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標(biāo)簽 > 功率半導(dǎo)體
功率半導(dǎo)體器件又被稱為電力電子器件,是電力電子技術(shù)的基礎(chǔ),也是構(gòu)成電力電子變換裝置的核心器件。
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Kulicke & Soffa推出用于功率半導(dǎo)體應(yīng)用的Asterion?-PW
Kulicke and Soffa Industries Inc.(NASDAQ:KLIC)(“Kulicke S”、“我們”或“公司”)宣布推出Ast...
2025-03-31 標(biāo)簽:功率半導(dǎo)體 1717 0
APSME 2025功率半導(dǎo)體展:洞察行業(yè)發(fā)展機(jī)遇,攜手共創(chuàng)美好未來
在科技飛速發(fā)展的今天,功率半導(dǎo)體作為電子設(shè)備的核心部件,其重要性不言而喻。從我們?nèi)粘J褂玫闹悄苁謾C(jī)、電腦,到新能源汽車、工業(yè)自動化設(shè)備,功率半導(dǎo)體無處不...
2025-03-28 標(biāo)簽:功率半導(dǎo)體 324 0
從陳星弼院士無奈賣出超結(jié)MOSFET專利到碳化硅功率半導(dǎo)體中國龍崛起
中國功率半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展歷程是一部從技術(shù)引進(jìn)到自主創(chuàng)新、從受制于人到逐步突破的篳路藍(lán)縷奮斗史。從陳星弼院士的超結(jié)MOSFET專利到全國產(chǎn)碳化硅(SiC)...
2025-03-27 標(biāo)簽:MOSFET功率半導(dǎo)體 342 0
國產(chǎn)碳化硅MOSFET行業(yè)亂象給中國功率半導(dǎo)體行業(yè)敲響警鐘
國產(chǎn)碳化硅(SiC)MOSFET行業(yè)近年來在政策扶持、市場需求和技術(shù)突破的推動下快速發(fā)展,但伴隨的行業(yè)亂象也暴露出深層次的結(jié)構(gòu)性問題,對中國功率半導(dǎo)體行...
2025-03-26 標(biāo)簽:MOSFET功率半導(dǎo)體碳化硅 476 0
在“雙碳”目標(biāo)驅(qū)動下,光伏逆變、儲能系統(tǒng)及工業(yè)變頻領(lǐng)域?qū)β誓K的高效率、高功率密度需求持續(xù)攀升。三電平(NPC)拓?fù)鋺{借更低的開關(guān)損耗、更高的電壓利用...
2025-03-20 標(biāo)簽:光伏功率半導(dǎo)體儲能模塊 714 0
2025廣州新能源汽車功率半導(dǎo)體展會:開啟行業(yè)新征程,照亮未來之路
當(dāng)新能源汽車的浪潮席卷全球,功率半導(dǎo)體作為其核心支撐技術(shù),正站在時(shí)代發(fā)展的風(fēng)口浪尖。2025年11月20-22日,備受矚目的 AUTO TECH Chi...
2025-03-17 標(biāo)簽:新能源汽車功率半導(dǎo)體 327 0
BASiC:國產(chǎn)碳化硅MOSFET亂象中的破局者與行業(yè)引領(lǐng)者
國產(chǎn)碳化硅MOSFET行業(yè)亂象與功率半導(dǎo)體發(fā)展的必然性 國產(chǎn)碳化硅MOSFET行業(yè)當(dāng)前正處于技術(shù)追趕與市場擴(kuò)張的關(guān)鍵期,但也暴露出技術(shù)浮躁、標(biāo)準(zhǔn)缺失、劣...
2025-03-16 標(biāo)簽:MOSFET功率半導(dǎo)體 384 0
第三代功率半導(dǎo)體廠商納微半導(dǎo)體榮獲領(lǐng)益智造“金石供應(yīng)商”稱號
? 日前,廣東領(lǐng)益智造股份有限公司(簡稱“領(lǐng)益智造”)2025年供應(yīng)商大會于廣東深圳領(lǐng)益大廈成功召開。納微達(dá)斯(無錫)半導(dǎo)體有限公司(簡稱“納微半導(dǎo)體”...
2025-03-14 標(biāo)簽:功率半導(dǎo)體納微半導(dǎo)體第三代半導(dǎo)體 1953 0
東芝電子元件及存儲裝置株式會社(東芝)近日在其位于日本西部兵庫縣姬路半導(dǎo)體工廠的車載功率半導(dǎo)體后道生產(chǎn)新廠房舉辦了竣工慶祝儀式。新廠房的產(chǎn)能將比2022...
2025-03-13 標(biāo)簽:東芝功率器件功率半導(dǎo)體 729 0
國際集成電路展覽會暨研討會(International IC & Component Exhibition and Conference, 簡稱...
2025-03-13 標(biāo)簽:IC設(shè)計(jì)功率半導(dǎo)體上海貝嶺 742 0
全球功率半導(dǎo)體變革:SiC碳化硅功率器件中國龍崛起
功率器件變革中SiC碳化硅中國龍的崛起:從技術(shù)受制到全球引領(lǐng)的歷程與未來趨勢 當(dāng)前功率器件正在經(jīng)歷從傳統(tǒng)的硅基功率器件持續(xù)躍升到SiC碳化硅材料功率半導(dǎo)...
2025-03-13 標(biāo)簽:功率半導(dǎo)體碳化硅 286 0
中國制造2025:SiC碳化硅功率半導(dǎo)體的高度國產(chǎn)化
碳化硅功率半導(dǎo)體的高國產(chǎn)化程度是中國制造2025戰(zhàn)略的典型成果,通過 政策引導(dǎo)、產(chǎn)業(yè)鏈整合、技術(shù)創(chuàng)新與市場需求共振 ,實(shí)現(xiàn)了從“進(jìn)口替代”到“全球競爭”...
2025-03-09 標(biāo)簽:SiC功率半導(dǎo)體碳化硅 1281 0
一文看懂功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的創(chuàng)新領(lǐng)導(dǎo)者PI的最新產(chǎn)品(PowiGaN 技術(shù) InnoSwitch3-EP)
作為功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的創(chuàng)新領(lǐng)導(dǎo)者,Power Integrations(以下簡稱:PI)始終專注于前沿技術(shù)研發(fā),持續(xù)為全球客戶提供突破性解決方案。PI 在...
2025-03-06 標(biāo)簽:PI電源管理功率半導(dǎo)體 691 0
隨著市場對高性能功率半導(dǎo)體器件寬SOA MOSFET需求的日益增長,新潔能(NCE)產(chǎn)品研發(fā)部門推出HO系列MOSFET產(chǎn)品,優(yōu)化了SOA工作區(qū)間,可滿...
2025-03-04 標(biāo)簽:MOSFET功率半導(dǎo)體新潔能 637 0
2025 功率半導(dǎo)體的五大發(fā)展趨勢:功率半導(dǎo)體在AI數(shù)據(jù)中心應(yīng)用的增長,SiC在非汽車領(lǐng)域應(yīng)用的增長,GaN導(dǎo)入到快速充電器之外的應(yīng)用領(lǐng)域, 中國功率半...
2025-03-04 標(biāo)簽:電源人工智能功率半導(dǎo)體 1053 0
深度分析與解讀功率半導(dǎo)體發(fā)展走向的“三個(gè)必然”及其產(chǎn)業(yè)影響
深度分析與解讀功率半導(dǎo)體發(fā)展走向的“三個(gè)必然”及其產(chǎn)業(yè)影響 ? 一、功率半導(dǎo)體發(fā)展的“三個(gè)必然”的技術(shù)內(nèi)涵與歷史性變革 分析與解讀功率半導(dǎo)體發(fā)展走向的“...
2025-03-04 標(biāo)簽:SiC功率半導(dǎo)體寬禁帶半導(dǎo)體 510 0
見證功率半導(dǎo)體歷史:SiC碳化硅MOSFET價(jià)格首次低于IGBT!
進(jìn)入2025年以來,全行業(yè)出現(xiàn)SiC碳化硅MOSFET價(jià)格開始低于傳統(tǒng)IGBT的現(xiàn)象,比行業(yè)認(rèn)知提前十幾年見證功率半導(dǎo)體歷史拐點(diǎn):SiC碳化硅MOSFE...
2025-03-03 標(biāo)簽:MOSFETIGBT功率半導(dǎo)體 776 0
安意法合資工廠通線啟示:國產(chǎn)自主品牌碳化硅功率半導(dǎo)體的自強(qiáng)之路
近日,三安光電與意法半導(dǎo)體在重慶合資設(shè)立的安意法半導(dǎo)體碳化硅晶圓工廠正式通線,預(yù)計(jì)2025年四季度批量生產(chǎn),形成了合資碳化硅功率器件的鯰魚效應(yīng),結(jié)合過去...
2025-03-01 標(biāo)簽:MOSFET功率半導(dǎo)體碳化硅 569 0
華大半導(dǎo)體與湖南大學(xué)成功舉辦SiC功率半導(dǎo)體技術(shù)研討會
近日,華大半導(dǎo)體與湖南大學(xué)在上海舉辦SiC功率半導(dǎo)體技術(shù)研討會,共同探討SiC功率半導(dǎo)體在設(shè)計(jì)、制造、材料等領(lǐng)域的最新進(jìn)展及挑戰(zhàn)。
2025-02-28 標(biāo)簽:SiC功率半導(dǎo)體華大半導(dǎo)體 759 0
從國產(chǎn)SiC器件質(zhì)量問題頻發(fā)的亂象看碳化硅功率半導(dǎo)體行業(yè)洗牌
近期,多家客戶接連發(fā)生國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率半導(dǎo)體質(zhì)量問題,嚴(yán)重打擊了終端客戶的信心和一定程度影響到了SiC碳化硅功率半導(dǎo)體國產(chǎn)化替代進(jìn)程,從...
2025-02-28 標(biāo)簽:SiC功率半導(dǎo)體碳化硅 369 0
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