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標(biāo)簽 > 內(nèi)存芯片
“內(nèi)存顆粒”是中國(guó)港臺(tái)地區(qū)對(duì)內(nèi)存芯片的一種稱呼(僅對(duì)內(nèi)存),其他的芯片則稱為“晶片”。晶片經(jīng)過(guò)封裝之后就成為一個(gè)閃存顆粒。
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學(xué)會(huì)這幾大接線口訣,你就不用擔(dān)心接觸器問(wèn)題了!
在如此巨大的沖擊之下,對(duì)于高通而言,錯(cuò)過(guò)恩智浦這個(gè)近年來(lái)最為優(yōu)質(zhì)的一塊“標(biāo)的”將會(huì)十分遺憾。這在一定程度上將減慢高通未來(lái)的轉(zhuǎn)型進(jìn)程。但高通認(rèn)為,盡管沒(méi)能...
2018-07-31 標(biāo)簽:物聯(lián)網(wǎng)接觸器內(nèi)存芯片 9.8萬(wàn) 0
三星Galaxy A6s首銷(xiāo)日卻迎三星削減資本支出
三星Galaxy A6s是一款專為中國(guó)消費(fèi)者定制打造的高顏值精工誠(chéng)品,沿襲了三星經(jīng)典的外觀輪廓設(shè)計(jì)。在色彩工藝方面突破常規(guī)的采用了玻璃機(jī)身,活力的色彩在...
道內(nèi)存是高頻率快速的存儲(chǔ)器件,通電工作,斷電則所有數(shù)據(jù)清空。閃存內(nèi)類(lèi)似于硬盤(pán),屬于容數(shù)據(jù)存儲(chǔ)模塊,不需加點(diǎn)也可以保存數(shù)據(jù)完整。
三星計(jì)劃在今年年底前完成5nm流片和4nm開(kāi)發(fā)
7月31日,三星電子報(bào)告了2019年第二季度的財(cái)務(wù)業(yè)績(jī)。 三星電子第二季度收入下降4%至56.13萬(wàn)億韓元,營(yíng)業(yè)利潤(rùn)下降55.6%至6.6萬(wàn)億韓元。凈利...
77個(gè)受害者一起將華為告上了法庭,深圳市龍崗區(qū)法院宣判了
目前智能手機(jī)上主流的內(nèi)存芯片選擇上會(huì)集中在三種方案,一個(gè)是eMMC5.1,一個(gè)是UFS2.0,而另外一個(gè)是UFS2.1,三者最大的區(qū)別在速度反應(yīng)上,這個(gè)...
從韓國(guó)半導(dǎo)體發(fā)展史中看美國(guó)制裁中興事件:自主創(chuàng)新才不受制于人
“美國(guó)的禁令可能導(dǎo)致中興通訊進(jìn)入休克狀態(tài)”。 在4月20日一場(chǎng)發(fā)布會(huì)上,中興通訊董事長(zhǎng)殷一民坦率地承認(rèn)了美方出臺(tái)的禁令對(duì)公司造成的影響。此前,美國(guó)商務(wù)部...
威剛導(dǎo)入長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)DDR4顆粒,國(guó)產(chǎn)內(nèi)存開(kāi)始發(fā)力
今年2月底,長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)官方宣布,符合國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范的自產(chǎn)DDR4內(nèi)存芯片、DDR4內(nèi)存條、LPDDR4內(nèi)存芯片全面開(kāi)始供貨,這也是DDR4內(nèi)存第一次實(shí)現(xiàn)真正...
2020-05-22 標(biāo)簽:內(nèi)存芯片長(zhǎng)鑫存儲(chǔ) 9124 0
SK海力士宣布江蘇無(wú)錫第二工廠已經(jīng)竣工 計(jì)劃今年5月正式投入量產(chǎn)
近日,韓國(guó)DRAM內(nèi)存芯片巨頭SK海力士宣布,位于江蘇無(wú)錫的第二工廠(C2F)已經(jīng)竣工,產(chǎn)出的第一批晶圓良品率也符合預(yù)期,計(jì)劃今年5月正式投入量產(chǎn)。
2021年全球存儲(chǔ)芯片產(chǎn)品SSD價(jià)格出現(xiàn)急漲
2021年存儲(chǔ)芯片產(chǎn)品確定要進(jìn)入牛市周期了,1月份的內(nèi)存價(jià)格已經(jīng)全面開(kāi)漲,漲幅在5%以上,現(xiàn)在也輪到閃存產(chǎn)品了,SSD價(jià)格也出現(xiàn)了急漲。
2018年全球DRAM內(nèi)存芯片總價(jià)值將首次突破1000億美元大關(guān)
對(duì)于三星電子DS部門(mén)而言,數(shù)據(jù)中心使用的DRAM芯片和大容量存儲(chǔ)的NAND閃存需求持續(xù)旺盛,推動(dòng)半導(dǎo)體業(yè)務(wù)繼續(xù)實(shí)現(xiàn)強(qiáng)勁盈利。除此之外,三星電子其他業(yè)務(wù)表...
合肥長(zhǎng)鑫規(guī)劃2021年完成17nm技術(shù)研發(fā)
合肥長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司于 2016 年成立,從事 DRM 內(nèi)存顆粒的設(shè)計(jì)、研發(fā)、生產(chǎn)和銷(xiāo)售,目前已建成一座 12 英寸晶圓廠并投產(chǎn),其生產(chǎn)的 DDR4...
三星、美光以及海力士總共占據(jù)全球DRAM芯片市場(chǎng)份額的96%
令人垂涎的漲幅給這些芯片巨頭帶來(lái)豐厚利潤(rùn)。2016年一季度,三星芯片營(yíng)收僅是英特爾的30%多。到了2017年一季度,三星芯片營(yíng)收已與英特爾不相上下。而在...
殺手锏!臺(tái)積電開(kāi)發(fā)SOT-MRAM陣列芯片
臺(tái)積電在MRAM技術(shù)方面已經(jīng)取得了顯著進(jìn)展,成功研發(fā)了22納米、16/12納米工藝的MRAM產(chǎn)品線,并積累了大量?jī)?nèi)存和車(chē)用市場(chǎng)訂單。
早在2018年年中,我們就看到半導(dǎo)體行業(yè)正在醞釀挑戰(zhàn)
2018年半產(chǎn)品周期的“盛宴-饑荒”性質(zhì)是該行業(yè)的特點(diǎn)。從歷史上看,這個(gè)周期的持續(xù)時(shí)間相當(dāng)短,只有四到五個(gè)季度。如表1所示,這是當(dāng)前經(jīng)濟(jì)復(fù)蘇期間第三次半...
2019-03-13 標(biāo)簽:半導(dǎo)體物聯(lián)網(wǎng)內(nèi)存芯片 5737 0
半導(dǎo)體區(qū)別于導(dǎo)體的重要特征? 半導(dǎo)體和導(dǎo)體是電子領(lǐng)域中的兩個(gè)重要概念,它們雖然有些相似,但是在性質(zhì)、應(yīng)用和制造過(guò)程等方面都有重要的區(qū)別。本文將詳細(xì)介紹半...
2023-08-27 標(biāo)簽:半導(dǎo)體內(nèi)存芯片數(shù)字信號(hào)處理器 5483 0
內(nèi)存芯片商突破DRAM技術(shù)挑戰(zhàn) 三大主力軍搶進(jìn)1z nm制成
在當(dāng)前內(nèi)存市場(chǎng)需求疲軟的環(huán)境下,三星、美光和SK海力士相繼發(fā)布1z nm內(nèi)存芯片,搶進(jìn)高端內(nèi)存市場(chǎng)。并計(jì)劃下半年開(kāi)始量產(chǎn),并于2020年在新一代服務(wù)器、...
三星成功開(kāi)發(fā)出業(yè)內(nèi)首款LPDDR5-6400內(nèi)存芯片,功耗降低30%
7月17日上午消息,三星今晨宣布,成功開(kāi)發(fā)出業(yè)內(nèi)首款LPDDR5-6400內(nèi)存芯片,基于10nm級(jí)(10~20nm)工藝。據(jù)悉,該LPDDR5內(nèi)存芯片單...
2018年半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)資本支出總額將達(dá)到1,020億美元
IC Insights預(yù)計(jì),全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)總計(jì)將達(dá)到1,020億美元——包括現(xiàn)有晶圓廠產(chǎn)線和全新制造設(shè)施的升級(jí),象征著半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)第一次為資本支出注入突破...
將數(shù)據(jù)存儲(chǔ)到身體?下一代的存儲(chǔ)容器也許會(huì)是DNA。
目前我們正處于數(shù)據(jù)爆炸增長(zhǎng)的時(shí)代,像硬盤(pán)、內(nèi)存芯片等數(shù)據(jù)存儲(chǔ)容器已經(jīng)出現(xiàn)“負(fù)荷過(guò)重”的跡象。現(xiàn)今看來(lái),要想將全球數(shù)據(jù)存儲(chǔ)起來(lái)似乎技術(shù)還遠(yuǎn)遠(yuǎn)沒(méi)達(dá)到這個(gè)水平...
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