三菱電機攜多款代表業(yè)界流行趨勢的功率器件亮相PCIM亞洲展

6月26日至28日，PCIM亞洲展于上海世博展覽館舉行。三菱電機半導(dǎo)體大中國區(qū)攜多款代表業(yè)界流行趨勢的功率器件產(chǎn)品（IGBT、IPM、DIPIPM、H...

2018-09-11 標(biāo)簽：三菱功率器件IPM 1108 0

中國功率器件產(chǎn)業(yè)的未來發(fā)展趨勢

功率半導(dǎo)體器件種類眾多。 功率半導(dǎo)體根據(jù)載流子類型可分為雙極型與單極型功率半導(dǎo)體。雙極型功率半導(dǎo)體包括功率二極管、雙極結(jié)型晶體管（Bipolar Jun...

2018-09-05 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶體管電力電子 3.1萬 0

功率器件市場現(xiàn)狀：歐美日把持，國內(nèi)仍需努力

縱觀整個功率器件市場，整體態(tài)勢是歐美日廠商三足鼎立。 其中美國功率器件處于世界領(lǐng)先地位，擁有一批具有全球影響力的廠商，例如 TI、Fairchild、M...

2018-09-05 標(biāo)簽：半導(dǎo)體電源管理功率器件 1.3萬 0

應(yīng)迅速擴大的市場需求，國際功率器件廠商紛紛發(fā)力汽車市場

據(jù)Yole統(tǒng)計，2018年，國際上有20多家汽車廠商已經(jīng)在車載充電機（OBC）中使用SiC SBD 或SiC MOSFET。此外，特斯拉Model 3的...

2018-08-17 標(biāo)簽：電動汽車半導(dǎo)體功率器件 3379 0

上海積塔半導(dǎo)體特色工藝生產(chǎn)線項目將于本月開工！

上海積塔半導(dǎo)體特色工藝生產(chǎn)線建設(shè)項目土地成功摘牌，并簽訂了土地出讓合同，這為項目的順利開工奠定了基礎(chǔ)。

2018-08-15 標(biāo)簽：半導(dǎo)體功率器件 6054 0

功率器件交付周期延長，關(guān)稅對英飛凌影響加大

017年，英飛凌營收70.63億歐元（約82億美元），意法半導(dǎo)體營收83億美元。二者若合并則將誕生165億美元的半導(dǎo)體巨頭，超越博通，成為全球第六大半導(dǎo)...

2018-08-06 標(biāo)簽：英飛凌MOSFET半導(dǎo)體 5244 0

安森美半導(dǎo)體ATPAK封裝技術(shù)汽車應(yīng)用提供元件尺寸更小的功率器件

隨著汽車功能電子化趨勢的不斷增強，汽車內(nèi)的電子元件越來越多，應(yīng)用環(huán)境日益嚴苛，汽車設(shè)計工程師需要考慮空間和性能等多方面因素，功率MOSFET是提供低功耗...

2018-07-05 標(biāo)簽：封裝安森美半導(dǎo)體功率器件 1474 0

半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈九大廠商推進IPO，全面屏手機面板 Q1滲透率逾4成

全面屏今年加速增長，如今全面屏在大陸手機品牌中已經(jīng)成為新機標(biāo)準(zhǔn)配置，另外異形切割也快速普及。反映在面板廠商的出貨產(chǎn)品結(jié)構(gòu)上，根據(jù)群智咨詢（Sigmain...

2018-07-11 標(biāo)簽：智能手機半導(dǎo)體蘋果 1057 0

功率器件雪崩耐量測試

2018-06-20 標(biāo)簽：功率器件IGBT模塊 1.3萬 0

3D SiC技術(shù)閃耀全場，基本半導(dǎo)體參展PCIM Asia引關(guān)注

6月26日-28日，基本半導(dǎo)體成功參展PCIMAsia 2018上海國際電力元件、可再生能源管理展覽會。 基本半導(dǎo)體展臺以充滿科技感和未來感的藍白為主色...

2018-07-02 標(biāo)簽：MOSFET功率器件碳化硅 1026 0

第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料，是我國彎道超車的機會

近日，廣東省“寬禁帶半導(dǎo)體材料、功率器件及應(yīng)用技術(shù)創(chuàng)新中心”在松山湖成立，該創(chuàng)新中心由廣東省科技廳、東莞市政府支持及引導(dǎo)，易事特、中鎵半導(dǎo)體、天域半導(dǎo)體...

2018-06-11 標(biāo)簽：半導(dǎo)體功率器件 1.1萬 0

國外功率器件的供應(yīng)緊張,國內(nèi)可替代的功率器件廠家又有哪些呢?

需求仍然強勁的ST，目前滿產(chǎn)能。M2、M5和K5系列的規(guī)格和價格較好。其是額定200攝氏度的碳化硅場效應(yīng)管的唯一供應(yīng)商。推出650V SiC，可與高性能...

2018-05-31 標(biāo)簽：IGBT硅晶圓功率器件 5642 0

中國IGBT的技術(shù)水平并不差,政府和企業(yè)缺乏投資IGBT的動力

由于IGBT集MOSFET和GTR的優(yōu)點于一體，具有開關(guān)速度快、熱穩(wěn)定性好、驅(qū)動電路簡單、驅(qū)動電流小、通態(tài)壓降小、耐壓高及承受電流大等優(yōu)點，因此在電機控...

2018-05-28 標(biāo)簽：新能源汽車IGBT功率器件 6853 0

中芯國際聚焦于MEMS與功率器件 為未來工藝市場添薪加柴

中芯國際告訴DIGITIMES，隨著智能化社會的到來，智能化設(shè)備中應(yīng)用廣泛的微機電和功率器件市場需求激增，目前市場處于供不應(yīng)求的狀態(tài)。中芯國際看好，未來...

2018-05-28 標(biāo)簽：中芯國際mems功率器件 6558 0

功率器件簡介及功率器件的技術(shù)發(fā)展趨勢

VDMOS在2017年的Yole統(tǒng)計報告當(dāng)中，市場空間有60億美元，這里面大部分是40v以下的設(shè)備。從市場份額來看，我們關(guān)心的是汽車電子，不管是增長率和...

2018-05-24 標(biāo)簽：集成電路功率器件 3.2萬 0

中芯紹興項目開工奠基，中國特色工藝布局加速

中芯集成電路制造（紹興）項目舉行開工奠基儀式，浙江省紹興市委書記馬衛(wèi)光、市委副書記、市長盛閱春、中芯國際聯(lián)合首席執(zhí)行官趙海軍博士、首席財務(wù)官高永崗博士、...

2018-05-22 標(biāo)簽：MEMS功率器件 6080 0

聚焦光伏發(fā)電和充電樁 英飛凌碳化硅功率器件開發(fā)和應(yīng)用引領(lǐng)同儕

“半導(dǎo)體功率器件的未來主流將是碳化硅器件，SiC應(yīng)用不會完全取代IGBT，只是在一些高精尖領(lǐng)域應(yīng)用，有非常大的優(yōu)勢代替IGBT。” 英飛凌科技（中國）有...

2018-05-21 標(biāo)簽：英飛凌功率器件SiC 2.4萬 0