存儲芯片市場在經(jīng)過長達一年半時間的猛漲后，部分內(nèi)存芯片的價格突然下跌，加之韓國三星電子近期發(fā)布的令人失望的2017年盈利報告，導致那些押注芯片繁榮的投資者感到極度不安。有消息顯示，芯片市場目前已開始喪失部分動能，廣泛應用于智能手機的高端閃存芯片的價格在2017年第四季度下跌了近5％，NAND閃存價格由漲轉(zhuǎn)跌。

2018年內(nèi)存芯片價格持續(xù)居高不下，有報告顯示，2018年第三季度和第四季度NAND閃存的平均銷售價格預計將下降10％，其主要原因是因為市場需求不足，尤其是智能手機旺季卻被滯銷，再加上最近英特爾14nm產(chǎn)能不足的消息，導致了PC市場需求雪上加霜。

三大存儲器的價格大幅上漲

2017年，存儲器銷售額為歷年來最高點，超過1200億美元，占全球半導體市場總值的30．1％。其主要原因，是DRAM和NAND Flash從2016年下半年起缺貨，從而引發(fā)的漲價。

1、DRAM平均售價同比上漲77％，銷售總值達720億美元，同比增長74％。

2、NAND Flash平均售價同比上漲38％，銷售總額達498億美元，同比增長44％。

3、NOR Flash銷售總額為43億美元。

由此看出，三大存儲器的價格大幅上漲導致全球存儲器總體市場增長58％，存儲器也首次超越歷年占比最大的邏輯電路，成為全球半導體市場銷售額占比最高的分支，在產(chǎn)業(yè)中占據(jù)極為重要的地位。

存儲器市場的景氣大幅度攀升

受惠于全球智能手機出貨量的增長以及電子信息設(shè)備內(nèi)存搭載量的不斷攀升，從2016 年下半年起，全球存儲器市場：DRAM 和 NAND 閃存等，結(jié)束了連續(xù) 18 個月的低迷景象，無論是存儲器的出貨量還是銷售價格，都出現(xiàn)了大幅度的提升。據(jù)多家市場調(diào)研機構(gòu)調(diào)查分析，這一輪存儲器市場的景氣延續(xù)至2017年和2018年上半年。

2016 年全球 DRAM 的銷售規(guī)模為454億美元；而Flash的銷售規(guī)模為319億美元，其中NAND Flash為312億美元，NOR Flash僅為7億美元左右。全球存儲器的市場規(guī)模為773億美元，比2015年減少7．3％。初步統(tǒng)計2017年存儲器市場規(guī)模達到853億美元，較2016年增長10．3％。到2021年可望擴大至1099億美元，2016～2021年年均增長率將達7．3％。

與此同時，存儲器的制造技術(shù)也顯著提升,全球三大 DRAM 廠商的制程技術(shù)從2X nm推進到1X nm，3D NAND閃存從48層提升至64層,ReRAM和MRAM越來越顯示出它們的應用前景。

存儲器產(chǎn)能有限，量價齊增

目前，三星、SK 海力士兩大韓系廠商在擴產(chǎn)腳步上是猛踩油門，包括三星在韓國平澤的P1廠房和Line 15生產(chǎn)線，以及SK海力士的M14生產(chǎn)線，與此同時，美光在廣島的Fab 15和Fab 16也有DRAM擴產(chǎn)計劃，但產(chǎn)能的增加仍主要依靠兩大韓系廠商。

根據(jù)三家公司目前最新的建廠規(guī)模，2017年全球每季度芯片產(chǎn)能為1100K左右。到2018年，預計三星和SK海力士將會有接近20％左右的產(chǎn)能提升，美光的產(chǎn)能增量為10％，預計全球每季度芯片產(chǎn)能為1200K左右。

隨著工藝尺寸越來越小，DRAM良率無法得到有效控制，導致DRAM產(chǎn)能增速的放緩，與此同時，EUV光刻設(shè)備年產(chǎn)能極其有限，這些問題使得DRAM工藝節(jié)點突破困難重重，各廠商工藝進度計劃也被迫一再推遲。再加上賣方主導DRAM市場和新型非易失性存儲器技術(shù)的出現(xiàn)，進一步造成了全球范圍內(nèi)DRAM龍頭企業(yè)技術(shù)升級和擴產(chǎn)意愿下降。

總的來說，DRAM擴產(chǎn)受困于技術(shù)瓶頸和國際大廠的壟斷，2018－2020年全球bit growth將繼續(xù)徘徊在20％左右的歷史低位水平。但是下游終端應用的市場需求將持續(xù)溫和上升，特別是終端品牌繼續(xù)向國產(chǎn)品牌集中，造成國產(chǎn)手機對于DRAM產(chǎn)品的需求出現(xiàn)區(qū)域性的增加，同時5G、云計算、IDC等將拉動服務(wù)器應用大幅增長，隨著5G商用的節(jié)點越來越近，將帶動內(nèi)存市場需求的加速提升。