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標簽 > 內(nèi)存芯片
“內(nèi)存顆粒”是中國港臺地區(qū)對內(nèi)存芯片的一種稱呼(僅對內(nèi)存),其他的芯片則稱為“晶片”。晶片經(jīng)過封裝之后就成為一個閃存顆粒。
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最新的32Gb DDR5內(nèi)存芯片,繼續(xù)采用12nm級別工藝制造,相比三星1983年推出的4Kb容量的第一款內(nèi)存產(chǎn)品,容量已經(jīng)增加了50多萬倍!
內(nèi)存芯片制造工藝 DRAM工藝流程 堆疊式DRAM工藝流程
內(nèi)存芯片在驅(qū)動ic市場和ic技術(shù)發(fā)展方面發(fā)揮了重要作用。市場上兩個主要的內(nèi)存產(chǎn)品分別是DRAM和NAND。
可制造性案例│DDR內(nèi)存芯片的PCB設(shè)計
DDR是運行內(nèi)存芯片,其運行頻率主要有100MHz、133MHz、166MHz三種,由于DDR內(nèi)存具有雙倍速率傳輸數(shù)據(jù)的特性,因此在DDR內(nèi)存的標識上采...
2023-07-28 標簽:DDR內(nèi)存芯片PCB設(shè)計 4807 0
美光預(yù)測芯片過剩情況緩解,宣布減產(chǎn)至約30%!
美光科技最近發(fā)布了一份聲明,對芯片行業(yè)的前景做出了樂觀預(yù)測。盡管在中國市場面臨挑戰(zhàn),但產(chǎn)能過剩情況有所改善。
內(nèi)存芯片的發(fā)展史 DRAM技術(shù)的現(xiàn)狀
當(dāng)時,半導(dǎo)體存儲技術(shù)被分為ROM和RAM兩個方向。ROM是只讀存儲器,存儲數(shù)據(jù)不會因為斷電而丟失,也稱外存。而RAM是隨機存取存儲器,用于存儲運算數(shù)據(jù),...
長鑫原廠DRAM顆粒的臺電騰龍G40內(nèi)存詳細測評方案
一、前言:長鑫DRAM芯片的普及需要更多的大陸內(nèi)存廠商 可能很多同學(xué)提到臺電內(nèi)存,可能會覺得他們不是一線頂尖品牌,顆粒使用上也不會有什么亮點,不過這一次...
8個接內(nèi)存總線的數(shù)據(jù)線,一個芯片接一個數(shù)據(jù)組也就是8根線組成的一個數(shù)據(jù)組,依次為Data[0:7], Data[8:15], …, Data[56:63...
三星將EUV與10nm工藝結(jié)合推出LPDDR5內(nèi)存芯片
CFan曾在《芯希望來自新工藝!EUV和GAAFET技術(shù)是個什么鬼?》一文中解讀過EUV(極紫外光刻),它原本是用于生產(chǎn)7nm或更先進制程工藝的技術(shù),特...
處理器和顯卡對性能的影響是立竿見影,很容易通過跑分軟件量化對比。然而,在筆記本身上還有很多芯片在偷摸著影響性能,進而有損實際體驗。
其實 ODT 技術(shù)的具體內(nèi)部構(gòu)造并不十分復(fù)雜。在內(nèi)存各種引腳與內(nèi)存模組的內(nèi)部緩沖器中間設(shè)有一個 EMRS 擴展模式寄存器,通過其內(nèi)部的一個控制引腳可以控...
存儲單元數(shù)量=行數(shù)*列數(shù)(得到一個L-Bank的存儲單元數(shù)量)*L-Bank的數(shù)量也可用M*W的方式表示芯片的容量,M是該芯片中存儲單元的總數(shù),單位是兆...
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