內(nèi)存

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內(nèi)存是計算機(jī)中重要的部件之一，它是與CPU進(jìn)行溝通的橋梁。計算機(jī)中所有程序的運(yùn)行都是在內(nèi)存中進(jìn)行的，因此內(nèi)存的性能對計算機(jī)的影響非常大。內(nèi)存（Memory）也被稱為內(nèi)存儲器，其作用是用于暫時存放CPU中的運(yùn)算數(shù)據(jù)，以及與硬盤等外部存儲器交換的數(shù)據(jù)。

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內(nèi)存資訊

受疫情影響服務(wù)器內(nèi)存及企業(yè)級SSD第二季價格持續(xù)上漲

根據(jù)集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心（DRAMeXchange）調(diào)查顯示，在美國政府標(biāo)案與疫情帶動的遠(yuǎn)程服務(wù)需求趨動下，Server DRAM 第二季的價格漲幅從...

2020-03-11 標(biāo)簽：內(nèi)存 SSD 879 0

SK海力士第三季度業(yè)績創(chuàng)歷史新高,高帶寬內(nèi)存與HBM需求旺盛

受高帶寬內(nèi)存和HBM市場的強(qiáng)勁需求推動，SK海力士在今年第三季度的銷售額、營業(yè)利潤和凈利潤均達(dá)到了歷史新高。這一業(yè)績表現(xiàn)有望消除市場對半導(dǎo)體行業(yè)可能再次...

2024-10-25 標(biāo)簽：內(nèi)存 SK海力士 HBM 879 0

三星確認(rèn)平澤P4工廠1c nm DRAM內(nèi)存產(chǎn)線投資

據(jù)韓國媒體最新報道，三星電子已正式確認(rèn)在平澤P4工廠投資建設(shè)先進(jìn)的1c nm DRAM內(nèi)存產(chǎn)線，并預(yù)計該產(chǎn)線將于明年6月正式投入運(yùn)營。這一舉措標(biāo)志著三星...

2024-08-13 標(biāo)簽：DRAM 三星電子內(nèi)存 879 0

繼手機(jī)業(yè)務(wù)下滑以后內(nèi)存也遭受打擊 2019年將是三星困難的一年

據(jù)報道，隨著全球經(jīng)濟(jì)局勢緊張，半導(dǎo)體市場放緩以及數(shù)據(jù)中心對內(nèi)存的需求下滑，在手機(jī)業(yè)務(wù)下滑之后，三星的又一支柱型業(yè)務(wù)恐將遭受巨大打擊。

2019-03-21 標(biāo)簽：三星電子內(nèi)存 877 0

新思科技助力優(yōu)化MRAM與RRAM的開發(fā)流程

嵌入式閃存及其對應(yīng)的離片NOR閃存，在非易失性內(nèi)存領(lǐng)域（即用于持久性或長期數(shù)據(jù)存儲）多年來占據(jù)著標(biāo)準(zhǔn)地位。然而，隨著工藝技術(shù)尺寸縮小至28nm以下，這些...

2024-11-18 標(biāo)簽：嵌入式存儲器內(nèi)存 877 0

華邦電子與 Mobiveil將合作開發(fā)全新的 IP 控制器

? 華邦電子與 Mobiveil 達(dá)成合作全球半導(dǎo)體存儲解決方案領(lǐng)導(dǎo)廠商華邦電子與快速增長的硅知識產(chǎn)權(quán)（SIP）、平臺與 IP 設(shè)計服務(wù)供應(yīng)商 Mob...

2023-08-31 標(biāo)簽：控制器 IP 內(nèi)存 877 0

美光內(nèi)存獲得最高安全等級認(rèn)證

如今，汽車越來越依賴半導(dǎo)體器件來控制系統(tǒng)，以保障駕駛員與乘客的安全。這些顯著優(yōu)勢又反過來推動了汽車領(lǐng)域半導(dǎo)體產(chǎn)品的發(fā)展，尤其是高度復(fù)雜的半導(dǎo)體器件和高性...

2023-06-27 標(biāo)簽：半導(dǎo)體內(nèi)存美光 875 0

Astera Labs面向CXL附加內(nèi)存擴(kuò)展和池化應(yīng)用的Leo Memory Connectivity Platform進(jìn)入預(yù)量產(chǎn)階段

解決加速和智能基礎(chǔ)架構(gòu)中的內(nèi)存瓶頸及可組合性，為云規(guī)模部署打下基礎(chǔ) ? 中國，北京 - 202 2 年 9 月 1 日 - 智能系統(tǒng)專用連接解決方案企業(yè)...

2022-09-01 標(biāo)簽：內(nèi)存 Astera Labs 874 0

內(nèi)存產(chǎn)品-常見問題-Memory Products - Fr

Abstract: This application brief answer some frequently asked questions on s...

2009-04-24 標(biāo)簽：內(nèi)存 873 0

2023 EDGE AWARDS全球創(chuàng)新評選，知存科技上榜“年度潛在價值企業(yè)”

作為世界領(lǐng)先的存儲計算芯片企業(yè)，知存科技使用閃存完成神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)的內(nèi)存和運(yùn)算，實(shí)現(xiàn)顛覆性計算架構(gòu)創(chuàng)新，有效解決ai內(nèi)存墻問題。公司的wtm-2系列芯片上市后...

2023-12-05 標(biāo)簽：神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)內(nèi)存知存科技 872 0

美光發(fā)布HBM4與HBM4E項(xiàng)目新進(jìn)展

近日，據(jù)報道，全球知名半導(dǎo)體公司美光科技發(fā)布了其HBM4(High Bandwidth Memory 4，第四代高帶寬內(nèi)存)和HBM4E項(xiàng)目的最新研發(fā)進(jìn)...

2024-12-23 標(biāo)簽：接口內(nèi)存美光 871 0

V-COLOR推出專為AMD WRX90和TRX50工作站的OC R-DIMM高性能內(nèi)存

臺北2024年5月21日?/美通社/ -- 提供針對AMD WRX90和TRX50主板優(yōu)化的DDR5 OC R-DIMM 提供容量128GB（16GBx...

2024-05-21 標(biāo)簽：amd 內(nèi)存工作站 868 0

超頻神條新選擇，云彣墨云藏境8000MT/s內(nèi)存評測

雖然電子產(chǎn)品每年都在迭代,一味追新并不可取,但話又說回來,有時候不升級游戲是真心玩不動。很多用戶面對幀率不理想的情況都會優(yōu)先考慮升級顯卡,其次是CPU,...

2024-10-18 標(biāo)簽：內(nèi)存超頻 868 0

三星電子計劃新建封裝工廠，擴(kuò)產(chǎn)HBM內(nèi)存

三星電子計劃在韓國天安市新建一座半導(dǎo)體封裝工廠，以擴(kuò)大HBM內(nèi)存等產(chǎn)品的后端產(chǎn)能。該工廠將依托現(xiàn)有封裝設(shè)施，進(jìn)一步提升三星電子在半導(dǎo)體領(lǐng)域的生產(chǎn)能力。

2024-11-14 標(biāo)簽：三星電子封裝內(nèi)存 861 0

RDRAM內(nèi)存

RDRAM內(nèi)存　　RDRAM是Rambus Dynamic Random Access Memory（存儲器總線式...

2009-12-17 標(biāo)簽：內(nèi)存 860 0

DRAM擴(kuò)產(chǎn)受困于技術(shù)瓶頸和國際大廠的壟斷

存儲芯片市場在經(jīng)過長達(dá)一年半時間的猛漲后，部分內(nèi)存芯片的價格突然下跌，加之韓國三星電子近期發(fā)布的令人失望的2017年盈利報告，導(dǎo)致那些押注芯片繁榮的投資...

2018-10-30 標(biāo)簽：DRAM NAND 存儲 860 0

三星重啟1b nm DRAM設(shè)計，應(yīng)對良率與性能挑戰(zhàn)

近日，據(jù)韓媒最新報道，三星電子在面對其12nm級DRAM內(nèi)存產(chǎn)品的良率和性能雙重困境時，已于2024年底作出了重要決策。為了改善現(xiàn)狀，三星決定在優(yōu)化現(xiàn)有...

2025-01-22 標(biāo)簽：DRAM 內(nèi)存三星 856 0

內(nèi)存價格持續(xù)下跌對于營收并不利

年初的時候相信很多人都沒有想到，今年內(nèi)存價格一路下滑，如今單條8GB內(nèi)存已經(jīng)非常便宜，不足200元就能買到，而以前需要花費(fèi)四五百。

2019-11-27 標(biāo)簽：內(nèi)存 855 0

鴻蒙開發(fā)實(shí)戰(zhàn)：【性能調(diào)優(yōu)組件】

性能調(diào)優(yōu)組件包含系統(tǒng)和應(yīng)用調(diào)優(yōu)框架，旨在為開發(fā)者提供一套性能調(diào)優(yōu)平臺，可以用來分析內(nèi)存、性能等問題

2024-03-13 標(biāo)簽：存儲內(nèi)存鴻蒙 853 0

SMART Modular 世邁科技推出高性能服務(wù)器專用全新CXL? 內(nèi)存擴(kuò)充卡系列

隸屬SGH?（Nasdaq：?SGH）控股集團(tuán)，全球?qū)I(yè)內(nèi)存與存儲解決方案領(lǐng)導(dǎo)者 SMART Modular?世邁科技（“SMART”）宣布推出全新 C...

2024-04-25 標(biāo)簽：服務(wù)器內(nèi)存 SMART 853 0

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工業(yè)互聯(lián)網(wǎng)的本質(zhì)是通過開放的、全球化的工業(yè)級網(wǎng)絡(luò)平臺把設(shè)備、生產(chǎn)線、工廠、供應(yīng)商、產(chǎn)品和客戶緊密地連接和融合起來，高效共享工業(yè)經(jīng)濟(jì)中的各種要素資源，從而通過自動化、智能化的生產(chǎn)方式降低成本、增加效率，幫助制造業(yè)延長產(chǎn)業(yè)鏈，推動制造業(yè)轉(zhuǎn)型發(fā)展。
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全志科技（AllwinnerTechnology）成立于2007年，是卓越的智能應(yīng)用處理器SoC、高性能模擬器件和無線互聯(lián)芯片設(shè)計廠商?？偛课挥谥袊楹?，在深圳、香港、西安、北京、上海等地設(shè)有研發(fā)中心或分支機(jī)構(gòu)，2015年于深交所創(chuàng)業(yè)板上市，股票代碼300458。
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在半導(dǎo)體制造中，3納米工藝是繼5納米MOSFET 技術(shù)節(jié)點(diǎn)之后的下一個芯片縮小。截至2019年，三星和臺積電已宣布計劃將3 nm 半導(dǎo)體節(jié)點(diǎn)投入商業(yè)生產(chǎn)。它基于GAAFET（全能柵極場效應(yīng)晶體管）技術(shù)，這是一種多柵極MOSFET技術(shù)。
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FFT算法一般指快速傅里葉變換。快速傅里葉變換即利用計算機(jī)計算離散傅里葉變換（DFT）的高效、快速計算方法的統(tǒng)稱，簡稱FFT?？焖俑道锶~變換是1965年由J.W.庫利和T.W.圖基提出的。采用這種算法能使計算機(jī)計算離散傅里葉變換所需要的乘法次數(shù)大為減少，特別是被變換的抽樣點(diǎn)數(shù)N越多，F(xiàn)FT算法計算量的節(jié)省就越顯著。
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　LPDDR5就是第五代LPDDR內(nèi)存。LPDDR內(nèi)存全稱是Low Power Double Data Rate SDRAM，中文意為低功耗雙倍數(shù)據(jù)速率內(nèi)存，又稱為mDDR（Mobile DDR SDRM）.
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智原科技（Faraday Technology Corporation， TWSE： 3035）為專用集成電路（ASIC）設(shè)計服務(wù)暨知識產(chǎn)權(quán)（IP）研發(fā)銷售領(lǐng)導(dǎo)廠商，通過ISO 9001與ISO 26262認(rèn)證，總公司位于臺灣新竹科學(xué)園區(qū)，并于中國大陸、美國與日本設(shè)有研發(fā)、營銷據(jù)點(diǎn)。

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