么是阻礙氮化鎵器件發展的不利因素呢？[color=rgb(51, 51, 51
2019-07-08 04:20:32
傳統的硅組件、碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)伴隨著第三代半導體電力電子器件的誕生，以碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)為代表的新型半導體材料走入了我們的視野。SiC和GaN電力電子器件由于本身
2021-09-23 15:02:11
客戶希望通過原廠FAE盡快找到解決方案，或者將遇到技術挫折歸咎為芯片本身設計問題，盡管不排除芯片可能存在不適用的領域，但是大部分時候是應用層面的問題，和芯片沒有關系。這種情況對新興的第三代半導體氮化鎵
2023-02-01 14:52:03
的測試，讓功率半導體設備更快上市并盡量減少設備現場出現的故障。為幫助設計工程師厘清設計過程中的諸多細節問題，泰克與電源行業專家攜手推出“氮化鎵電源設計從入門到精通“8節系列直播課，氮化鎵電源設計從入門到
2020-11-18 06:30:50
如何帶工程師完整地設計一個高效氮化鎵電源，包括元器件選型、電路設計和PCB布線、電路測試和優化技巧、磁性元器件的設計和優化、環路分析和優化、能效分析和優化、EMC優化和整改技巧、可靠性評估和分析。
2021-06-17 06:06:23
如何實現小米氮化鎵充電器是一個c to c 的一個充電器拯救者Y7000提供了Type-c的端口，但這個口不可以充電，它是用來轉VGA,HDMI,DP之類了，可以外接顯示器，拓展塢之類的。要用氮化鎵
2021-09-14 06:06:21
導讀：將GaN FET與它們的驅動器集成在一起可以改進開關性能，并且能夠簡化基于GaN的功率級設計。氮化鎵 (GaN) 晶體管的開關速度比硅MOSFET快很多，從而有可能實現更低的開關損耗。然而，當
2022-11-16 06:23:29
如何設計GaN氮化鎵 PD充電器產品？
2021-06-15 06:30:55
更高，因為所有電流都轉換為施加到負載的扭矩。
圖 3：500 ns死區時間對扭矩信號的影響；電頻率為 27 Hz，可見 6 次諧波。扭矩信號從扭矩傳感器取得。
基于氮化鎵器件的逆變器可以在100
2023-06-25 13:58:54
大幅降低電流在保護板上的損耗，隨著手機充電功率達到200W，電池端的電流達到20A。傳統硅MOS溫升明顯，甚至需要輔助導熱措施來為其散熱。使用氮化鎵代替硅MOS之后，可以無需導熱材料，降低快充過程中
2023-02-21 16:13:41
已經非常明朗。而除了熟知的手機廠商之外，各大電商品牌推出的氮化鎵快充產品更是琳瑯滿目，極大豐富了產品的品類，為消費者帶來更多選擇，同時也對推動氮化鎵快充的發展，起到了重要的作用。今天這篇文章就為大家盤點
2021-04-16 09:33:21
節能的角度來看，射頻能量能夠通過兩種方法為行業帶來優勢，即降低成本和優化控制。除節能外，氮化鎵和射頻能量的另一個能源優勢是非常適合石油工業中的工業干燥和加熱應用。Suncor等公司已開始通過射頻能量
2018-01-18 10:56:28
實現設計，同時通過在一個封裝中進行復雜集成來節省系統級成本，并減少電路板元件數量。從將PC適配器的尺寸減半，到為并網應用創建高效、緊湊的10kW轉換，德州儀器為您的設計提供了氮化鎵解決方案
2022-11-10 06:36:09
沖。
由于氮化鎵器件具備優越的性能優勢，支持基于氮化鎵器件的設計的生態系統不斷在發展，從而有越來越多供應商提供新型元件，例如柵極驅動器、控制器和無源元件，可進一步增強基于氮化鎵器件的系統的性能。
此外
2023-06-25 14:17:47
請問半橋上管氮化鎵這樣的開爾文連接正確嗎？
2024-01-11 07:23:47
射頻半導體技術的市場格局近年發生了顯著變化。數十年來，橫向擴散金屬氧化物半導體(LDMOS)技術在商業應用中的射頻半導體市場領域起主導作用。如今，這種平衡發生了轉變，硅基氮化鎵(GaN-on-Si)技術成為接替傳統LDMOS技術的首選技術。
2019-09-02 07:16:34
內的波長標準偏差標準為1.3nm，波長范圍為4nm微米。硅襯底氮化鎵基LED外延片的翹曲度很小，2英寸硅襯底LED大多數在4-5微米左右，6英寸在10微米以下。 2英寸硅襯底大功率LED量產硅4545
2014-01-24 16:08:55
5G將于2020年將邁入商用，加上汽車走向智慧化、聯網化與電動化的趨勢，將帶動第三代半導體材料碳化硅(SiC)與氮化鎵(GaN)的發展。根據拓墣產業研究院估計，2018年全球SiC基板產值將達1.8
2019-05-09 06:21:14
納微集成氮化鎵電源解決方案及應用
2023-06-19 11:10:07
氮化鎵GaN是什么？
2021-06-16 08:03:56
candence中的Spice模型可以修改器件最基本的物理方程嗎？然后提取參數想基于candence model editor進行氮化鎵器件的建模，有可能實現嗎？求教ICCAP軟件呢？
2019-11-29 16:04:02
，是氮化鎵功率芯片發展的關鍵人物。
首席技術官 Dan Kinzer在他長達 30 年的職業生涯中，長期擔任副總裁及更高級別的管理職位，并領導研發工作。他在硅、碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）功率芯片方面
2023-06-15 15:28:08
3.3兆伏）。 客觀來說，一個額定電壓為600伏的類似氮化鎵功率晶體管的柵極-漏極間隙通常為15到20微米，而我們的是600納米。取得這個結果之后，功率開關晶體管的研究開始以驚人的速度發展。2017年
2023-02-27 15:46:36
就可以實現。正是由于我們推出了LMG3410—一個用開創性的氮化鎵 (GaN) 技術搭建的高壓、集成驅動器解決方案，相對于傳統的、基于硅材料的技術，創新人員將能夠創造出更加小巧、效率更高、性能更佳
2022-11-16 07:42:26
就可以實現。正是由于我們推出了LMG3410—一個用開創性的氮化鎵 (GaN) 技術搭建的高壓、集成驅動器解決方案，相對于傳統的、基于硅材料的技術，創新人員將能夠創造出更加小巧、效率更高、性能更佳
2018-08-30 15:05:50
英國財政部長Philip Hammond宣布將投資3.9億英鎊（4.84億美元）用于推進電動汽車和自動駕駛汽車的發展。
2016-11-28 17:15:22382 關鍵詞：華為 路透社消息稱，英國商務大臣Sajid Javid周二表示，華為已向英國政府承諾，其向該國投資13億英鎊的計劃將繼續進行，不會受到英國脫歐影響。 Javid在新聞發布會上表示：“投資者
2018-02-18 12:49:01653 路透社消息，在訪問南非期間，英國首相特蕾莎·梅承諾投資5600萬英鎊用于南非的電池存儲。
2018-09-02 10:59:00393 英國科研與創新署（UKRI）于去年底發布新的AI和數據科學資助計劃，擬通過戰略重點基金（Strategic Priorities Fund）斥資4800多萬英鎊，支持工程、城市規劃和醫療健康等領域的發展。
2019-02-15 15:08:552682 英國電信將向消費者銷售12GB、30GB、60GB和200GB數據的四類5G套餐，價格從每月45英鎊起，并提供HUAWEI Mate20 X在內的5款智能手機供選擇。
2019-10-13 16:24:00681 該公司上半年的整體業務收入為47.1億英鎊，低于去年的48.9億英鎊。在英國和愛爾蘭，這一數字為19.8億，低于20億英鎊。利潤每年從6000萬英鎊下降到2400萬英鎊。
2020-02-26 15:29:431999 Airband獲1億英鎊 據外媒Light Reading消息，英國寬帶提供商Airband剛從銀行獲得一筆重大債務融資，用于加速在英國一些寬帶難以到達的地區部署光纖到戶（FTTP）網絡。 該提供
2021-10-30 09:31:591625 英國政府當天在人工智能安全峰會上表示，將把“人工智能研究資源”預算從當初公布的1億英鎊增加到3億英鎊（3.6357億美元），以確定為快速發展技術安全前進的方向。
2023-11-03 09:51:54232 一份聲明稱，新藍圖包括為汽車產業提供20億英鎊（約25億美元），為航空和航天產業提供9.75億英鎊，并為電池產業創造10萬個新工作崗位。以日產最近發表的11.2億英鎊的英國電動汽車中心擴張計劃和塔塔汽車最近發表的40億英鎊在薩默塞特建造一座超級工廠的基礎上。
2023-11-27 09:21:09408
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