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標(biāo)簽 > 刻蝕機(jī)

刻蝕機(jī)

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刻蝕機(jī)是一種用于電子與通信技術(shù)領(lǐng)域的工藝試驗(yàn)儀器,于2012年5月14日啟用,在半導(dǎo)體和線路板制程上,蝕刻更是不可或缺的技術(shù)。

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刻蝕機(jī)技術(shù)

鈮酸鋰 LiNbO3 薄膜 IBE 離子束刻蝕

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隨著基于鈮酸鋰 LN 的光源, 光調(diào)制, 光探測(cè)等重要器件的實(shí)現(xiàn), 鈮酸鋰 LN 光子集成芯片有望像硅基集成電路一樣, 成為高速率, 高容量, 低能耗光...

2024-09-13 標(biāo)簽:離子束刻蝕機(jī) 792 0

ICP-RIE機(jī)臺(tái)的原理是什么樣的?

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ICP-RIE全稱是電感耦合等離子體刻蝕機(jī),是半導(dǎo)體芯片微納加工過(guò)程中必不可少的設(shè)備,可加工微米級(jí)納米級(jí)的微型圖案。

2024-04-30 標(biāo)簽:射頻等離子體刻蝕機(jī) 2072 0

刻蝕機(jī)是干什么用的 刻蝕機(jī)和光刻機(jī)的區(qū)別

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刻蝕機(jī)的刻蝕過(guò)程和傳統(tǒng)的雕刻類似,先用光刻技術(shù)將圖形形狀和尺寸制成掩膜,再將掩膜與待加工物料模組裝好,將樣品置于刻蝕室內(nèi),通過(guò)化學(xué)腐蝕或物理磨蝕等方式將...

2024-03-11 標(biāo)簽:芯片制造光刻光刻機(jī) 1.3萬(wàn) 0

基于兩步刻蝕工藝的錐形TSV制備方法研究

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以硅通孔(TSV)為核心的 2.5D/3D 封裝技術(shù)可以實(shí)現(xiàn)芯片之間的高速、低功耗和高帶寬的信號(hào)傳輸。

2024-02-25 標(biāo)簽:晶圓信號(hào)傳輸電感耦合 1816 0

如何調(diào)控BOSCH工藝深硅刻蝕?影響深硅刻蝕的關(guān)鍵參數(shù)有哪些?

如何調(diào)控BOSCH工藝深硅刻蝕?影響深硅刻蝕的關(guān)鍵參數(shù)有哪些?

影響深硅刻蝕的關(guān)鍵參數(shù)有:氣體流量、上電極功率、下電極功率、腔體壓力和冷卻器。

2024-02-25 標(biāo)簽:晶圓冷卻器刻蝕機(jī) 3837 0

干法刻蝕常用設(shè)備的原理及結(jié)構(gòu)

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干法刻蝕技術(shù)是一種在大氣或真空條件下進(jìn)行的刻蝕過(guò)程,通常使用氣體中的離子或化學(xué)物質(zhì)來(lái)去除材料表面的部分,通過(guò)掩膜和刻蝕參數(shù)的調(diào)控,可以實(shí)現(xiàn)各向異性及各向...

2024-01-20 標(biāo)簽:等離子體晶圓刻蝕機(jī) 1.1萬(wàn) 0

半導(dǎo)體零部件行業(yè)深度報(bào)告

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半導(dǎo)體設(shè)備主要應(yīng)用于集成電路的制造和封測(cè)環(huán)節(jié),可細(xì)分為晶圓制造設(shè)備(前道設(shè)備)和封裝、測(cè)試設(shè)備(后道設(shè)備)。其中,前道設(shè)備主要有光刻機(jī)、刻蝕機(jī)、薄膜沉積...

2023-12-27 標(biāo)簽:集成電路芯片制造光刻機(jī) 993 0

淺談Micro OLED生產(chǎn)環(huán)節(jié)

OLED制程。①OLED陽(yáng)極。②蒸鍍OLED器件。蒸鍍和傳統(tǒng)OLED不一樣,沒(méi)有這么密的mask,需要先白光,再加濾光。③封裝,即薄膜封裝層。④CF彩色...

2023-12-04 標(biāo)簽:OLED光刻Micro OLED 3378 0

射頻電源結(jié)構(gòu)及應(yīng)用分析

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主流射頻電源頻率包括為400KHz、2MHz、13.56MHz、27.12MHz、40MHz和60MHz等。射頻電源由于應(yīng)用場(chǎng)景多樣,按照頻率和功率可分...

2023-11-30 標(biāo)簽:集成電路NANDDC-DC 1.1萬(wàn) 0

濕法刻蝕液的種類與用途有哪些呢?濕法刻蝕用在哪些芯片制程中?

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濕法刻蝕由于成本低、操作簡(jiǎn)單和一些特殊應(yīng)用,所以它依舊普遍。

2023-11-27 標(biāo)簽:晶圓微處理器光電器件 2703 0

干法刻蝕的負(fù)載效應(yīng)是怎么產(chǎn)生的?有什么危害?如何抑制呢?

干法刻蝕的負(fù)載效應(yīng)是怎么產(chǎn)生的?有什么危害?如何抑制呢?

有過(guò)深硅刻蝕的朋友經(jīng)常會(huì)遇到這種情況:在一片晶圓上不同尺寸的孔或槽刻蝕速率是不同的。

2023-10-07 標(biāo)簽:晶圓刻蝕機(jī) 6597 0

半導(dǎo)體工藝裝備現(xiàn)狀及發(fā)展趨勢(shì)

半導(dǎo)體工藝裝備現(xiàn)狀及發(fā)展趨勢(shì)

集成電路前道工藝及對(duì)應(yīng)設(shè)備主要分八大類,包括光刻(光刻機(jī))、刻蝕(刻蝕機(jī))、薄膜生長(zhǎng)(PVD-物理氣相沉積、CVD-化學(xué)氣相沉積等薄膜設(shè)備)、擴(kuò)散(擴(kuò)散...

2023-05-30 標(biāo)簽:集成電路半導(dǎo)體工藝 2116 0

二氧化硅玻璃陶瓷刻蝕化學(xué)及HF輔助刻蝕的觀察

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關(guān)鍵詞:玻璃陶瓷;氫氟酸;蝕刻條件;蝕刻速率;機(jī)制 引言 我們江蘇華林科納研究了氧化鎂-氧化鋁-二氧化硅玻璃陶瓷在氫氟酸中的腐蝕條件和機(jī)理。結(jié)果表明,在...

2022-01-04 標(biāo)簽:半導(dǎo)體晶圓刻蝕 2602 0

SiO2在氫氟酸中的刻蝕機(jī)理

SiO2在氫氟酸中的刻蝕機(jī)理

摘要 研究了高頻和高頻/HCI溶液中的不同平衡點(diǎn),并研究了SiQ的蝕刻反應(yīng)作為高頻溶液中不同物種的函數(shù)。基于HF二聚體的存在,建立了一種新的SiO~蝕刻...

2021-12-31 標(biāo)簽:晶圓鍍膜刻蝕 5223 0

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