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上述公式是穩態工作時，功率器件上的電壓、電流應力。選擇功率器件時，其電壓耐量可放一個合適的余量（保證最壞情況下的電壓峰值不超過此值），電流耐量則得按器件的結溫降額要求決定、它與外部散熱條件和器件
2024-03-21 09:44:15
功率器件是指用于控制和調節電能的器件，其主要功能是將電能轉換為其他形式的能量，如電機的驅動、電源的變換等。功率器件一般分為三類：晶閘管、功率二極管和場效應管。晶閘管主要用于大功率開關控制，功率二極管
2024-03-20 14:43:16
106 本文通過單項實驗對比與分析，選取原生HgCdTe材料，對其進行PIN結構雪崩器件的全過程工藝模擬，形成大面積的雪崩Ⅰ區。采用微分霍爾、微分少子壽命等測試手段進行材料表征，評估獲得了關鍵雪崩區域的真實材料晶體質量。
2024-03-15 09:38:28105 
常規的碲鎘汞PIN結構雪崩器件一般采用non-p結構，其中最為關鍵的雪崩Ⅰ區采用離子注入及推結退火的后成結工藝。
2024-03-15 09:37:4975 
AP8022H芯片內部集成了脈寬調制控制器和800V高雪崩能力智能功率MOSFET，適用于小功率離線式開關電源。該芯片提供的智能化保護功能，包括過流保護，欠壓保護，過溫保護和軟啟動功能。間歇工作模式
2024-03-09 11:09:32
0 和硅器件相比,SiC器件有著耐高溫、擊穿電壓 大、開關頻率高等諸多優點,因而適用于更高工作頻 率的功率器件。但這些優點同時也給SiC功率器件的互連封裝帶來了挑戰。
2024-03-07 14:28:43103 
共讀好書 杜隆純 何勇 劉洪偉 劉曉鵬 （湖南國芯半導體科技有限公司 湖南省功率半導體創新中心） 摘要： 針對SiC功率器件封裝的高性能和高可靠性要求，文章研究了芯片雙面銀燒結技術與粗銅線超聲鍵合
2024-03-05 08:41:47103 
功率MOSFET的雪崩損壞有三種模式：熱損壞、寄生三極管導通損壞和VGS尖峰誤觸發導通損壞。
2024-02-25 16:16:35487 
當功率器件承受的雪崩耐量超過極限后，芯片最終會損壞，然而單脈沖雪崩與重復雪崩的失效機理并不相同。
2024-02-25 15:48:081122 
電子元器件的封裝測試是確保元器件在正常工作條件下能夠穩定運行的重要環節。
2024-02-23 18:17:171002 雪崩擊穿（Avalanche Breakdown）是半導體器件中一個關鍵的物理現象，特別是在PN結二極管和各種類型的功率晶體管中。當這些器件的反向電壓超過一定的臨界值時，會突然有大量電流流過原本
2024-02-23 17:06:03243 
在關斷狀態下，功率MOSFET的體二極管結構的設計是為了阻斷最小漏極-源極電壓值。MOSFET體二極管的擊穿或雪崩表明反向偏置體二極管兩端的電場使得漏極和源極端子之間有大量電流流動。典型的阻斷狀態漏電流在幾十皮安到幾百納安的數量級。
2024-02-23 09:38:53343 
怎么一回事，制冷量和功率又該如何換算，一臺10KW的空調，制冷量25000W，還有一個能效比是2.5，這個能效比是什么意思？家用電器的幾級能耗是什么意思？這個和具體用電器的輸入功率，輸出功率，效率等什么因素有關？
2024-02-22 14:46:48
OPEAK提供雪崩光電探測器(APD)比帶放大光電探測器（PIN），同樣帶寬下具有更高的靈敏度和更低的噪聲，因此非常適合用于低光功率應用，一般而言，雪崩光電二極管利用內部增益機制提高靈敏度。在二極管
2024-01-23 09:25:260 高壓功率放大器在半導體測試中扮演著重要的角色。半導體測試是指對半導體器件進行各種電性能參數測試和質量檢測的過程。以下是關于高壓功率放大器在半導體測試中的應用的詳細介紹。 一、高壓信號發生器
2024-01-15 11:24:49138 
氮化鎵功率器件是一種新型的高頻高功率微波器件，具有廣闊的應用前景。本文將詳細介紹氮化鎵功率器件的結構和原理。 一、氮化鎵功率器件結構 氮化鎵功率器件的主要結構是GaN HEMT（氮化鎵高電子遷移率
2024-01-09 18:06:41667 功率器件 (Power Devices) 通常也稱為電力電子器件，是專門用來進行功率處理的半導體器件。功率器件具有承受高電壓、通過大電流的能力，處理電壓的范圍可以從幾十伏到幾千伏，通過電流的能力最高
2024-01-09 09:38:52400 光功率測試儀怎么使用？ 光功率測試儀是一種用于測量光纖連接的光功率的儀器。它是光通信設備測試和維護的重要工具。下面將詳細說明光功率測試儀的使用方法。 一、準備工作 首先，確保光功率測試儀的電池充滿
2024-01-05 14:31:37388 崩擊穿和齊納擊穿是半導體器件中常見的兩種擊穿現象，它們在物理機制、電壓特性和應用方面有很大的區別。本文將對這兩種擊穿現象進行詳細的介紹和分析。 一、雪崩擊穿 物理機制 雪崩擊穿是指在高電場作用
2023-12-30 17:06:003140 
逆變電路中的功率開關器件是實現直流電轉換為交流電的關鍵元件，其主要作用是在控制信號的作用下，將直流電源輸出的電能轉換為交流電能。在逆變電路中，功率開關器件的性能直接影響到整個逆變器的效率、可靠性
2023-12-30 17:02:00702 碳化硅功率器件的實用性不及硅基功率器件嗎? 碳化硅功率器件相較于傳統的硅基功率器件具有許多優勢，主要體現在以下幾個方面：材料特性、功率密度、溫度特性和開關速度等。盡管碳化硅功率器件還存在一些挑戰
2023-12-21 11:27:09285 開關電源功率常見的測試方法有：通過測量電壓和電流來計算出功率、使用功率計直接測出功率。這兩種測試方法各有優點與不足。以自動化方式測試開關電源工率，用開關電源測試軟件不僅可以提高測試速度，還可以對測試數據進行多維度分析，確保測試數據和結果可靠性。
2023-12-20 16:03:42635 品牌：久濱型號：JB-JM5名稱：耐碎石沖擊試驗機一、產品概述： 汽車材料耐碎石沖擊測試機是一種高精密度的多重沖擊儀器，它的優點在于所獲得結果具有很好的重復性和可比性，通過壓縮空氣和加速的鋒利粒子
2023-12-14 16:36:22
來激勵被測材料或器件。功率放大器能夠將低功率信號放大到所需的高功率水平，從而有效地激發被測試物體的響應。例如，在聲學測試中，功率放大器可以將信號放大，以便在材料中產生足夠的聲音強度來進行聲學特性測量。 提供可
2023-12-14 10:42:43177 
隨著電力電子技術的不斷發展，碳化硅（SiC）功率器件作為一種新型的半導體材料，在電力電子領域的應用越來越廣泛。與傳統的硅功率器件相比，碳化硅功率器件具有高效率、高功率密度、高耐壓、高耐流等優點
2023-12-14 09:14:46240 光功率計測試光纖正常值多少？ 光功率計是用于測試光纖光信號強度的儀器，通過測量光纖上的光功率來判斷其傳輸質量。在進行光功率計測試之前，我們需要了解光纖的正常功率值范圍。 在光纖通信系統中，發射
2023-12-11 11:06:081754 SCK-Y玻璃瓶耐內壓力測試儀適用于各種啤酒瓶、酒瓶、飲料瓶、輸液瓶、西林瓶等各類玻璃瓶耐內壓力測試，產品依據GB/T 4546-2008(玻璃容器 耐內壓力試驗方法)標準中實驗項目規定，全自動
2023-12-08 13:11:41
【科普小貼士】MOSFET的性能：雪崩能力
2023-12-07 16:46:47423 
什么是雪崩失效
2023-12-06 17:37:53289 
季豐電子ATE實驗室最新引進了兩臺雙脈沖測試儀DPT1000A和Edison，分別覆蓋功率單管和模塊。
2023-12-05 18:09:59430 
功率半導體冷知識：功率器件的功率密度
2023-12-05 17:06:45264 
功率MOSFET雪崩特性分析
2023-12-04 14:12:36315 
功率半導體器件，以前也被稱為電力電子器件，簡單來說，就是進行功率處理的，具有處理高電壓，大電流能力的半導體器件。典型的功率處理，包括變頻、變壓、變流、功率管理等等。早期的功率半導體器件：大功率二極管
2023-12-03 16:33:191134 
-產品詳情-AF-01藥用鋁箔耐破度測試儀產品介紹AF-01鋁箔耐破度測試儀專業應用于各類藥用鋁箔耐破強度試驗,是鋁箔強度性能檢測的基本儀器,是食品、藥品包裝廠家、商檢、科研等部]的理想檢測設備
2023-12-01 14:29:45
本推文包含兩個部分，一個是雪崩擊穿和碰撞電離的關系，一個是光電器件仿真簡介。旨在提倡用理論知識去指導仿真，和通過仿真結果反過來加深對理論理解的重要性。
2023-11-27 18:26:32699 
高壓功率器件的開關技術簡單的包括硬開關技術和軟開關技術
2023-11-24 16:09:22534 
下，PN結中的載流子會迅速增多，形成一個大的電流。擊穿特性是PN結的重要特點之一，對于電子器件設計和安全運行都有重要的影響。 雪崩擊穿是PN結的一種擊穿機制，當反向電壓足夠大時，電子和空穴在結區域的耗盡層中會獲得足夠的能量，以使它們
2023-11-24 14:20:271214 什么是雪崩擊穿？單脈沖雪崩與重復雪崩有何不同？雪崩擊穿失效機理是什么？ 雪崩擊穿是指在電力系統中，由于過電壓等原因導致絕緣擊穿，進而引發設備失效的一種故障現象。在電力系統中，絕緣是保證設備正常運行
2023-11-24 14:15:36817 當功率器件PN結的反向電壓增大到某一數值后，半導體內載流子通過碰撞電離開始倍增，這一現象與宏觀世界中高山雪崩是很像的，所以我們稱之為雪崩擊穿。
2023-11-23 16:22:27572 
三分鐘看懂雪崩光電二極管
2023-11-23 09:09:06640 
單光子雪崩二極管（SPAD）的關鍵特征是能夠探測單個光子并提供數字信號輸出。
2023-11-21 09:17:39582 
有關運放全功率帶寬的問題，全功率帶寬應該怎么測試？ADA4857和AD8479兩款運放全功率帶寬的測試條件不一樣，一個輸出電壓峰峰值為2V，另一個輸出電壓峰峰值為20V，應該如何確定這個值？
2023-11-21 08:21:30
電子發燒友網站提供《功率器件的熱設計及散熱計算.pdf》資料免費下載
2023-11-13 09:21:590 簡介：本資料的主要內容包括風電及大功率逆變器中阻容器件及功率器件的應用，太陽能逆變器中膜電容及光驅動器件的應用以及電阻及功率器件在電動汽車的應用。
2023-11-09 15:40:110 一、功率器件在半導體產業中的位置功率半導體器件，簡稱功率器件，又稱電力電子器件，屬于半導體產品中的分立器件。功率集成電路也就是如下圖的【功率IC】，典型產品有【電源管理芯片】和【各類驅動芯片
2023-11-08 17:10:15822 
一、引言食品復合袋耐內壓力測試儀是一種專門用于測試食品復合袋耐內壓力性能的實驗設備。食品復合袋作為食品包裝的重要形式，其耐內壓力性能對于食品的保存和安全性具有重要影響。本文將介紹食品復合袋耐內壓力
2023-10-25 16:42:21
網分的射頻輸出功率如何設置？改動射頻輸出功率，對測試參數有什么影響？ 網分器是一種常用的高頻器件，它可以將輸入的高頻信號分成兩個或多個輸出端口，用于進行不同的測試或應用。網分器的射頻輸出功率是指在
2023-10-20 14:44:20557 功率半導體器件與普通半導體器件的區別在于，其在設計的時候，需要多一塊區域，來承擔外加的電壓，如圖5所示，300V器件[1]的“N-drift”區域就是額外承擔高壓的部分。與沒有“N-drift”區的普通半導體器件[2]相比，明顯尺寸更大，這也是功率半導體器件的有點之一。
2023-10-18 11:16:21879 
隨著新能源汽車銷量暴漲的東風，采用碳化硅功率器件可助力新能源汽車提升加速度、降低系統成本、增加續航里程以及實現輕量化等。碳化硅的優越性能使其在更多尖端領域有著迫切的需求。隨著航天技術的快速發展，作為
2023-10-18 10:34:31378 
100家功率器件廠商匯總前言功率器件應用前景廣闊，幾乎涵蓋了所有電子產業鏈。以MOSFET、IGBT為代表的功率器件需求旺盛。根據性能不同，廣泛應用于汽車、充電樁、光伏發電、風力發電、消費
2023-10-18 08:33:092498 
探頭與示波器被稱為工程師的眼睛，是工程師進行電信號測量時必不可少的工具。探頭在功率領域的應用是其發揮作用的重要方面，包括功率器件測試和變換器測試兩個方面。
2023-10-17 14:37:10206 
碳化硅（SiC）功率器件是由硅和碳制成的半導體，用于制造電動汽車、電源、電機控制電路和逆變器等高壓應用的功率器件。
2023-10-17 09:43:16169 
紙張耐折度測試儀 耐折度是指紙或紙板在一定張力下所能承受往復135°的雙折次數,以往復折疊的雙折次數或按以10為底的雙折次數對數值表示。 試驗步驟：校準儀器水平,調節所需的彈簧
2023-10-12 16:47:27
電子元器件可靠性測試是保證元器件性能和質量的一個重要測試項目，同時也是電子設備可靠性的基礎。常見的可靠性測試項目有機械沖擊測試、高溫存儲測試、溫度循壞測試、引線鍵合強度測試等。
2023-10-11 14:49:05350 
在當今的高科技社會中，氮化鎵（GaN）功率器件已成為電力電子技術領域的明星產品，其具有的高效、高頻、高可靠性以及高溫工作能力等優勢在眾多領域得到廣泛應用。然而，為了確保氮化鎵功率器件的性能和可靠性，制定一套科學、規范的測試方案至關重要。
2023-10-08 15:13:23476 
長電科技在功率器件封裝領域積累了數十年的技術經驗，具備全面的功率產品封裝外形，覆蓋IGBT、SiC、GaN等熱門產品的封裝和測試。
2023-10-07 17:41:32398 龍騰半導體建有功率器件可靠性與應用實驗中心，專注于產品設計驗證、參數檢測、可靠性驗證、失效分析及應用評估，公司參考半導體行業可靠性試驗條件和抽樣原則，制定產品可靠性規范并依此對產品進行完整可靠性驗證。
2023-09-20 16:29:21808 
氮化鎵功率器件與硅基功率器件的特性不同本質是外延結構的不同，本文通過深入對比氮化鎵HEMT與硅基MOS管的外延結構
2023-09-19 14:50:342682 
玻璃瓶耐內壓測試機 在玻璃瓶檢測標準中，玻璃瓶的耐內壓力是一項至關重要的指標。這是因為玻璃瓶的耐內壓力直接關系到其易破碎程度，對于保證玻璃瓶在使用過程中的安全性和可靠性具有重要意義。根據
2023-09-19 14:19:04
IGBT 屬于功率半導體器件, 在新能源汽車領域, IGBT 作為電子控制系統和直流充電樁的核心器件, 直接影響電動汽車的動力釋放速度, 車輛加速能力和高速度.
2023-09-14 15:17:04358 功率循環測試-簡介功率循環測試是一種功率半導體器件的可靠性測試方法，被列為AEC-Q101與AQG-324等車規級測試標準內的必測項目。相對于溫度循環測試，功率循環通過在器件內運行的芯片發熱使器件
2023-09-10 08:27:59857 
? 隨著新能源汽車的快速發展，碳化硅功率器件在新能源汽車領域中的應用也越來越多。碳化硅功率器件相比傳統的硅功率器件具有更高的工作溫度、更高的能耗效率、更高的開關速度和更小的尺寸等優點，因此在新能源
2023-09-05 09:04:421880 功率器件在工業應用中的解決方案，議程分為：功率分立器件概覽 、 IGBT產品3、高壓MOSFET 、 碳化硅Mosfet、碳化硅二極管和整流器、氮化鎵PowerGaN、工業電源中的應用和總結八個部分。
2023-09-05 06:13:28
功率半導體器件在現代電力控制和驅動系統中發揮著重要作用。IGBT模塊和IPM模塊是其中兩個最為常見的器件類型。它們都可以用于控制大功率負載和驅動電機等應用，但是它們的內部結構和功能有所不同，那么
2023-09-04 16:10:494672 
功率二極管有哪些？二極管是功率器件嗎? 功率二極管是一種功率電子器件，它與普通的二極管的不同之處在于其能夠承受更大的電流和電壓，用于控制和轉換電能。功率二極管是一種關鍵的電子器件，廣泛應用于許多領域
2023-09-02 11:13:57790 氮化鎵功率器件具有較低的導通阻抗和較高的開關速度，使其適用于高功率和高頻率應用，如電源轉換、無線通信、雷達和太陽能逆變器等領域。由于其優異的性能，氮化鎵功率器件在提高功率密度、提高系統效率和減小尺寸方面具有很大的潛力。
2023-08-24 16:09:151942 范圍內控制必要的p型、n型，所以被認為是一種超越Si極限的功率器件材料。SiC中存在各種多型體（結晶多系），它們的物性值也各不相同。用于功率器件制作，4H-SiC最為
2023-08-21 17:14:581144 
功率器件可靠性
2023-08-07 14:51:532 碳化硅功率器件主要應用于新能源車的電驅電控系統，相較于傳統硅基 功率半導體器件，碳化硅功率器件在耐壓等級、開關損耗和耐高溫性方面具備許多明顯的優勢，有助于實現新能源車電力電子驅動系統輕量化、高 效化。
2023-08-02 10:49:59363 反向雪崩擊穿和正向浪涌魯棒性是半導體功率器件在高電場和大電流密度等極端條件下非平衡載流子動力學的基本特征，也是所有元器件在電動汽車、軌道交通、電網和新能源等實際應用場景中承受瞬態過壓(Overvoltage)、過流(Overcurrent)等應力沖擊的先決條件。
2023-07-30 17:20:10841 
電子發燒友網站提供《功率器件在工業應用中的解決方案.pdf》資料免費下載
2023-07-29 15:34:440 功率半導體，又稱電力電子器件或功率電子器件，是電子產業鏈中最核心的一類器件之一。能夠實現電能轉換和電路控制，在電路中主要起著功率轉換、功率放大、功率開關、線路保護、逆變（直流轉交流）和整流（交流轉直流）等作用。
2023-07-27 16:17:151630 
功率半導體包括功率半導體分立器件（含模塊）以及功率 IC 等。其中，功率半導體分立器件，按照器件結構劃分，可分為二極管、晶閘管和晶體管等。
2023-07-26 09:31:035043 
電子發燒友網站提供《SBR雪崩能量應用筆記.pdf》資料免費下載
2023-07-25 17:37:300 PN8034內置650V高雪崩能力智能功率MOSFET，集成PFM控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于外圍元器件極精簡的小功率非隔離開關電源。
2023-07-21 15:55:072352 
點擊上方 “泰克科技” 關注我們！ （本文轉載自公眾號： 功率器件顯微鏡 ，分享給大家交流學習） GaN HEMT功率器件實測及其測試注意事項。氮化鎵器件是第三代半導體中的典型代表，具有極快的開關
2023-07-17 18:45:02711 
對功率器件動態參數進行測試是器件研發工程師、電源工程師工作中的重要一環，測試結果用于驗證、評價、對比功率器件的動態特性。
2023-07-10 16:28:08343 碳化硅功率器件作為新一代功率半導體器件，以其優異的特性獲得了廣泛的應用，同時也對其動態特性測試帶來了挑戰，現階段存在的主要問題有以下三點
2023-07-08 15:14:02325 
車規級功率器件未來發展趨勢
材料方面: SiC和GaN是必然趨勢，GaAs在細分領域有可能
●封裝方面:高功率密度、高可靠性和定制化
●評測方面:多應力綜合測試方法、新型結溫測試方法和技術
●進展方面:國產在趕超進口(參數和性能)，可靠性還需要時間沉淀
2023-07-04 10:48:05415 
功率MOSFET的UIS雪崩損壞有三種模式：熱損壞、寄生三極管導通損壞和VGS尖峰誤觸發導通損壞。
2023-06-29 15:40:541276 
功率器件是指用于控制、調節和放大電能的電子元件。它們主要用于處理大功率電信號或驅動高功率負載，例如電機、變壓器、照明設備等。
2023-06-28 17:02:091644 光隔離探頭主要用于開關電源、逆變器、充電樁、變頻器、電機驅動等由功率半導體組成的高壓高頻電路的測試，尤其是寬禁帶半導體器件包括氮化鎵、碳化硅器件組成的半/全橋電路的測試。
2023-06-27 17:32:33555 
1 Buck 變換器的功率器件設計公式 （1）：Buck 變換器的電路圖： （2）：Buck 變換器的主要穩態規格： （3）：功率器件的穩態應力： -- 有源開關 S： -- 無源開關 D： 上述
2023-06-26 10:06:01434 
MOS 管可能會遭受與其他功率器件相同的故障，例如過電壓（半導體的雪崩擊穿）、過電流（鍵合線或者襯底熔化）、過熱（半導體材料由于高溫而分解）。
2023-06-11 15:58:46452 
提升硅基氮化鎵橫向功率器件可靠性的難點在于如何準確測試出器件在長期高壓大電流應力工作下的安全工作區，如何保證器件在固定失效率下的壽命。硅基氮化鎵橫向功率器件在高壓大電流場景下的“可恢復退化”與“不可恢復退化”一直以來很難區分，這給器件安全工作區的識別和壽命評估帶來了極大挑戰。
2023-06-08 15:37:12477 
功率模組OSRG測試什么 IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由（Bipolar Junction Transistor，BJT
2023-05-31 09:39:49671 EAS單脈沖雪崩擊穿能量, EAS標定了器件可以安全吸收反向雪崩擊穿能量的高低。以低于Tj(max)為極限。
2023-05-24 09:51:302761 
功率MOSFET的雪崩強度限值是衡量器件針對于感性負載在開關動作應用中的重要參數。 清楚地理解雪崩強度的定義，失效的現象及評估的方法是功率MOSFET電路設計必備的能力。 本文將以下面三個方面進行探討。
2023-05-15 16:17:451133 
碳化硅功率半導體器件具有耐壓高、熱穩定好、開關損耗低、功率密度高等特點，被廣泛應用在電動汽車、風能發電、光伏發電等新能源領域。近年來，全球半導體功率器件的制造環節以較快速度向我國轉移。目前,我國
2023-05-15 10:04:53804 
MOS 管可能會遭受與其他功率器件相同的故障，例如過電壓(半導體的雪崩擊穿)、過電流(鍵合線或者襯底熔化)、過熱(半導體材料由于高溫而分解)。
2023-05-05 09:11:22556 通過對現有功率器件封裝方面文獻的總結，從器件封裝結構散熱路徑的角度可以將功率器件分為單面散熱器件、雙面散熱器件和多面散熱器件。
2023-04-26 16:11:33917 
平臺型多通道消光比測試儀可獨立進行偏振消光比測試、光功率測試、插損變化測試等，配備 USB(RS232) 接口，上位機軟件可自動進行數據測試、 記錄、分析，可方便地組成自動測試系統。 廣泛應用于光通信設備、光纖、光無源器件與光有源器件的測試，功率范圍寬、測試精度高、性價比高、可靠性好。
2023-04-25 17:35:450 騷擾功率測試是絕大多數AV類產品，家電以及電動工具產品在認證時常見的EMC測試之一。本文從騷擾功率的測試原理說起，論述測試要點，以及出現測試不合格的原因分析，和可以采取的對策。后給出一個實際的整改案例加以說明。
2023-04-18 10:45:191646 
在有限的封 裝空間內，如何把芯片的耗散熱及時高效的釋放到外界環境中以降低芯片結溫及器件內部各封裝材料的工作溫度，已成 為當前功率器件封裝設計階段需要考慮的重要問題之一。本文聚焦于功率器件封裝結構
2023-04-18 09:53:235973 
電壓擺幅在MOSFET擊穿電壓之上，從而激活了其內在的寄生雙極晶體管，并在FET上出現有效的雪崩效應。這項測試重復進行，電流逐漸增加，直到開始的泄漏測試失敗，表明器件已被損壞。
2023-04-17 09:45:061407 
單光子探測器是一種可檢測單個光子能量的高靈敏度器件。按工作原理不同，單光子探測器可分為光電倍增管（PMT）、超導單光子探測器（SSPD）和單光子雪崩光電二極管（SPAD）。
2023-04-15 16:00:591405 碲鎘汞線性雪崩焦平面探測器具有高增益、高帶寬及低過剩噪聲等特點，在航空航天、天文觀測、軍事裝備及地質勘探等領域展現了巨大的應用潛力。
2023-03-28 09:12:33727
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